DEPARTAMENTO DE ENERGÍA Y MECÁNICA

CARRERA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

ASIGNATURA: Electrónica Fundamental

NRC: 5170
INFORME DE PRÁCTICA DE
LABORATORIO
Tema:
Diseño de amplificadores en la configuración de fuente común
No. 3.1
Profesor: Ing. Carlos Ponce
INTEGRANTES
Angel Damian Vega

11 de Julio del 2019

Sangolquí
 UNIDAD N° 3

INFORME N° 3.2
Tema:
DISEÑO DE AMPLIFICADORES EN LA CONFIGURACION DE FUENTE COMÚN
1. Objetivos

• Determinar el punto de operación del transistor JFET.

• Verificar las características de funcionamiento del amplificador en la configuración fuente
común.
2. Materiales
• Resistencias
• Transistor
• Capacitores
• Cables
• Protoboard
• Fuente de corriente continua
• Osciloscopio
• Multímetro
• Generador de señales
3. Marco teórico
3.1 Procedimiento para identificar los terminales de un transistor JFET.
Los transistores de efecto de campo basan su funcionamiento en la polarización de un
campo eléctrico producido por un terminal de puerta y el canal de conducción de manera
que mientras más negativa sea la tensión en la puerta, menor será la corriente por el canal.[1]
Estructura de un transistor JFET.[2]
 Figure 1. Diagrama y estructura de un transistor pnp

como se puede dar cuenta en la figura anterior, el campo eléctrico producido en la

compuerta y el terminal drenador-fuente, hace que se habrá o se cierre el canal de
conducción N del transistor, el cual va desde la fuente hacia el drenaje.
Si fuese el caso que fuera un transistor de tipo P, será lo contrario a lo explicado con el
transistor de canal tipo N.[2]
Para determinar los canales del transistor tenemos dos métodos:
Método de resistividad del circuito
Aunque este método no sea el mas ideal para un simple sondeo se lo puede realizar.
El cual nos permite ver la resistividad de los componentes intentos del circuito y el estado
del transistor ya que para ciertos valores de obtendrá ciertas tensiones en la puerta y unos
valores máximos en el drenaje y la fuente.
Este método consiste primeramente en medir la resistividad del canal N colocando las dos
pinzas del óhmetro de manera que el positivo se conecte al drenador y el negativo a la
fuente, lo que los llevara a medir una resistencia alrededor de los 400 ohms.
Luego debemos invertir la polaridad de las pinzas se obtendría un valor muy parecido al
medido con anterioridad, caso contrario de podría estar afirmando que el transistor no está
funcionando correctamente.
Lo siguiente que debemos medir es el diodo que va en directa desde puerta hacia la fuente,
es decir el terminar positivo del óhmetro a la puerta y el negativo a la fuente, realizando la
lectura nos debería dar alrededor de los 1430 ohms.
Luego invirtiendo la polaridad del óhmetro estamos polarizando negativamente la puerta
por lo que se cierra el canal de conducción por lo que la resistencia debería ser elevada, al
realizar la lectura observamos que esta en el grado de los mega ohmios por lo que se asegura
que el transistor está funcionando correctamente.[2]
Método de conductividad del circuito
Para una mayor seguridad al momento de conectar el transistor realizamos el siguiente
método que resulta ser el mas eficaz, el cual consiste en comprobar la continuidad de todos
los diodos que lo conforman, una primera combinación es haciendo cerrar el canal de tipo
N, es decir no existiría paso de corriente en la fuente-drenaje, con lo cual se logra que se
encienda el diodo, al cambiar la polaridad de la tensión entre estos dos terminales, ocurre
lo contrario, la tensión empieza a cerrarse según la tensión inversa que se le coloque, hasta
que supera el valor máximo momento en el que se cierra y no circula corriente por su
interior, y como el diodo Led ofrece menos resistencia al paso de la corriente, se enciende
 y nos indica que el circuito funciona correctamente.[2]
Otra forma de hacerlo es recurrir a la hoja del datasheet del transistor y ver la posición del
transistor y como irían sus terminales.
3.2 Procedimiento para determinar experimentalmente IDSS y VGSoff.
Para determinar el IDSS y el Vp se procede hacer lo siguiente.[3]
-Arma la configuración del transistor tal que contenga una resistencia en la terminar del
drenaje y de ahí alimentarle con una fuente de tensión, así mismo se colocara una fuente
tensión en las terminales puerta y fuente.
-Colocando un voltaje de VGS=0 V, debemos medir el valor del voltaje en la resistencia, y
usar la ecuación IDSS=VRD/RD, donde RD es la resistencia conectado en el terminar
drenaje.
-Al colocar una fuente variable en las terminales G y S, e ir variando negativamente el VGS,
hasta que el VRD sea cero, es decir, VRD=0V, en este punto se dice que el transistor esta
en corte y que ID=0A y VGS toma el valor de VP o VGSoff.
3.3 Intercambio de los terminales de Drenaje y Fuente.
A diferencia de los transistores BJT, los terminales del drenador y la fuente del JFET
pueden intercambiar sus papeles sin que su funcionamiento se altere, ya que sabemos la se
trata de un dispositivo simétrico.[4]

