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INFORME PRACTICA 8
Estalin W. Chicaiza Casa
Laboratorio de Dispoditivos Electronicos, Departamento de Electronica Telecomunicaciones y Redes de
Información

Nombre profesor: David Vega August 21, 2020 GR3

I. S IMULACION Y RESULTADOS
A. Presentar en Matlab un cuadro las mediciones tomadas en la práctica de los literales 5.1 y 5.2 junto a los valores
teóricos calculados en el trabajo preparatorio (voltajes y corrientes de polarización). Obtener los porcentajes de error.
Explicar la razón por la cual se presentan estos porcentajes de error.
Para el literal 5.1 tenemos los siguientes circuitos:

Figure 1. Polarización de base de BJT npn

Experimental Teórico Error %

VB 725.95mV 0.7V 3.7
VC 87.156mV 4.61V 98.1
VE 0V 0V 0
IB 165.79µA 166.17µA 0.22
IC 11.912mA 16.61mA 28
IE 12.078mA 16.78mA 28
Table I
P OLARIZACI ÓN DE BASE DE BJT NPN

Figure 2. Polarización de emisor de BJT npn

 2

Experimental Teórico Error %

VB 6.7V 9.95V 32.66
VC 6.1V 2.78V 119
VE 6V 9.25V 35
IB 77.93µA 30.62µA 154
IC 5.92mA 9.22mA 36
IE 6mA 9.25mA 35
Table II
P OLARIZACI ÓN DE EMISOR DE BJT NPN

• Observamos que se obtiene un porcentaje de error un poco grandes, al principio se piensa que se debia a que se estaba
encontrando valores aproximados.
• Por otro lado tambien se creeria que se esta cometiendo algun error en el calculo.
• Pero en este caso este error es causa de que en la simulacion nuestro transistor 2n3904 no nos esta entregando el β que
especifica, entonces los valores van a variar mucho con respecto a los calculado, entonces se utilizo los comandos de
ltspice para cambiar el valor de β y se tomo el valor de 100 para los siguientes ejercicios.

Figure 3. Polarización de base con alimentación común de BJT npn.

Experimental Teórico Error %

VB 692.8mV 0.7V 1
VC 0.922mV 0.93V 0.8
VE 0V 0V 0
IB 40.93µA 40.6µA 0.8
IC 4.06mA 4.06mA 0
IE 4.1mA 4.1mA 0
Table III
P OLARIZACI ÓN DE BASE CON ALIMENTACI ÓN COM ÚN DE BJT NPN .

Figure 4. Polarización de emisor con alimentación común de BJT npn.

 3

Experimental Teórico Error %

VB 3.69V 3.7V 0.3
VC 3.86V 3.9V 1
VE 3.01V 3V 0.3
IB 29.99mA 29.79µA 0.7
IC 2.98mA 2.97mA 0.3
IE 3.01mA 3mA 0.3
Table IV
P OLARIZACI ÓN DE EMISOR CON ALIMENTACI ÓN COM ÚN DE BJT NPN .

Figure 5. Polarización por divisor de voltaje de BJT npn.

Experimental Teórico Error %

VB 4.73V 4.74V 0.21
VC 18.1V 18.13V 0.16
VE 4.08V 4.04V 0.1
IB 2.55µA 2.85µA 10.5
IC 0.86mA 0.85mA 1.2
IE 0.87mA 0.86mA 1.16
Table V
P OLARIZACI ÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE DE BJT NPN .

• Como deciamos anteriormente se le cambio el β y observamos que nuestro transistor esta funcionando correctamente y
observmos valores de error casi nulos.
• En algunos casos si se observan errores de alrededor de 20% debido a que se esta determinado valores aproximados, no
exactos.
Para el literal 5.2 tenemos los siguientes circuitos:

Figure 6. Polarización fija.

 4

Experimental Teórico Error %

VG −2V −2V 0
VD 10.66V 10.87V 2
VS 0V 0V 0
IG 0A 0 0
ID 1.33mA 1.125mA 18
IS 1.33mA 1.125mA 18
Table VI
P OLARIZACI ÓN FIJA .

Figure 7. Auto-polarización.

