CURSO DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

Profesor :
Ing. Juan F. Tisza Contreras
 ING. JUAN F. TISZA C. MARZO-2013
DESCUBRIMIENTO DE LOS SEMICONDUCTORES Y PRIMERAS APLICACIONES
1782 A. Volta Introduce la palabra “semiconductor”
1833 M. Faraday Descubre que la conductividad de algunos materiales aumenta con T
1874 F. Braun Primer diodo de vacío

1897 J.J. Thomson Descubrimiento del electrón

Descubre que la corriente eléctrica en los metales es debida al movimiento de los
1901 V. E. Riecke
electrones

1903 J. Koenigsberg Postula que la resistividad de los semiconductores depende de T

Propone una teoría de bandas del sólido y el concepto de impurezas donadoras y

1931 A. Wilson
aceptoras.

1931 W. Heisenberg Concepto de hueco como quasi-partícula de carga positiva

1936 Bell T. Laboratories

Programa de búsqueda para sustituir los conmutadores electromecánicos con otros
basados en semiconductores.

1939 Shockley: dispositivo amplificador basado en semiconductores

1940 Primer fotodiodo basado en la unión p/n de silicio

1947 Invención del transistor ( Bardeen, Brattain, Shockley )
1948 Primera radio de transistor
Western Electric: primer transistor comercial (amplificador para auriculares para
1951
sordos)

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1956 Bardeen, Brattain e Shockley reciben el premio Nobel por la descubrimiento del transistor.

1956 …………………………………………………………
1956
………………..
1956

1956

¡Completar este
desarrollo de la evolución de los
circuitos electrónicos e integrados !!!!
( buscar en internet)
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MATERIALES SEMICONDUCTORES
 Diferencias conductor – semiconductor
 Semiconductores. Conducción intrínseca y extrínseca
 Modelo de bandas de energía
 Ley de acción de masas
 Ley de la neutralidad eléctrica
 Corrientes de desplazamiento
 Corrientes de difusión

MARZO-2013 Más
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DIFERENCIAS CONDUCTOR –
SEMICONDUCTOR
Influencia de la temperatura en la
resistencia
108 (m)-1 106 (m)-1
s s

Cu Ge

T T

Efecto Hall
Fotoresistencia
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ESTRUCTURA DE UN METAL

+ +
+ + +
+ +
+ + +
+ +
+ ++ +
+ + +
+ + +
+ + +
+ +
+ + + + +
+ +
+ + +
+ +
+ + +
+
+ +

1029 e- libres/m3

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ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR

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VARIACIÓN DE LA CONDUCTIVIDAD POR

ILUMINACIÓN

Fotoconductividad del Ge
luz

A
Frecuencia radiación
Energía de los fotones

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SEMICONDUCTORES. CONDUCCIÓN
INTRÍNSECA
r A 300 K: 1e– cada 109
E átomos, 1019 e–/m3

Concentración de e-: (n)

Ge Concentración de h : (p)

n=p

T
=0K
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SEMICONDUCTORES. CONDUCCIÓN
EXTRÍNSECA
tipo N
r tipo P
E

e– poco ligado
(0.03 -0.1 eV)
A
Ga
s
e– ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)

Átomo donador P,As,Sb: (ND) Átomo aceptor B,Al,Ga,In: (NA)

Portadores mayoritarios: n  1022/m3 Portadores mayoritarios: p  1022/m3
Portadores minoritarios: p  1016/m3 Portadores minoritarios: n  1016/m3
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DONADORES Y ACEPTORES PARA EL

SILICIO
1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

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DONADORES Y ACEPTORES PARA EL

GERMANIO
1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

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ESTRUCTURA ELECTRÓNICA
6Carbono: 1s2 2s2 2p2
Hidrógeno
aislante
p + +6

Estados o niveles de
14Silicio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
energía permitidos
ENERGÍA DEL e-

32Germanio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p2

semiconductores

50Estaño: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p64d105s25p2

conductor
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MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA

E
Niveles ocupados
BANDA Niveles vacíos
DE
CONDUCCIÓN

2p²
BANDA
PROHIBIDA
2s²
BANDA
DE
VALENCIA

Diamante Grafito Átomos aislados

X3 X2 X1 d
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MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA

(CONTINUACIÓN)

BC BC BC

Eg = 10 eV Eg = 1 eV

BV BV BV

Aislante Semiconductor Conductor

Eg(Si) = 1,12 eV
T = 300 K
Eg(Ge) = 0,66 eV
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MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA.

CONDUCCIÓN INTRÍNSECA

E
Banda de conducción

T=0K Eg Banda prohibida T>0K

Banda de valencia

Eg (Ge)  0,7 eV n = p = ni
Eg (Si)  1,1 eV

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MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA.

CONDUCCIÓN EXTRÍNSECA (TIPO N)

Ión de
E Nivel donante impureza
donante
0.01 eV

T=0K T>0K

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MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA.

