INTRODUCCIÓN.

MATERIALES CONDUCTORES

Todos los cuerpos o elementos químicos existentes en la naturaleza poseen características diferentes,
agrupadas todas en la denominada “Tabla de Elementos Químicos”. Desde el punto de vista eléctrico,
todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos elementos se pueden dividir en tres
amplias categorías:

 Conductores
 Aislantes
 Semiconductores

Los materiales conductores ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente eléctrica.
Los semiconductores se encuentran a medio camino entre los conductores y los aislantes,
pues en unos casos permiten la circulación de la corriente eléctrica y en otros no.
Finalmente los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente
eléctrica. En la foto superior se muestran algunos de esos materiales: A) Conductor de
alambre de cobre. B) Diodos y C) transistor (dispositivos semiconductores en ambos
casos). D) Aislantes de porcelana instalados en un transformador distribuidor de energía
eléctrica de bajo voltaje y E) Aislantes de vidrio soportando cables a la intemperie
montados en un poste para distribución de energía eléctrica de media tensión. Los
aislantes, al contrario de los conductores, constituyen materiales o cuerpos que ofrecen
una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica.

MATERIALES CONDUCTORES

En la categoría “conductores” se encuentran agrupados todos los metales que en mayor o menor
medida conducen o permiten el paso de la corriente eléctrica por sus cuerpos. Entre los mejores
conductores por orden de importancia para uso en la distribución de la energía eléctrica de alta, media
y baja tensión, así como para la fabricación de componentes de todo tipo como dispositivos y equipos
eléctricos y electrónicos, se encuentran el cobre (Cu), aluminio (Al), plata (Ag), mercurio (Hg) y oro
(Au).

Los conductores de cobre son los materiales más utilizados en los

circuitos eléctricos por la baja resistencia que presentan al paso de
la corriente.
En general el núcleo de los átomos de cualquier elemento que forman todos los cuerpos sólidos,
líquidos y gaseosos que conocemos se encuentran rodeados por una nube de electrones que giran su
alrededor, distribuidos en una o en varias órbitas, capas o niveles de energía. Al átomo de cada
elemento contemplado en la “Tabla de Elementos Químicos” le corresponde un número atómico que
sirve para diferenciar las propiedades de cada uno de ellos. Ese número coincide también con la
cantidad total de electrones que giran alrededor del núcleo de cada átomo en particular. No obstante,
independientemente de la cantidad total de electrones que le corresponda a cada elemento, en la
última capa u órbita sólo pueden girar de uno a ocho electrones como máximo.

Diferentes formas de representar de forma gráfica un.

mismo.átomo, en este caso de cobre (Cu): A) Normal, en.
la que. aparecen todos los electrones girando alrededor
del
núcleo de ese elemento en sus respectivas órbitas.
B) Representación plana en la que se pueden observar,
de. forma parcial, las cuatro órbitas
o niveles de energía que
le corresponden a ese átomo con la distribución numérica
de todos los electrones que posee en cada una de ellas.
( 29 en total ). C) La misma representación plana,
pero.
más simplificada, en la que se muestra solamente la última órbita o banda de valencia,
identificada con. el número “1”, o sea, el único electrón que posee en esa posición. D) El mismo
átomo mostrado ahora. en representación plana, con la última órbita y el único electrón que gira en la
misma.

Banda de valencia

Como ya conocemos, todos átomos que integran cualquier cuerpo material poseen órbitas o capas,
denominadas también niveles de energía, donde giran electrones alrededor de sus núcleos. La última
de esas capas se denomina “banda de valencia” y es donde giran los electrones que en unos casos el
átomo puede ser ceder, como ocurre con los metales y en otros casos puede atraer o captar de la
banda de valencia de otros átomos cercanos. La banda de valencia es el nivel de energía que
determina que un cuerpo se comporte como conductor, aislante o semiconductor.

En el caso de los metales en la última órbita o “banda de valencia” de sus átomos sólo giran entre uno
y tres electrones como máximo, por lo que su tendencia es cederlos cuando los excitamos empleando
métodos físicos o químicos. Las respectivas valencias de trabajo (o números de valencia) de los
metales son las siguientes: +1, +2 y +3.

