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INFORME PRACTICA 3
Estalin W. Chicaiza Casa
Laboratorio de Dispoditivos Electronicos, Departamento de Electronica Telecomunicaciones y Redes de
Información

Nombre profesor: David Vega June 29, 2020 GR3

I. O BJETIVOS
• Analizar circuitos formados por elementos pasivos y diodos y formas de ondas resultantes dada una señal original.

II. S IMULACION Y RESULTADOS

A. Presentar un resumen de los resultados obtenidos en la práctica. Enfatizar en los procedimientos realizados de LTspice.
1) Simular los circuitos del numeral 4.3 del trabajo preparatorio, comprobar los valores esperados y tomar nota de los
mismos.:

Figure 1. Circuito DC con diodo polarizado directamente

• Se realizo el armado del circuito en ltspice.

• Se tomo un tiempo adecuado para realizar la simulaciom.
• Se observa la rafica de los voltajes en la entrada, salida y en la resistencia para posteriormente comparar con lo calculado
en el trabajo preparatorio.
• En se caso se utiliza un diodo ideal, una resistencia, una fuente DC y el diodo polarizado directamente..
• Finalmente podemos observar la siguiente grafica de los tres valoes previamente solicitado.

Figure 2. Grafica de los voltajes

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Figure 3. Circuito DC con diodo polarizado inversamente

• Para este caso el diodo esta polarizado inversamente.

• Igual se utiliza una resistencia y una fuente DC.
• Al igual que el anterior obesvaremos los valos de voltaje en la resistencia y en el diodo como se observa acontinuacion.

Figure 4. Grafica de los voltajes.

2) Comprobar el valor del voltaje de barrera del diodo 1N4007 mediante las mediciones correspondientes.:
• Para esto se utilizo los siguientes elementos: diodo 1N4007 (Silicio), Resistencia y una fuente DC.
• Se realiza la implementación de dicho circuito y se observa como el sifuiente.

Figure 5. Grafica de los voltajes.

• A partir de la simualcion de dicho circiuto se observa el voltaje en el diodo para determinar el voltaje de barrera la cual
debe ser 0.7V por ser un diodo de silicio.
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Figure 6. Grafica del voltaje de barrera en diodo 1N4007

3) Simular el circuito del numeral 4.4 del trabajo preparatorio, comprobar los valores esperados y tomar nota de los
mismos. Obtener y anotar los datos necesarios para graficar la forma de onda obtenida después del resistor.:

Figure 7. Circuito AC con diodo semiconductor.

• Para este circuito se senecita una resistencia, una fuente AC y un diodo.

• En este literal nos pedia obtener el voltaje RMS en la resistencia de carga.
• Previamente calculado obtenemos que 0 < wt < π el valor del voltaje RMS es cero y de π < wt < 2π tiene un valor de
2.25V.
• Entonces para observar esta medida debemos simular y medir el voltaje en cada intervalo cuando nos presente el plot en
la parte superior se observara el nombre del que se haya puesto en mi caso se observa la del nodo, entonces encima de
ello damos ctrl + clic derecho y se nos deplegara en cuadro de dialogo donde nos mostrara el valor del voltaje RMS.
• Acontinuacion observaremos la grafica de la señal en la resistencia de carga.

Figure 8. Grafica del voltaje en la resistencia de carga

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4) Simular el circuito de la Figura 6.1, obtener y anotar los datos necesarios para graficar la forma de onda obtenida
después del resistor.:

Figure 9. Circuito AV con offset DC y diodo semiconductor.

• Para este literal se necesitara una fuente AC, fuente DC, Resistencia y Diodo 1N4007
• Luego se prosiguio con la armada en el programa ltspice.
• Finalmente, se realiza la simulacion del circuito y se observa que no se recorta debido aque |V 1| ≥ |V 2|, con lo cual
podemos obervar el siguiente grafico.

Figure 10. Grafica cuando |V 1| ≥ |V 2|

• Entonces se cambio el valor de V 2 para que este sea un recortador de señal como se observa el la siguiente grafica.