CONDUCCIÓN EXTRÍNSECA (TIPO P)

Nivel aceptor

0,01 eV

T=0K Huecos en la BV T>0K Ión de

impureza
aceptora
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LEY DE ACCIÓN DE MASAS

n·p = ni2

n: número de electrones por unidad de volumen

p: número de huecos por unidad de volumen
ni: concentración intrínseca

ni(Ge, 300 K) = 2,4·1019 port./m3

ni(Si, 300 K) = 1,5·1016 port./m3

3 Eg

ni  f ( t )  AT 2 e 2kT
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LEY DE LA NEUTRALIDAD ELÉCTRICA

 NA + n = ND + p

 Intrínseco  NA = ND = 0  p = n = ni

 Tipo n  NA = 0; n  NpD 
ni2
ND

ni2
 Tipo p  ND = 0; p  Nn A 
NA
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CONCENTRACIONES DE PORTADORES

P
N

Iones de impureza aceptora INMÓVIL Iones de impureza dadora

Hueco dejado por electrón MÓVIL
Electrón térmico MÓVIL
Hueco térmico MÓVIL
NA + n = p ; p >>>>> n; NA  p
INMÓVIL
Electrón liberado por dador MÓVIL
Electrón térmico MÓVIL
Hueco térmico MÓVIL
ND + p = n ; n >>>>> p; ND  n

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PROPIEDADES DEL GERMANIO Y EL
SILICIO ( CAMBIAR DE SISTEMA MKS A SISTEMA CGS) Ge Si
Número atómico 32 14
Masa atómica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atómico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrónica [Ar]4s23d104p2 [Ne]3s23p2
Densidad kg/m3 5323 2330
Temperatura de fusión 937,4 ºC 1410 ºC
Calor específico J/kg·ºC 309 677
Concentración atómica at/m 3 4,42·1028 4,96·1028
Concentración intrínseca (300 K) 2,36·1019 m-3 1,5·1016 m-3
Constante A m-3·K-3/2 1,91·1021 4,92·1021
Anchura banda prohibida (300 K) 0,67 eV 1,1 eV
Movilidad electrones (300 K) 0,39 m2/Vs 0,135 m2/Vs
Movilidad huecos (300 K) 0,182 m2/Vs 0,05 m2/Vs
Resistividad intrínseca (300 K) 0,47 m 2300 m
Difusividad electrones 10,1·10-3 m2/s 3,5·10-3 m2/s
Difusividad huecos 4,9·10-3 m2/s 1,3·10-3 m2/s
Permitividad eléctrica 15,7 12
Masa efectiva electrones 0,5 m0 1,1 m0
Masa efectiva huecos 0,37 m0 0,59 m0
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 ING. JUAN F. TISZA C. MARZO-2013

CONDUCTIVIDAD DE SEMICONDUCTORES
30

25

Conductividad (S/m)
A poca temperatura, 20
las impurezas se ionizan Ge
rápidamente. 15
Los portadores procedentes de las
Semiconductor extrínseco10
impurezas, ya ionizadas, no
ND=1020 m-3 5 aumentan sensiblemente.
Conductividad (S/m)

2 0
250 270 290 310 330 350 370
T (K)
ND=5∙1019 m-3
1
A temperaturas altas, la
Si puro conducción intrínseca se
0 hace significativa.
0 100 200 300 400 500
T (K) 26
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CORRIENTES DE DESPLAZAMIENTO
r
r r
r Eext r
vn = -nE vp = pE

r r
Jn Jp
r r r r r r r
Jn  nqv n  n( qe )( nE)  nqenE Jp  pqv p  pqepE

J = Jp + Jn = qe(nn + pp)E =
sE
MARZO-2013 s = qe(nn + pp)
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CORRIENTES DE DESPLAZAMIENTO EN SC

Intrínsecos Extrínsecos

n n >> p
p = n = ni
s  qnn
s = qe(nn + pp)

s = qeni(n + p)
p >> n
p s  qpp

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 ING. JUAN F. TISZA C.

r
CORRIENTES DE DIFUSIÓN

n = 0 dn
n  
Ley de Ohm
r dx r
J = -sV
Ley de Fick Jdif = -qDn
Dn Difusividad de electrones (Dn Si = 3,5·10-3
m2/s)
Dp Difusividad de huecos (Dp Si = 1,31·10-3 m2/s)
Dn Dp kT
Relación de Einstein:    VT
n p q
k (Constante de Boltzmann) = 1,38·10-23 JK-1 VT(300 K) = 25,85 mV
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CORRIENTES DE DIFUSIÓN (CONTINUACIÓN)

n p
r r
Jn Jp

N P

r r
Jn = qeDnn Jp = -qeDpp

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VARIACIÓN DE POTENCIAL EN UN SEMICONDUCTOR CON DOPADO NO

UNIFORME Y CON LA PRESENCIA DE UN CAMPO ELECTRICO EXTERNO

p(x1) p(x2)
r
E
p = p(x)

x1 x2

0 x
en circuito abierto  Jdif + Jdesp = 0
r r
dp
 qDp  pp qE  0
dx
kT
Relación de Einstein: Dp  p  VT p
q
MARZO-2013 sigue
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 ING. JUAN F. TISZA C.

VARIACIÓN DE POTENCIAL EN UN
SEMICONDUCTOR CON DOPADO NO
UNIFORME (CONTINUACIÓN)
dp VT(300 K) = 25.85 mV
VT  Edx  dV
p
V2  V1
p1
p V2 - V1  VT ln p1  p 2e VT
p2
V2  V1

n1
n V2 - V1   VT ln n1  n2e VT
n2

Ejemplo: p1 = 1016 huecos/m3; p2 = 1022 huecos/m3

MARZO-2013
Tema siguiente
32
 ING. JUAN F. TISZA C. MARZO-2013

CONTINUARÁ…………..

33
 ING. JUAN F. TISZA C.

EFECTO HALL EN LOS SEMICONDUCTORES

En conductores
VH

va
F J

En semiconductores: silicio dopado con galio

-VH

 va
F J

B
MARZO-2013
34