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Universidad Nacional De Colombia

Laboratorio de
Facultad De Ingenierı́a
Electrónica Análoga II
Departamento De Ingenierı́a Eléctrica Y Electrónica
2010-II

Figura 1: Arreglo de transistores NPN de Silicio.

Profesores
José Demetrio
Guı́a de Laboratorio No. 2
Martı́nez M. Espejo de Corriente simple con BJT
Nelson Dı́az
Amplificador con carga Activa

1. DESCRIPCIÓN
Para las sesiones del 17 y 24 de Agosto.

2. OBJETIVO
Utilizar circuitos integrados con elementos apareados en sus parámetros para la implementación de fuentes
de corriente basadas en transistores bipolares y evaluar una de sus posibles aplicaciones.

3. Espejo de Corriente Simple con BJT


Para la implementación de espejos de corriente se requiere que los dispositivos empleados estén bien aparea-
dos en cuanto a sus caracterı́sticas eléctricas y térmicas. Para lograr esto con relativa facilidad, lo más práctico
es utilizar dispositivos que hayan sido fabricados dentro del mismo substrato de silicio y cuyos procesos de
fabricación, ası́ como geometrı́as, sean similares.
Para nuestra práctica de los espejos de corriente con transistores bipolares de unión (BJT), podemos utilizar
el circuito integrado LM3046 o LM3086, que es un arreglo de transistores de propósito general NPN, producido
por varios fabricantes como Intersil y National Semiconductors, y fácilmente disponible en el mercado local,
además de económico. Se pide a los estudiantes bajar la hoja de datos por Internet, en donde se encuentra en
formato PDF.
El circuito cuya disposición de patillas e interconexiones se muestra en la figura 1, consiste en cinco (5)
transistores de silicio NPN de propósito general, fabricados sobre un substrato monolı́tico común. Dos de los
transistores están internamente conectados por sus emisores, y los otros tres, están separados.

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Figura 2: Espejo de Corriente Simple con BJT.

El substrato del circuito integrado corresponde en las referencias citadas al terminal 13, el cual deberá co-
nectarse al punto más negativo en el circuito externo, para garantizar el aislamiento entre transistores y
permitir la acción normal de los mismos. Los transistores del integrado son adecuados para una amplia va-
riedad de aplicaciones de señal (baja potencia), que van desde DC hasta el rango de VHF. Pueden utilizarse
como transistores discretos en circuitos convencionales, pero además de eso, proporcionan las ventajas de un
apareamiento eléctrico y térmico muy estrecho, inherentes a los circuitos integrados.
La topologı́a de un espejo simple de corriente con transistores BJT, se muestra en la figura 2(1). Los
transistores empleados aquı́, que son NPN, están conectados por sus emisores, los cuáles se conectan al potencial
mas bajo (aquı́ tierra, pero podrı́a ser negativo). Observen que el transistor Q1 está conectado como un diodo
(base con colector), y que por el mismo pasa la corriente de la fuente IRef . La teorı́a nos enseña que, de manera
estricta, si Vbe1 = Vbe2 y si β1 = β2 = β, se debe cumplir que:

β
I0 = IRef (1)
β+2
Si el β de los transistores empleados es grande, entonces podemos decir que I0 ∼ = IRef . Ahora bién, IRef
puede ser una fuente de corriente externa; o como nos muestra la figura 2(2), una simple resistencia conectada
entre el colector de Q1 y el voltaje VCC con la cual se -programa- la corriente de referencia. Aquı́ montaremos
esa segunda versión. La carga, que en un circuito integrado puede ser un transistor o un amplificador diferencial,
aquı́ será una resistencia RL intercalada entre la alimentación y el colector del transistor Q2. El montaje se
denomina -espejo de corriente-, porque la corriente que pasa por Q1, se refleja en Q2, como si este último fuera
un espejo. Al transistor Q1 se le denomina transistor de referencia, y a Q2, transistor espejo. Observen que el
transistor Q1 siempre estará en su región activa, mientras que el transistor Q2 requiere para el funcionamiento
correcto del espejo, que la carga no lo lleve a saturación, tal como ocurrı́a con la fuente de corriente discreta
vista en la práctica anterior.