Figure 11. Grafica cuando |V 2| ≤ |V 1|

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5) Obtener mediante el simulador LTspice la curva caracterı́stica del diodo.:

Figure 12. Circuito DC con diodo semiconducto.

• Se realiza la implementacion del siguiente circuito ya sea con un diodo ideal o con el diodo 1N4007.
• Para este caso en concreto se utilizara el estado DC sweep la cual nos permitira poner el eje de las y el mA y el eje de
las x en V donde se podra observar la curva caracteristica.
• En este caso primero se realizo con el diodo ideal con el cual se observa la siguiente grafica caracteristica.

Figure 13. Grafica carateristica diodo ideal.

• Y para este caso se hizo con el modelo de diodo 1N4007 con el cual se obtuvo la siguiente grafica carateristica.

Figure 14. Grafica carateristica diodo 1N4007.

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B. Compare los resultados obtenidos en las simulaciones con los valores teóricos calculados.

Practico Teórico
VR VR
5V 5V
Table I
C UANDO EL DIODO ESTA POLARIZADO DIRECTAMENTE

Practico Teórico
VR VR
0V 0V
Table II
C UANDO EL DIODO ESTA POLARIZADO INVERSAMENTE

Practico Teórico
VB VB
0.625V 0.7V
Table III
VOLTAJE DE BARRERA

Practico Teórico
Intervalo V rms V rms
0 < wt < π 0V 0V
π < wt < 2π 2.28V 2.5V
Table IV
VOLTAJE RMS EN LA RESISTENCIA DE CARGA .

Como se puede observar en las tablas superior se observa que a partir del cálculo y la simulación los valores tanto teóricos
y practicos con iguales con lo cual podemos decir que efectivamente la simulacion esta bien realizada.
Tambien podemos observar que cuando el diodo esta polarizado directamente el voltaje en la resistencia de carga es el de
la fuente de entrada y mietras esta polarizado inversamente es cero debido a que el diodo se comporta como circuito abierto
por lo cual no va haber un flujo de corriente por el circuito.

C. Realice el diseño del circuito que permita la obtención de la forma de onda de la Figura 7.1 haciendo uso solamente
de una fuente alterna de voltaje, una fuente directa de voltaje, un diodo y una resistencia. Realice la simulación de dicho
circuito. Incluya el esquema de la simulación y la forma de onda obtenida.

Figure 15. Circuito recortador con offset DC

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Figure 16. Circuito diseñado que permite la obtencion de la forma de onda de la figura anterior

Figure 17. Grafica carateristica diodo 1N4007.

III. C ONCLUSION Y RECOMENDACIONES

• Podemos decir que cuando el diodo se polariza inversamente se comporta como un circuito abierto, pero cuando esta
polarizado directamente se comporta como cortocircuito con lo cual se diria que se comporta como un switch.
• Pudimos observar el diferencia entre un diodo ideal y uno real debido que como se mecionaba anteriormente el ideal se
comporta como switch mientras que el real cuando esta polarizado directamente se comporta como una fuente con su
valor de barrera y mietras esta polarizado inversamente se comporta como un circuito abierto.
• Tambien se observo el cumplimiento de la ecuacion para que exista el recote de la señal la cual decia que se recorta
cuando el modulo de la entrada es mayor que la fuente DC.
• Se vio la impoetancia de la utilizacion del comando .dc el cual no ayudaba a observar la grafica caracteristica de cada
tipo de diodo ideal y real.

R EFERENCES
[1] Linear Technology Corporation, Analog Devices, [En lı́nea]. Available: www.analog.com. [Último acceso: 26 Junio 2020].
[2] Millesco, How to simulate a variable resistor in LTspice, 2010.
[3] V. Reyes, Practica 1, Quito, 2020.
[4] Alldatasheet,Alldatasheet,[En linea]. Available: alldatasheet.com [Último acceso: 26 Junio 2020]