Figure 2. Símbolo del transistor pnp

Principales características del JFET:[4]

Table I. Características principales del JFET

PRINCIPAL
APLICACIÓN USOS
VENTAJA
Amplificadores de cc,
Troceado Ausencia de deriva sistemas de control de
dirección
Amplificadores
Resistor variable por operacionales, órganos
Se controla por voltaje
voltaje electrónicos, controlas de
tono
Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia
Oscilador
frecuencia patrón, receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias
 Aislador o separador
(buffer)
Amplificador de RF
Mezclador
Amplificador con CAG
Impedancia de entrada
alta y de salida baja
Bajo ruido
Baja distorsión de
intermodulación
Facilidad para controlar
ganancia
Uso general, equipo de
medida, receptores
Sintonizadores de FM, equipo
para comunicaciones
Receptores de FM y
TV,equipos para
comunicaciones
Receptores, generadores de
señales

4. Procedimiento
4.1 Identifique los terminales del JFET.
Realizando los pasos explicados en el literal 3.1 identificamos el lugar o posición de cada
uno de los terminales.
4.2 Arme el circuito amplificador en la configuración Fuente Común.

RD
4.7kΩ V_cc
RG1
CD 25V
2.2MΩ

10µF
CG Q1 RL
2SK30ATM 56kΩ
10µF
Vin RG2
3Vpk 150kΩ
60Hz
0° RS
2kΩ

Figure 3. Circuito propuesto

Datasheet del transistor 2SK30A

 Figure 4. Datasheet del transistor 2SK30ATM

Obtenemos los valores de IDss y VGSoff también podemos obtener estos valores de la
gráfica ID vs. VGSoff.

Figure 5. Grafica de Vgs e ID del transistor

4.3 Verifique el punto de operación del transistor.
De la datasheet podemos sacar la IDss y el VGSoff.
Siendo estos:
IDSS= 2,9[mA]
Vgsoff=-1,8[V]
Con estos datos definidos por el transistor podemos calcular el punto de operación.
Para el punto de operación debemos encontrar: 𝐼𝐺 , 𝐼𝐷 , 𝐼𝑆 , 𝑉𝐺 , 𝑉𝐷 , 𝑉𝐷𝑆 , 𝑉𝑆

-Hallando el equivalente Thévenin entre los terminales de la compuerta y fuente del

transistor JFET:
𝑅𝐺𝑇𝐻 = 𝑅𝐺1 ∥ 𝑅𝐺2
𝑅𝐺1 (𝑅𝐺2 )
𝑅𝐺𝑇𝐻 =
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2
910𝐾(110𝐾)
𝑅𝐺𝑇𝐻 = = 98.14 [𝐾Ω]
910𝐾 + 110𝐾

Para calcular 𝑉𝐺 realizamos un divisor de tensión en las resistencias 𝑅𝐺1 y 𝑅𝐺2

𝑅𝐺2
𝑉𝐺 = (𝑉 )
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2 𝐷𝐷
150𝑘(25)
𝑽𝑮 = = 1,596 [𝑉]
2,2𝑀 + 150𝑘