4. Prelaboratorio:
1. Con anterioridad a la sesión de laboratorio deben diseñar el espejo de corriente que se muestra en la figura
3, utilizando los transistores Q1 y Q2 del circuito integrado, cuyos terminales están indicados en la misma.
No olviden conectar el terminal 13 del integrado al potencial más negativo, que en este montaje es tierra.
Observen que hemos utilizado un voltaje V CC = +12 Volts, menor (en valor absoluto) que el de la fuente
discreta de la sección anterior. La corriente de salida del espejo la hemos fijado, como allı́, en 2mA. El
diseño en este caso consiste esencialmente en calcular el valor requerido de la Resistencia de programación

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Figura 3: Datos de Diseño del Espejo de Corriente con BJT.

de la corriente de referencia R, teniendo en cuenta el β (o hFE) de los transistores del integrado y su


VBE , para lo cual utilizarán la información de la hoja de datos. El valor de R obtenido, se normalizará al
valor más cercano dentro del seriado E-24 al 5 %, pero igualmente se medirá. Seguramente la corriente de
salida no será exactamente 2mA debido a la normalización. Todos los cálculos y aproximaciones deben
quedar consignados en su bitácora de laboratorio.
A continuación proceden a determinar el valor máximo de la resistencia de carga RL, para lo cual
requieren conocer el valor del voltaje de saturación VCEsat de los transistores del integrado. Si no pueden
obtener esa información, hagan un estimativo razonable por comparación con un transistor discreto de
señal, cuya información conozcan mejor.
Lleven al laboratorio seis o siete resistencias normalizadas comprendidas entre 100 hasta llegar a un valor
superior al máximo del RL, que de acuerdo a sus cálculos llevarı́a al transistor Q2 a saturación. Mı́danlas
cuidadosamente y anoten esos valores.
Monten el circuito en el protoboard previendo puntos de medida para los voltajes de alimentación,
colector y base del transistor, y de tal manera, que se pueda cambiar fácilmente la resistencia de carga
RL. Conecten en el laboratorio la fuente de +12 Volts, y usando la resistencia de carga de menor valor,
tomen con el multı́metro digital las lecturas de los voltajes mencionados, ası́ como del de alimentación.
Repitan las medidas con las demás resistencias de carga en orden creciente, hasta llegar a la más alta,
que de acuerdo a sus cálculos llevarı́a al transistor a saturación. Anoten todas las lecturas, ası́ como los
valores reales de las resistencias utilizadas cada vez.

2. Diseñe un Amplificador Emisor Común como el que se muestra en la figura 4. Para el amplificador se
requiere: Avt = −400 y que la corriente corriente que debe manejar el colector es de 1mA.

5. Cálculos:
Con base en sus medidas, construyan una gráfi ca de la corriente de salida dela fuente en función de la
resistencia de carga. Utilicen papel semilogarı́tmico y péguenla en su bitácora. Ahora construyan una gráfica
del voltaje entre colector y emisor VCE de Q2en función de la resistencia de carga utilizada. Utilicen papel
semilogarı́tmico.
¿Qué conclusión pueden sacar de la misma? ¿Que tanta exactitud, de acuerdo con sus medidas, tuvo el
cálculo de la máxima resistencia de carga que podrı́a alimentar este espejo de corriente sin que cambiaran
los 2mA aproximados que esperamos del mismo? ¿Para qué valor de la resistencia de carga se hace máxima

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Figura 4: Amplificador con carga activa.

la disipación de potencia del transistor Q2? Justi quen su respuesta y calculen el valor de dicha potencia.
¿Porqué razón el transistor Q1 no puede entrar en saturación en la fuente de corriente?.
Del Amplificador:
¿Cuales son las principales ventajas de usar carga activa en un amplificador con respecto a una carga
pasiva?.