Aplicaciones de los FinFET

No olvidemos que no deja de ser un transistor, simplemente con nueva tecnología más o menos
rápida, con lo que sus aplicaciones son exactamente las mismas que las de otros compatriotas
electrónicos.

Así, cuando una tecnologia como la FinFET aparece, desbanca en gran parte a tecnologías más
antiguas (MOSFET estándar por ejemplo), igual que la misma probablemente terminaría
desapareciendo con las Nanosheet o Nanowire.

Lo único que puede hacer que más de una tecnología sobrevivan es la variación del precio de
fabricación de una, o alguna otra prestación en particular en la que destaque sobradamente
(velocidad de conmutación, energía consumida…)

Fig,. 13:
FinFET vs MOSFET

En la figura 13, se ve como a una misma tensión Drenador-Fuente, la corriente por el canal es muy
superior en un FinFET. Además, su uso optimización de energía es un 150% mejor y su velocidad
un 30% más alta.

A los FinFET actualmente los podemos encontrar en memorias SSD/Flash,

memorias RAM/DDRAM, y muchos microprocesadores (prácticamente todos los Intel desde
2012), entre otros.

Ya para terminar, dejamos el álbum de familia de la primera generación de Intel que incorporaba
los FinFET en sus microprocesadores: la famosa familia Ivy Bridge con tecnología de 22nm.
 Fig. 14: Evolución
de las arquitecturas Intel. A la derecha,
la famosa Ivy Bridge

A medida que los transistores siguen haciéndose más pequeños, solucionar el problema de cómo
mantener la misma superficie para una puerta en un transistor menguante se hace cada vez más
urgente. Aquí es donde entra GAAFET, la siguiente evolución en la forma de hacer transistores que
permite solucionar esta problemática.

Hasta hace unso 6 años, los transistores eran lo que se llamaba Planares. No existía todavía una
forma de construcción tridimensional que dotase a la puerta del transistor de más superficie para
controlar el canal. Hasta ese momento, los transistores eran lo suficientemente grandes como
para que problemas derivados de tener una puerta demasiado pequeña con respecto al canal no
fuesen importantes. La puerta seguía teniendo superficie suficiente como para que las fugas no
fuesen importantes.

Los procesos de fabricación siguieron avanzando. Los transistores seguían haciéndose cada vez
más pequeños y con ellos, la puerta del propio transistor también se hacía más pequeña – y
menos efectiva. Hubo que saltar entonces a FinFET. Los transistores dejaban de ser «planos» para
empezar a tener una estructura tridimensional formada por el canal y la puerta rodeaba por tres
de sus lados ese canal. Con esto, aún reduciendo el tamaño general del transistor, podías seguir
manteniendo e incluso aumentando la superficie de la puerta con respecto al canal. Las fugas y
otros problemas derivados de tener una puerta demasiado pequeña volvían a estar bajo control.
Pero esta tecnología también tiene sus límites. Cuando ya empezamos a hablar de procesos de
fabricación de 3nm o incluso menos, volvemos a tener un problema similar al inicial con los
transistores Planares. FinFET deja de ser suficiente para proporcionar una superficie grande con
respecto a la puerta que pueda permitir seguir controlando fugas en el transistor. La solución, ir un
paso más allá y pasar de un transistor con una puerta que rodea tres lados del canal a un transistor
que es capaz de tener una puerta que rodea por completo el canal. Como si el canal fuese un
cilindro y la puerta fuese un tubo alrededor del cilindro. Son los transistores GAAFET o Gate-all-
around FET.

Tran
sistor GAAFET

Samsung ha anunciado que empezará a utilizar este tipo de puertas lógicas con su proceso de
fabricación de 3nm. Inicialmente estaba planeado para 2021, pero recientemente Samsung ha
anunciado una serie de problemas derivados de la crisis del coronavirus que va a retrasar todo
esto fácilmente un año. Otros fabricantes de semiconductores como Intel o TSMC todavía no se
han pronunciado pero es de esperar que tarde o temprano hagan sus respectivos anuncios sobre
esta tecnología.

Estando los transistores GAAFET aún en fase de pruebas, todavía no podemos hablar de
rendimiento ni mejoras de eficiencia. En notas de prensa, Samsung estima que mejoran en un 50%
el consumo o un 35% el rendimiento a igual consumo frente a un también inexistente proceso de
5nm FinFET. Aunque si miramos al pasado y vemos el salto de Planares a FinFET, podríamos decir
que este nuevo salto también promete y que es probable que los datos que proporciona Samsung
sean bastante cercanos a la realidad. Esperemos que no haya muchos más retrasos para Samsung
y que otros como Intel puedan despegarse de sus eternos 14nm.

Rehuyendo de las explicaciones técnicas, ¿en qué se va a usar esta tecnología? Samsung quiere
centrar esta tecnología de semiconductores para aplicaciones de bajo consumo, como para las que
sean de alto rendimiento. Entre todas ellas, las aplicaciones principales son:

Conducción autónoma.

5G.

Inteligencia artificial.

Superordenadores (HPC).

Samsung empezará a ofrecer la primera generación de proceso 3nm usando MBCFETs, que
recibirá la denominación de «proceso 3GAE». Las promesas del fabricante coreano van desde
voltajes de 0.75 a 0.70V, pero, en su presentación quiso compararlo con el proceso de 7nm:

Su rendimiento será x 1.35 superior.

La potencia se aumentará x 0.5, y;

El área de matriz se aumentará 0.65 veces.