-Primero hallamos 𝐼𝐺 , mismo que será igual a cero ya que se encuentra en P.I.
𝑰𝑮 = 0 [𝐴] 𝑃. 𝐼

-Para el cálculo de 𝑉𝐺𝑆 se analizará el transistor JFET

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 1,596 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 1,586 − 𝐼𝑆 𝑅𝑆
Como: 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 1,596 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 1,596 − (2𝑘)(𝐼𝐷 )

-Para encontrar la recta de carga despejamos 𝐼𝐷

1,596 − 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = (1)
2𝑘
-De la ecuación de Shockley tenemos:
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
2
−3
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 2,8𝑥10 (1 − ) (2)
−1,8[𝑉]
-Para hallar el valor de 𝑉𝐺𝑆 y 𝐼𝐷 se procederá a graficar mediante la característica de
transferencia y la recta de carga. Siendo este el método gráfico.

Figure 6. Curva de carga del transistor

-Por el método analítico tenemos.

Intersecar las ecuaciones 1 y 2 descritas anteriormente.
Así es que tenemos:
2
1,596 − 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
= 2,8𝑥10−3 (1 − )
2𝑘 −1,8[𝑉]
Resolviendo al ecuación y ordenando términos tenemos.
0 = 4 + 7,22𝑉𝑔𝑠 + 1,73𝑉𝑔𝑠 2
Resolviendo la ecuación cuadrática anterior obtenemos los valores de Vgs=-0.657[V]
Reemplazando en Id obtenemos:
1,596 − 𝑉𝐺𝑆 1,596 − (−0.66)
𝐼𝐷 = = = 1,13[𝑚𝐴]
2𝑘 2𝑘
Hallado los valores de 𝑉𝐺𝑆 e 𝐼𝐷 se continuará con el análisis para hallar el punto de
operación:
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷
𝑉𝐷 = 25 − 1,13𝑥10−3 (4,7𝑘)
𝑽𝑫 = 𝟏𝟗, 𝟕 [𝑽]
Como: 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝑰𝑫 = 𝟏, 𝟏𝟑[𝒎𝑨]
Para hallar Vs:
𝑉𝑆 = 𝐼𝑆 ∗ 𝑅𝑆
𝑉𝑆 = 1,13[𝑚𝐴] ∗ 2[𝑘Ω]
𝑽𝑺 = 𝟐, 𝟐𝟔[𝑽]
El voltaje 𝑉𝐺 lo calculamos mediante
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = −0.66 + 2.26
𝑽𝑮 = 𝟏, 𝟔 [𝑽]
 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆
𝑉𝐷𝑆 = 19,7 − 2.26
𝑽𝑫𝑺 = 𝟏𝟕, 𝟒𝟒 𝑽

Condición para que funcione como amplificador:

𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑝
17,44 [𝑉] ≥ 1,8 [𝑉]
Se cumple la condición, el circuito funciona como amplificador en la región de saturación.
Table II. Parámetros en los que está trabajando el transistor

𝑰𝑮 𝑰𝑫 𝑰𝑺 𝑽𝑮 𝑽𝑺 𝑽𝑫 𝑽𝑫𝑺
0 1,13mA 1,13mA 1,6 V 2.26V 19,7 V 17,44 V

4.4 Verifique los parámetros de corriente alterna del amplificador.

Para realizar los cálculos primero se tratará a hallar el factor de transconductancia de

transferencia directa (gm)

𝜕𝐼𝐷
𝑔𝑚 =
𝜕𝑉𝐺𝑆
Según la ecuación de Shockley tenemos:
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹
Derivando 𝐼𝐷 respecto a Vgs obtenemos:
𝜕 𝑉𝐺𝑆 2
𝑔𝑚 = [𝐼 (1 − ) ]
𝜕𝑉𝐺𝑆 𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹

2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = (1 − )
|𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 | 𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹

2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚𝑜 =
|𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 |

𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 (1 − )
𝑉 𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹

𝜕𝐼𝐷 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆

𝑔𝑚 = = (1 − )
𝜕𝑉𝐺𝑆 |𝑉𝐺𝑆 𝑂𝐹𝐹 | 𝑉𝐺𝑆 𝑂𝐹𝐹
 2(2,8 [𝑚𝐴]) −0,66
𝑔𝑚 = (1 − )
| − 1,8| −1.8