Esos números con signo positivo (+) delante, corresponden a la cantidad de electrones que pueden
ceder los átomos de los metales, de acuerdo con la cantidad que contiene cada uno en la última órbita.

En general la mayoría de los elementos metálicos poseen conductividad eléctrica, es decir, se

comportan como conductores de la electricidad en mayor o menor medida. Los que poseen un solo
electrón (a los que les corresponde el número de valencia +1, como el cobre), son los que conducen la
corriente eléctrica con mayor facilidad.

En los conductores eléctricos las bandas de energía,

formadas por la banda de conducción y la banda de
valencia del elemento metálico, se superponen facilitando
que los electrones puedan saltar desde la última órbita de
un átomo a la de otro de los que integran también las
moléculas del propio metal. Es por eso que cuando se
aplica corriente eléctrica a un circuito formado por
conductores de cobre, por ejemplo, los electrones fluyen
con facilidad por todo el cuerpo metálico del alambre que
integra el cable.
Normalmente las bandas de energías se componen de: 1) una banda de valencia. 2) una banda de
conducción y, 3) otra banda interpuesta entre las dos anteriores denominada “banda prohibida”. La
función de esta última es impedir o dificultar que los electrones salten desde la banda de valencia
hasta la banda de conducción. En el caso de los metales la banda prohíbida no existe, por lo que los
electrones en ese caso necesitan poca energía para saltar de una banda a la otra.

Debido a que en los metales conductores de corriente eléctrica la banda de valencia o última órbita del
átomo pose entre uno y tres electrones solamente (de acuerdo con el tipo de metal de que se trate),
existe una gran cantidad de estados energéticos “vacíos” que permiten excitar los electrones, bien sea
por medio de una reacción química, o una reacción física como la aplicación de calor o la aplicación de
una diferencia de potencial (corriente eléctrica) que ponga en movimiento el flujo electrónico.

En general los metales mejores conductores de electricidad como el cobre, la plata y el oro poseen una
alta densidad de electrones portadores de carga en la banda de valencia, así como una alta ocupación
de niveles de energía en la banda de conducción. Hay que destacar que aunque la plata y el oro son
mucho mejores conductores de la corriente eléctrica que el cobre, la mayoría de los cables se fabrican
con este último metal o con aluminio en menor proporción, por ser ambos metales buenos conductores
de la corriente eléctrica, pero mucho más baratos de producir y comercializar que la plata y el oro.

MATERIALES AISLANTES O DIELÉCTRICOS

A diferencia de los cuerpos metálicos buenos conductores de la corriente eléctrica, existen otros como
el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita, las resinas sintéticas, los plásticos, etc., que ofrecen
una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen como aislantes o dieléctricos.

Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente eléctrica. En la foto izquierda.
se pueden observar diferentes materiales aislantes de plástico utilizados comúnmente en las cajas de.
conexión y en otros elementos propios de las instalaciones eléctricas domésticas de baja tensión, así.
como el PVC (PolyVinyl Chloride – Policloruro de Vinilo) empleado como revestimiento en los cables.
conductores. En la foto de la derecha aparece, señalado con una flecha roja, un aislante de vidrio.
utilizado en las torres externas de distribución eléctrica de alta tensión.

Al contrario de lo que ocurre con los átomos de los metales, que ceden sus electrones con facilidad y
conducen bien la corriente eléctrica, los de los elementos aislantes poseen entre cinco y siete
electrones fuertemente ligados a su última órbita, lo que les impide cederlos. Esa característica los
convierte en malos conductores de la electricidad, o no la conducen en absoluto.
 En los materiales aislantes, la banda de
conducción se encuentra prácticamente vacía de
portadores de cargas eléctricas o electrones,
mientras que la banda de valencia está
completamente llena de estos.

Como ya conocemos, en medio de esas dos

bandas se encuentra la “banda prohibida”, cuya
misión es impedir que los electrones de valencia,
situados en la última órbita del átomo, se exciten y
salten a la banda de conducción.

La energía propia de los electrones de valencia equivale a unos 0,03 eV (electronvolt)

aproximadamente, cifra muy por debajo de los 6 a 10 eV de energía de salto de banda (Eg) que
requerirían poseer los electrones para atravesar el ancho de la banda prohibida en los materiales
aislantes.