Experimental Teórico Error %

VG 20µV 20µV 0
VD 16.3V 16.1V 1.25
VS 2.28V 3V 24
IG 0A 0µA 0
ID 691µA 909µA 24
IS 691µA 909µA 24
Table VII
AUTO - POLARIZACI ÓN .

Figure 8. Polarización por divisor de voltaje.

Experimental Teórico Error %

VG 0.122V 0.122V 0
VD 26.6V 26.57V 0.1
VS 2.4V 2.53V 5
IG 0µA 0µA 0
ID 725µA 766.66µA 5
IS 725µA 766.66µA 5
Table VIII
P OLARIZACI ÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE .
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• Observamos que nuestro transistor FET esta funcionando correctamente y observmos valores de error casi nulos.
• En algunos casos si se observan errores de alrededor de 20% debido a que se esta determinado valores aproximados, no
exactos y algunos de los casos se utiliza el metodo grafico para dicho cálculo.

B. Realizar en Matlab los cálculos necesarios para determinar la ganancia de voltaje, compararla con el valor teórico y
calcular los errores del literal 5.3. Graficar las señales observadas en la simulación.

Figure 9. Amplificador con JFET I.

Figure 10. Amplificador con JFET I.

Experimental Teórico Error %

Vi n 0.15V 0.15V 0
Vo ut 1.135V 1.15V 1.3
AV 7.56 7.67 1.43
Table IX
A MPLIFICADOR CON JFET I.

Figure 11. Amplificador con JFET II.

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Figure 12. Amplificador con JFET II.

Experimental Teórico Error %

Vi n 0.1V 0.1V 0
Vo ut 490mV 500mV 2
AV 4.9 5 2
Table X
A MPLIFICADOR CON JFET II.

Figure 13. Amplificador con JFET III.

Figure 14. Amplificador con JFET III.

Experimental Teórico Error %

Vi n 75mV 75mV 0
Vo ut 8.659mV 8.76mV 1.15
AV 0.115 0.116 1
Table XI
A MPLIFICADOR CON JFET III.
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• Para el amplificador I se puede obetener una gran ganacia de voltaje y estara desfasada la salida 180° con respecto a la
entrada.
• Para el amplificador II se puede obtener una gran ganancia pero la desventaja de este que nuestra señal de salida estara
desfasada 180° con respecto a la señal de entrada.
• Para el amplificador III en este caso en vez de obtener una ganancia de voltaje tenemos perdidas de voltaje.

II. C ONCLUSION Y RECOMENDACIONES

• Como podemos observar cada configuracion de los amplificadores con FET tienen sus ventajas como sus desventajes una
de ellas es que cuando se utiliza tanto el aplificador por division de voltaje y por fuente comun obtenemos una gran
ganancia pero en cambio para la configuracion de drenaje común obtenemos una perdida de voltaje.
• La parte de polarizacion nos permite observar las curvas caracteristicas donde funciona nuestro transistor BJT.
• Para la mayoria de configuracion para determinar cada parametro de polariación casi siempre se empieza por determinar
la corriente de la base.
• Obsevamos que el voltaje VBE para cualquier configuración sera 0.7V.
• En cambio para las polariacione de un FET se debe considerar que la corriente de compuerta IG es casi 0 y que la
corriente de drenaje y fuente son iguales IG = IS .
• Para la mayoria de configuracion de polarizacion de los FETs en su mayoria se debe calcular en primer lugar la corriente
de drenaje ID .
• Ya sea al realizar una simulación o el armado fisico de un circuito debemos verificar que cada elemento este funcionando
correctamente para no tener errores que puedan causar problemas de cualquier sentido.

R EFERENCES
[1] Linear Technology Corporation, Analog Devices, [En lı́nea]. Available: www.analog.com. [Último acceso: August 21, 2020].
 
[2] C. Novillo, Dispositivos Electronicos,, Quito, 2010.
[3] V. Reyes, Practica 8, Quito, 2020.
[4] Alldatasheet,Alldatasheet,[En linea]. Available: alldatasheet.com [Último acceso: August 21, 2020]
[5] R. Boylestad, Teória de circuitos y dispositivos electronicos,, Mexico, 2009.