𝒈𝒎 = 𝟏, 𝟎𝟗 [𝒎𝑺]

Sabiendo 𝑌𝐷𝑆 (Admitancia de salida) es:

1
𝑟𝑑 =
𝑌𝐷𝑆

𝑌𝐷𝑆 ≈ 0[𝑚𝑆]

1
𝑟𝑑 = = ∞[𝑜ℎ𝑚𝑠]
0

Cálculo de ganancia de voltaje

Para encontrar la ganancia de voltaje partimos de la fórmula:

𝑣0
𝐴𝑣 =
𝑣𝑖𝑛

Analizando el modelo hibrido obtenemos:

𝑣0 = −𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

𝑣𝑖𝑛 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑆

Analizando en el nodo de drenaje

𝑖𝑑 = 𝑔𝑚. 𝑉𝐺𝑆 + 𝑖

Mediante la Ley de Ohm calculamos la corriente que pasara por 𝑟𝑑 obteniendo:

𝑉𝑟𝑑
𝑖=
𝑟𝑑

Reemplazando 𝑖 en la ecuación de 𝑖𝑑 obtenemos:

 𝑉𝑟𝑑
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 + (1)
𝑟𝑑

Analizando la malla de salida

𝑣0 = 𝑉𝑟𝑑 + 𝑖𝑠 . 𝑅𝑠

Pero se sabe que:

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆

𝑉𝑟𝑑 = 𝑣0 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 (2)

Reemplazando (2) en (1) tenemos:

𝑣0 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 + (3)
𝑟𝑑

Se reemplazará el valor de V0 hallado inicialmente la ecuación (3), obteniendo:

−𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 ) − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠

𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 +
𝑟𝑑

Seguidamente procedemos a despejar la variable id

𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 𝑅𝑠
𝑖𝑑 (1 + + ) = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆
𝑟𝑑 𝑟𝑑

Sabiendo que 𝑟𝑑 = ∞ se reemplazará obtenemos:

𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 𝑅𝑠
𝑖𝑑 (1 + + ) = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆
∞ ∞

𝑖𝑑 = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 (4)

Según la definición de ganancia 𝑣0 y 𝑣𝑖𝑛 tenemos:

−𝑖𝑑 (𝑅𝐷 ||𝑅𝐿 )

𝐴𝑣 = (5)
𝑉𝐺𝑆 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠

Reemplazando (4) en (5)

 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
−
(𝑅 ∥ 𝑅 ) 𝑅
(1 + 𝐷 𝑟 𝐿 + 𝑟 𝑠 )
𝑑 𝑑
𝑨𝑽 =
𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 𝑅𝑠
𝑣𝑔𝑠 +
(𝑅 ∥ 𝑅 ) 𝑅
(1 + 𝐷 𝑟 𝐿 + 𝑟 𝑠 )
𝑑 𝑑

𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
−
(𝑅 ∥ 𝑅 ) 𝑅
(1 + 𝐷 𝑟 𝐿 + 𝑟 𝑠 )
𝑑 𝑑
𝑨𝑽 =
(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ) 𝑅𝑠
(1 + + 𝑟 ) 𝑣𝑔𝑠 + 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 𝑅𝑠
𝑟𝑑 𝑑
(𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ) 𝑅𝑠
(1 + +𝑟 )
𝑟𝑑 𝑑

−𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝑨𝑽 =
(𝑅 ∥ 𝑅 ) 𝑅
(1 + 𝐷 𝑟 𝐿 + 𝑟 𝑠 ) + 𝑔𝑚 𝑅𝑠
𝑑 𝑑

Reemplazando la admitancia de salida tenemos:

−𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝑨𝑽 =
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑠

−1,09 𝑥10−3 (4,7𝑘 ∥ 56𝑘)

𝑨𝑽 =
1 + (1,09 𝑥10−3 )(2𝑘)
𝑨𝑽 = −1.489

Cálculo de impedancia de entrada

Por teoría sabemos que:

𝑣𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 =
𝑖𝑛
 (𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2 )𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛 =
𝑖𝑛