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los primeros semiconductores utilizados para fines técnicos fueron pequeños detectores diodos
empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocían como “de
galena”. Ese nombre lo tomó el radiorreceptor de la pequeña piedra de galena o sulfuro de plomo
(PbS) que hacía la función de diodo y que tenían instalado para sintonizar las emisoras de radio. La
sintonización se obtenía moviendo una aguja que tenía dispuesta sobre la superficie de la piedra.
Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad
auditiva, en realidad nadie conocía que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.

En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubrió que si a ciertos cristales se le
añadía una pequeña cantidad de impurezas su conductividad eléctrica variaba cuando el material se
exponía a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoeléctricas o
solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador también de los Laboratorios Bell,
Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al
que denominaron “transistor” y que se convertiría en la base del desarrollo de la electrónica moderna.

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen
elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo
que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos
mismos elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido, pero no en el sentido
contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar
señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica
digital, etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Periódica los trece elementos con.

características de semiconductores, identificados con su correspondiente.
número atómico y grupo al que pertenecen.
Los que aparecen con fondo.
gris corresponden a “metales”, los de fondo verde a “metaloides” y los de.
fondo azul a “no metales”.
Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Periódica constituyen la
materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de
corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores.

Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en
su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos
más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente
cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura
molecular cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar
electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces
covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica
una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad
eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Número Nombre del Grupo en la Electrones en la Números de

Categoría
Atómico Elemento Tabla Periódica última órbita valencia
48 Cd (Cadmio) IIa Metal 2 e- +2
5 B (Boro) Metaloide 3 e- +3
13 Al (Aluminio)
IIIa
31 Ga (Galio) Metal
49 In (Indio)
14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fósforo) No metal 5 e- +3, -3, +5
33 As (Arsénico) Va
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales semiconductores
depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la
temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su
temperatura aumenta, la conductividad también aumenta.

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los

siguientes métodos:

 Elevación de su temperatura
 Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
 Incrementando la iluminación.

Con relación a este último punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias
dependientes de la luz (LDR – Light-dependant resistors), varían su conductividad de acuerdo con la
cantidad de luz que reciben.
 Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida también como
fotorresistor o célula fotoeléctrica. Posee la característica de disminuir el
valor de su resistencia interna cuando la intensidad de luz que incide sobre
la superficie de la celda aumenta. Como material o elemento semiconductor
utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su principal aplicación es en el
encendido y apagado automático del alumbrado público en las calles de las
ciudades, cuando disminuye la luz solar.

En dependencia de cómo varíen los factores de los puntos más arriba expuestos, los materiales
semiconductores se comportarán como conductores o como aislantes.

La conductividad eléctrica de los cuerpos materiales ( σ) constituye la capacidad

que. tienen de conducir la corriente eléctrica. La fórmula matemática para hallar la.
conductividad es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta fórmula, la conductividad ( σ) se obtiene hallando

primeramente el resultado de la recíproca de la resistencia (o sea, 1/R)
multiplicándolo a continuación por el resultado que se obtiene de dividir la longitud
del material (L) entre su área (A). En esa fórmula se puede observar también que la
resistencia (R) es inversamente proporcional a ( σ), por lo que, a menor resistencia
en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante será mayor.

SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS"

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrínsecos
2. Extrínsecos

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos

de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se
liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a
la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar
libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica.
 Como se puede observar en la ilustración, en el caso de
los semiconductores el espacio correspondiente a la
banda prohibida es mucho más estrecho en comparación
con los materiales aislantes. La energía de salto de banda
(Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda
de valencia a la de conducción es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si),
la energía de salto de banda requerida por los electrones
es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es
de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta

solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Como
se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo
poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia),
se unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un
cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración,
esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola
dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los
átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o
"impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores

que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o
que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)].
Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán
capaces de conducir la corriente eléctrica.

En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la
forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un
espejo.
 A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor
de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricación de transistores y
circuitos. integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo
cientos de. minúsculos dados o “chips”, que se pueden obtener de cada una. Esos
chips son los. que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se
convertirán en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han
convertido en. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y
colocados dentro. de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores
externos.

