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ALUMNOS:
MAZA, GAMBARTE LUIS FERNANO – LEGAJO 45933
RODRIGUEZ, CRISTIAN FERNANDO – LEGAJO 45939
PROFESORES:
ING. JAIME FEMENIAS
ING. PEDRO HERRERA
FECHA: 10/05/2021
UniversidadTecnológicaNacional -FacultadRegionalTucumán
Carrera:IngenieríaElectrónica Asignatura:ElectrónicaAplicadaIII
1.-Alcance:
Diseñar un Oscilador Clapp para generar unas eñals enoidal de 10.5MHz.
Datosdediseño:
Vcc=12vcc Fo=10.5MHz
Vo=1VRMS Po=1mW(conCarga)
4.-Duración
4.1.- 5horas
CÁLCULOS
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R L=1 [ K Ω ]
La corriente será:
I L=
√ Po 0,001
=
R L 1000
=1 [ mA ] → I CQ =2∗I L =2[mA ]
I CQ =2 [ mA ] ≈ I E
Esta es la corriente de emisor que debe entregar el transistor para lograr que a la carga
se le entregue la potencia de 1[mW].
Ahora sacamos la impedancia vista desde del emisor que será:
R E . R L 1000000
ZE= = =500[Ω]
RE+ RL 2000
Para el caso de BC548C con variación de ∆ β esta entre 420 y 800, calculamos S M
máximo, suponiendo un ± 0,05 de variación de I CQ y considerando I CQ =I E:
∆ I CQ ( 2,1 [ mA ] −1,9 [ mA ] )
∗β min∗βm á x ∗420∗800
I CQmin 1,9 [ mA ]
SM= = =93,07
∆β 800−420
S=
( ) RB
( 1+ β m á x )∗ 1+ R
6
R
1+ β m á x + B
R6
R6∗(1+ β m á x )∗(S−1)
R B= =104174,24 [ Ω ] =104 [ k Ω ]
1+ β m á x −S
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De esta forma obtengo I B:
I CM 2,1[mA ]
I B= = =2,625 [ µ A ]
βmá x 800
Calculamos V B:
V B=I B∗R B +V BE +(I ¿ ¿ CQ+ I B )∗Z E ¿
1
C 4= =1,51[ nf ]→ C 4=2[nf ]
2 π f o∗0,1∗Z i
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Donde
R6∗R L
re= =0,5 [k Ω ]
R6 + R L
Zin(ETAPA )=11284,17[ Ω]
Esta impedancia Zin(ETAPA ) será la carga que ve la salida de la etapa 1, como sabemos
que en la salida del colector de Q1 tengo 4,6 V debido a que restamos la tensión del
diodo Zener que es de 6V menos la tensión en la salida que es 1.4V
V c =Vz−Vsal=4,1[V ]
Vc
I (ETAPA )= =0,407[m A ]
Zin(ETAPA )
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Como podemos ver, esta configuración nos permite mantener la ganancia de tensión
de la etapa del oscilador y a la vez aumentar la ganancia de corriente, por lo que
incrementamos la potencia suministrada a la Carga RL.
Esta etapa es usada para realizar un acople de impedancias entre las distintas etapas.
Algo muy importante que destacar de esta configuración es que la impedancia de
entrada depende de la carga RL.
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR (ETAPA 1):
Esta corriente circulara por Q1 pero al doble debido a la bobina de choque entonces
I CQ =2 I (ETAPA) =0,814 [m A ]
V C =Vz−Vzin=4,6[V ]
Por lo que
V R 3=V C −V CE ( SAT )=4[V ]
Obtengo el valor de la R3
V R3
R3= =4914 [Ω ]
I CQ
I CQmin=Ic−0,05∗Ic=0,773 [m A ]
Ahora calculamos S:
∆ I CQ 0,082[m A ]
∗β min∗βm á x ∗420∗800
I CQmin 0,773[m A ]
SM= = =93,79
∆β 800−420
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I C 0,814 [mA ]
I B= = =1,628 [ µ A ]
β 500
Cálculo de la resistencia de base:
R3∗(1+ β m á x )∗(S−1)
R B= =516440,6[ Ω]
1+ β m á x −S
V B=0,84 [ V ] +0,7 [ V ] +4 [V ]
Vb=¿5,54[V]
Zi =RB ∨¿ hie=1[ K Ω]
1
C ¿= =151,57 [ pf ]→C ¿ =150[ pf ]
2 π f o∗0,1∗Zi
CALCULO DE RFC1:
La bobina de choque RFC 1 se coloca para que la señal tenga una óptima excursión y
para evitar que la señal de RF vaya al colector del transistor.
Como ya conocemos la corriente que pasa por el colector y la tensión aplicada en el
mismo, calculamos la reactancia inductiva asociada a la bobina para que de esa forma
encontremos el valor adecuado de L:
Vc 4,6 [V ]
Xl= = =5651,105[Ω ]
Icq 0,814 [m A]
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Por lo tanto:
Xl
L= =85,66 ¿
W
El capacitor C5 será por sus características de 100[µF], el cual sirve para protección
junto a la bobina.
CALCULOS DE DIODO ZENER:
Esto requiere tomar en cuenta dos datos; el correcto encendido del diodo y el valor de
su corriente de funcionamiento, que debe ser menor que la máxima soportada. La
carga conectada al regulador es una aproximación de la suma total de las resistencias
de polarización de base de los transistores del oscilador (O) y el seguidor (S). Luego se
prosigue con el cálculo de la máxima corriente soportada por el diodo y la verificación
de que la resistencia drenaje permita que esta no sea sobrepasada de manera
peligrosa. Al conocer los voltajes de alimentación del circuito incluidos los voltajes
zener del diodo y su potencia (1/2[W]), se procede como sigue:
El diodo Zener que usaremos es el SGS-THOMSON BZX83C6V0:
V z=6 [V ]
P z=500[mW ]
Pz
I zMAX = =83,3 [mA ]
Vz
RL=
[ R 1 ( o )+ R 2 ( o ) ]∗[ R 4 ( s )+ R 5( s)] =¿
542952,522[Ω]
R 1 ( o ) + R 2(o)+ R 4 ( s )+ R 5(s)
Vcc−Vz Vz
Iz= − =¿ 60 [mA]
100 Rl
Por lo que según lo calculado la resistencia de drenaje será de R7=100[ohm],
proporcionando una corriente máxima de trabajo para el diodo de 60[mA], valor
suficientemente alejado de los 83,33[mA] que podrían destruirlo.
CIRCUITO DE REALIMENTACIÓN (CIRCUITO TANQUE):
C 2=50[nF ]
C 3=30[ pF]
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Así procedemos a sacar la C eq:
1 1 1 1
= + +
Ceq C 1 C2 C 3
1
C eq= =29,96 [ pF ]
3,33733. 1010
f o 2=10 M h z
1
C eq 2= 2 2
=33,06 [ pF ]
4 π f o2 L
2
C eq C1
C 3= 2
C 1−2 C eq C1
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Realizando el calculo con los valores de C eq 1 y C eq2, el C 3 tendrá que variar entre:
C 31=27,36 [ pF ] cuando la frecuencia sea f o 1=11 M h z
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