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺1 ||𝑅𝐺2

2,2𝑀 ∗ 150𝑘
𝑍𝑖𝑛 = = 148,98 [𝑘Ω]
2,2𝑀 + 150𝑘

Cálculo de ganancia de corriente

Por teoría se sabe que:

𝑖0
𝐴𝐼 =
𝑖𝑛

𝑣0
𝑅
𝐴𝐼 = 𝑣 𝐿
𝑖𝑛
𝑍𝑖𝑛

𝑣0 . 𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 =
𝑣𝑖𝑛 . 𝑅𝐿

𝑣
Sabiendo que 𝐴𝑣 = 𝑣 0 obtenemos:
𝑖𝑛

𝑍𝑖𝑛
𝐴𝐼 = 𝐴𝑣
𝑅𝐿

Reemplazando los datos obtenemos:

148,98[𝑘Ω]
𝐴𝐼 = 1,489 ( )
56[𝑘Ω]
𝑨𝑰 = 𝟑, 𝟗𝟔

Cálculo de impedancia de salida

𝑍𝑜 = 𝑅𝐷 ||𝑍0 ′
 𝑣𝑜
𝑍𝑜 = |
𝑖𝑜 𝑣
𝑖𝑛 =0

𝑣𝑜
𝑍0′ =
𝑖𝑑

Analizando la malla de entrada:

−𝑣𝑖𝑛 + 𝑉𝐺𝑆 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 = 0

Teniendo en cuenta que 𝑣𝑖𝑛 = 0

𝑉𝐺𝑆 = −𝑖𝑑 . 𝑅𝑠

Ahora analizando la malla de salida:

−𝑣𝑜 + 𝑉𝑟𝑑 + 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 = 0

𝑉𝑟𝑑 = 𝑣𝑜 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠

Ahora analizando en el nodo de salida tenemos:

𝑉𝑟𝑑
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 +
𝑟𝑑

Al reemplazar 𝑉𝑟𝑑 y 𝑉𝐺𝑆 , obtenemos:

𝑣𝑜 − 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚. 𝑉𝐺𝑆 +
𝑟𝑑
𝑣𝑜 𝑖𝑑 . 𝑅𝑠
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 (−𝑖𝑑 . 𝑅𝑠 ) + −
𝑟𝑑 𝑟𝑑
𝑅𝑆 𝑣𝑜
𝑖𝑑 (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑆 + )=
𝑟𝑑 𝑟𝑑
Donde despejamos la variable 𝑖𝑑 :
𝑅𝑆 𝑣𝑜
𝑟𝑑 (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑆 + )=
𝑟𝑑 𝑖𝑑
 𝑅𝑆
𝑍𝑜 ′ = 𝑟𝑑 (1 + 𝑔𝑚. 𝑅𝑆 + )
𝑟𝑑
Sabiendo que el 𝑟𝑑 = ∞ obtenemos:
𝑍𝑜 ′ = ∞

𝑍𝑜 = 𝑅𝐷

𝑍𝑜 = 4,7 [𝑘𝛺]

4.5 Intercambie los terminales D y S. Determine la ganancia de voltaje.

Al intercambiar los terminales entre el drenaje y la fuente obtenemos que no altera en
nada la ganancia de voltaje ya que este no depende de eso, y se sabe que el transistor JFET
de por si desde su diseño es simétrico.

Figure 7. Grafica de comparación y determinación de la ganancia de tensión para comprobar cambio de terminales

4.6 Realice el cuadro con los resultados obtenidos y compare con los calculados y
simulados.
Table III. Datos recolectados para el transistor en DC

𝑰𝑮 𝑰𝑫 𝑰𝑺 𝑽𝑮 𝑽𝑺 𝑽𝑫 𝑽𝑫𝑺
Calculado 0 1,13mA 1,13mA 1,6 V 2,26V 19,7 V 17,44 V
Simulado 0 1,13mA 1,13mA 1,6V 2,27V 19,7V 17,4V

Table IV. Datos recolectados para el transistor en AC

𝑨𝑽 𝑨𝑰 𝒁𝒊𝒏 𝒁𝑶
Calculado -1.489 3,96 148.13[kΩ] 4,7[kΩ]
Simulado -1.6 4 148,13[kΩ] 4,7[kΩ]