El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en menor proporción que el silicio,
es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar

diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para
rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en día, además
del silicio y el germanio, se emplean también combinaciones de otros
elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica.

Placa individual de 2 x 2 cm de área,

correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para
obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricación de diodos láser empleados como
dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un

diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto,
presentaciones multimedia o música grabada en un CD. En esta ilustración
el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común.
En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como
elementos intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces
covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los átomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita, tratan siempre de
completarla con un máximo de ocho, ya sea donándolos o aceptándolos, según el número de valencia
que le corresponda a cada átomo en específico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita,
sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre sí los cuatro
electrones que cada uno posee, según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. Al
agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido, los átomos del elemento semiconductor
adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosía. En su estado puro, como ya se mencionó
anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se
comportan como aislantes.
CONVERSIÓN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P"

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en
dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente eléctrica si para ello alteramos su
estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas".

Para realizar ese cambio será necesario introducir átomos de otros elementos semiconductores
apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o última órbita (átomos trivalentes) o
también cinco electrones en esa propia órbita (átomos pentavalentes). A tales efectos se consideran
impurezas los siguientes elementos con átomos trivalentes: aluminio (Al), galio (Ga) e indio (In).
También se consideran impurezas los átomos pentavalentes de arsénico (As), fósforo (P) o de
antimonio (Sb).

Cuando añadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequeña cantidad de átomos
de un elemento pentavalente en función de “impurezas”, estos átomos adicionales reciben el nombre de
"donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cristalina del
semiconductor. Si, por el contrario, los átomos que se añaden como impurezas son trivalentes, se
denominan entonces "aceptantes”, porque cada uno tendrá que captar o aceptar un electrón
procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del germanio.

La conductividad que presente finalmente un semiconductor “dopado” dependerá de la cantidad de

impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una proporción de un átomo de
impureza que se añade por cada 100 millones de átomos del elemento semiconductor, la conductividad
aumenta en 16 veces.
SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"

Como ya conocemos, ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni
aceptan electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente eléctrica,
por tanto, se comportan como materiales aislantes.

Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos añadiéndole

una pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de un metaloide como, por ejemplo,
antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla
Periódica, con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia), estos átomos se integrarán a
la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a
los átomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrón restante del antimonio, al quedar
liberado, se podrá mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un
semiconductor extrínseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de
la estructura cristalina del material semiconductor.
Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio (Si)
formando una celosía. Como se puede observar, esta
estructura se ha dopado añadiendo átomos de antimonio
(Sb) para crear un material semiconductor “extrínseco”.
Los átomos de silicio (con cuatro electrones en la última
órbita o banda de valencia) se unen formando enlaces
covalentes con los átomos de antimonio (con cinco en su
última órbita banda de valencia). En esa unión quedará un
electrón libre dentro de la estructura cristalina del silicio
por cada átomo de antimonio que se haya añadido. De esa
forma el cristal. de silicio se convierte en material
semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso
electrones libres con cargas negativas presentes en esa
estructura.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica en sus

extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura
aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrónica a través de la
estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente eléctrica.

No obstante, la posibilidad de que al aplicárseles una corriente eléctrica los electrones se puedan
mover libremente a través de la estructura atómica de un elemento semiconductor es mucho más
limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metálico buen conductor.
SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Si en lugar de introducir átomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos

añadiéndoles átomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIa
de la Tabla Periódica con tres electrones en su última órbita o banda de valencia), al unirse esa
impureza en enlace covalente con los átomos de silicio quedará un hueco o agujero, debido a que
faltará un electrón en cada uno de sus átomos para completar los ocho en su última órbita. En este
caso, el átomo de galio tendrá que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarán los
átomos de silicio, como una forma de compensar las cargas eléctricas. De esa forma el material
adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrínseco dopado tipo-P
(positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los
huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio (Si).

que forman, como en el caso anterior, una celosía,
dopada. ahora con átomos de galio (Ga) para formar un.
semiconductor “extrínseco”. Como se puede observar en.
la. ilustración, los átomos de silicio (con cuatro electrones
en. la. última órbita o banda de valencia) se unen
formando. enlaces covalente con los átomos de galio (con
tres. electrones en su banda de valencia). En esas
condiciones. quedará un hueco con defecto de electrones
en la. estructura. cristalina de silicio, convirtiéndolo en un.
semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el defecto
de. electrones en la estructura.