5. Simulaciones
Simulación en DC
Simulación de las corrientes en el transistor

Figure 8. Simulación de las corrientes del transistor

Simulación de los voltajes en el transistor

Figure 9. Simulación de los voltajes del transistor

Simulación en AC
Simulación de la Ganancia de voltaje
 Figure 10. Grafica de comparación y determinación de la ganancia de tensión

Simulación de la ganancia de corriente

Figure 11. simulación de la ganancia de corriente

6. Resultados obtenidos

Figure 12. Medida de laboratorio del voltaje VGS del transistor.

 Table V. Tabulación de Resultados obtenidos del transistor en DC.

𝑰𝑮 𝑰𝑫 𝑰𝑺 𝑽𝑮 𝑽𝑺 𝑽𝑫 𝑽𝑫𝑺 𝑽𝑮𝑺
Calculado 0 1,13mA 1,13mA 1,6 V 2,26V 19,7 V 17,44 V -0,6V
Simulado 0 1,13mA 1,13mA 1,6V 2,27V 19,7V 17,4V -0,6V
Medido 0 0,99mA 0,99mA 1,6V 1,9V 20,6V 18,7V -0,3V
Erro% 0 12 12 0 15 4,5 7,4 -

Table VI. Tabulación de Resultados obtenidos del transistor en AC.

𝑨𝑽 𝑨𝑰 𝒁𝒊𝒏 𝒁𝑶
Calculado -1.489 3,96 148.13[kΩ] 4,7[kΩ]
Simulado -1.6 4 148,13[kΩ] 4,7[kΩ]
Error% 7,4 1 0 0

7. Análisis de resultados
Realizando el respectivo análisis de resultados, observamos que las medidas de laboratorio y la
medidas teóricas son similares pero aun así existe un error considerable esto se debe al
funcionamiento del transistor JFET, ya que este es un poco mas complejo que el BJT estudiado
anteriormente y su curva de trabajo no es lineal, eso quiere decir que si alteramos una ínfima
parte de la alimentación el punto de operación cambia totalmente, con ellos podemos decir que
el error es justificable por ese motivo y que lo pudimos demostrar en esta práctica de laboratorio.
8. Conclusiones
• En esta practica se pudo comprender el funcionamiento del transistor JFET.
• También pudimos observar que el principio de no linealidad se cumple en el transistor
JFET y que por ende puede que en a practica al variar algo su punto de operación cambia.
• Se pudo observar que el Transistor JFET lo podemos trabajar como resistor, como
conmutador o como fuente de corriente que fue lo que hicimos en la práctica.
• Pudimos darnos cuenta de que la configuración del divisor de tensión para el transistor es
una de las mas estables ya que es muy difícil que varíen las corrientes y voltaje en la
práctica.
9. Recomendaciones
• Antes de realizar cualquier calculo pertinente al circuito planteado debemos consultar el
Datasheet del transistor, con ellos podemos obtener la corriente máxima del transistor y la
admitancia.
• Tomar muy en cuenta el valor de la admitancia del transistor ya que eso nos permitirá
encontrar la resistencia dinámica de este, la cual influye mucho en la impedancia de salida.
10. Bibliografía
[1] “Funcionamiento de los transistores,” Blogspot, 2013. [Online]. Available:
http://fucionamientodelostansistoresfet.blogspot.com/2013/10/transistores-fet-jfet-canal-n-
cuando.html. [Accessed: 10-Jul-2019].
[2] G. Pascual, “Comprobar transistores JFET con un TESTER,” Blogspot, 2014. [Online].
Available: http://deimoshackelectronica.blogspot.com/2014/10/comprobacion-de-
transistores-jfet.html. [Accessed: 10-Jul-2019].
[3] C. Mario, F. Miguel, G. Isael, and R. Jorge, “Determinación de parámetros del JFET,”
Matamoros, 2012.
[4] P. Angel, “TRANSISTOR FET,” Electrónica facil, 2014. [Online]. Available:
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.html. [Accessed: 10-Jul-
2019].

11. Anexos