MECANISMO DE CONDUCCIÓN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica, se
producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a
la “banda de conducción” y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la “banda de valencia”
cuando los electrones saltan a la banda de conducción.

Cuando aplicamos una diferencia de potencial a

un. elemento semiconductor, se establece una.
“corriente de electrones” en un sentido y otra.
“corriente de huecos” en sentido opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento

semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una dirección, los huecos o
agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conducción de un elemento
semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas
(huecos o agujeros) en sentido opuesto.

Ese mecanismo de movimiento se denomina "conducción propia del semiconductor", que para las
cargas negativas (o de electrones) será "conducción N", mientras que para las cargas positivas (de
huecos o agujeros), será "conducción P".

TEMAS RELACIONADOS

 Así funcionan los átomos

 Qué es un diodo
 Así funcionan los diodos
 Qué es la corriente eléctrica
 Qué es la conductancia y la conductividad
 Qué son los conductores, aislantes y semiconductores
 Qué es la resistencia eléctrica

TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR

INTRODUCCIÓN

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse situada

entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente

Los semiconductores más conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos más adelante, el comportamiento del siliceo es más estable que el germanio frente a todas
las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, será el primero (Si) el elemento
semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de estado solido. A él
nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente
similar.
 Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como
electrones en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de 14). El interés del
semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir, que
haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón se siente más ligado al
núcleo cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza
de atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se
encuentran en las órbitas exteriores. Estos electrónes pueden, según lo dicho anteriormente, quedar
libres al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá nuestra atención y es así que en vez de
utilizar el modelo completo del átomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representación simplificada
(figura 2) donde se resalta la zona de nuestro interés.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una

manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de
atracción del núcleo son cuatro

SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

Cuando el silicio se encuentra formado por átomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice
que se encuentra en estado puro o más usualmente que es un semiconductor intrínseco

Una barra de silicio puro está formada por un conjunto de átomos en lazados unos con otros según
una determinada estructura geométrica que se conoce como red cristalina

Si en estas condiciones inyectamos energía desde el exterior, algunos de esos electrones de los
órbitas externas dejarán de estar enlazados y podrán moverse. Lógicamente si un electrón se
desprende del átomo, este ya no está completo, decimos que está cargado positivamente, pues tiene
una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga
positiva o al sitio que ocupaba el electrón.

El átomo siempre tendrá la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto
en nuestro caso, intentará atraer un electrón de otro átomo para rellenar el hueco que tiene.

Toda inyección de energía exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos
puntos:

 Electrones que se quedan libres y se desplazan de un átomo a otro a lo largo de la barra del
material semiconductor de silicio.
  Aparición y desaparición de huecos en los diversos átomos del semiconductor.

Queda así claro que el único movimiento real existente dentro de un semiconductores el de electrones.
Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del
semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este
hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,. Los huecos no se mueven, sólo parece que lo
hacen.

Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos (cargas
positivas), pues nos resulta más cómodo y los resultados obtenidos son los mismos que los reales.

SEMICONDUCTOR DOPADO

Si aplicamos una tensión al cristal de silicio, el positivo de la pila intentará atraer los electrones y el
negativo los huecos favoreciendo así la aparición de una corriente a través del circuito

Sentido del movimiento de un electrón y un hueco en el silicio

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeño valor, pues son pocos los electrones
que podemos arrancar de los enlaces entre los átomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha
corriente tenemos dos posiblidades:

 Aplicar una tensión de valor superior

 Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior

La primera solución no es factible pues, aún aumentando mucho el valor de la tensión aplicada, la
corriente que aparece no es de suficiente valor. La solución elegida es la segunda.

En este segundo caso se dice que el semiconductor está "dopado".

El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos
últimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se
dope al semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de semiconductores.

 Semiconductor tipo P
 Semiconductor tipo N

SEMICONDUCTOR TIPO N
 Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) ....

Enlace covalente de átomos de germanio, obsérvese que cada átomo

comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro átomos

.... sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
átomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos
electrones sirven para enlazarse con el resto de los átomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N

 A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N"

En esta situación hay mayor número de electrones que de huecos. Por ello a estos últimos se les
denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones

Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico, el antimonio y el
fósforo

Está claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensión en sus bornas, las posibilidades
de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicación de la misma
tensión sobre un semiconductor intrínseco o puro.

SEMICONDUCTOR TIPO P

Si en una red cristalina de silicio (átomos de silicio enlazados entre sí) ....

Enlace covalente de átomos de germanio, obsérvese que cada átomo comparte

cada uno de sus electrones con otros cuatro átomos

.... sustituimos uno de sus átomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
átomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres
electrones llenarán los huecos que dejaron los electrones del átomo de silicio, pero como son cuatro,
quedará un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitución de un átomo por otros provoca la aprición
de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" serán los huecos y los
electrones los portadores minoritarios.

A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"
 Semiconductor dopado tipo P

OBSERVACIONES

Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de portadores
mayoritarios.

Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

No siempre el índice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco
dospado", "muy dopado", etc.

Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor está fuertemente dopado.

Semiconductor tipo N fuertemente Semiconductor tipo P fuertemente

dopado dopado

Todos los componentes electrónicos en estado sólido que veremos en adelante (transistores,
diodos, tiristores) no son ni más y menos que un conjunto de semiconductores de ambos tipos
ordenados de diferentes maneras.d

DIODO ZENER
INTRODUCCIÓN

Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como
inversamente.

 En directa se comporta como una pequeña resistencia.

 En inversa se comporta como una gran resistencia.

Veremos ahora un diodo de especiales características que recibe el nombre de diodo zener

El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y, en particular, en la zona

del punto de ruptura de su característica inversa

Esta tensión de ruptura depende de las características de construcción del diodo, se fabrican desde 2
a 200 voltios. Polarizado en directa actua como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho
estado

EFECTO ZENER

El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan, debido a la

característica constitución de los mismos, fuertes campos eléctricos que causan la rotura de los
enlaces entre los átomos dejando así electrones libres capaces de establecer la conducción. Su
característica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la
corriente a su través un determinado valor mínimo, la tensión en bornas del diodo se mantiene
constante e independiente de la corriente que circula por él.

FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER

El simbolo del diodo zener es:

y su polarización es siempre en inversa, es decir

Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:

a.- Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión zener.- Es la tensión que el zener va a
mantener constante.

b.- Coriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del zener es menor, no hay
seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus bornas

c.- Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos indica el máximo valor
de la corriente que puede soportar el Zener.

Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensión en sus
bornas a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el
margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la
potencia de zener máxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se
destruye.

DIODO ZENER

INTRODUCCIÓN

Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como
inversamente.

 En directa se comporta como una pequeña resistencia.

 En inversa se comporta como una gran resistencia.

Veremos ahora un diodo de especiales características que recibe el nombre de diodo zener

El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y, en particular, en la zona

del punto de ruptura de su característica inversa

Esta tensión de ruptura depende de las características de construcción del diodo, se fabrican desde 2
a 200 voltios. Polarizado en directa actua como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho
estado

EFECTO ZENER
 El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan, debido a la
característica constitución de los mismos, fuertes campos eléctricos que causan la rotura de los
enlaces entre los átomos dejando así electrones libres capaces de establecer la conducción. Su
característica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la
corriente a su través un determinado valor mínimo, la tensión en bornas del diodo se mantiene
constante e independiente de la corriente que circula por él.

FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER

El simbolo del diodo zener es:

y su polarización es siempre en inversa, es decir

Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:

a.- Tensiones de polarización inversa, conocida como tensión zener.- Es la tensión que el zener va a
mantener constante.

b.- Coriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del zener es menor, no hay
seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus bornas

c.- Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos indica el máximo valor
de la corriente que puede soportar el Zener.

Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensión en sus
bornas a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el
margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la
potencia de zener máxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se
destruye.