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República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa

Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada Nacional

Bolivariana (UNEFA)

Núcleo Carabobo – Extensión Guacara

Transistores
Profesor: Alumno:

Ing. Julio C. Ruiz C. Joanna. E. Goncalvez. S

V-27.445.561.

Guacara, Marzo 2020.

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TABLA DE CONTENIDO

Resumen ...................................................................................................................................................... 3

Transistor ...................................................................................................................................................... 5

Transistor NPN y PNP .................................................................................................................................... 7

Estructura Física ............................................................................................................................................ 7

Función……………………………………………………………………………………………………………………………………………………9

Flujo de Carga ............................................................................................................................................... 9

Aplicaciones del Transistor ......................................................................................................................... 11

Ecuaciones Básicas ...................................................................................................................................... 11

Características del BJT................................................................................................................................. 12

Voltaje, Corriente y Control de Carga ......................................................................................................... 14

Efectos de la Temperatura ......…................................... ..………………………………………………………………………14

CONCLUSIÓN............................................................................................................................................... 18

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS ................................................................................................................... 19

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TRANSISTORES

Resumen

En el año 1956 el premio Nobel de física fue compartido por tres grandes científicos: William Bradford

Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain por el que es considerado como el mayor desarrollo

tecnológico del siglo XX: el transistor. La historia de cómo se inició la carrera por la miniaturización de

los dispositivos tecnológicos que aún no ha terminado en nuestros días me parece fascinante.

En 1906 el inventor Lee De Forest desarrolló un tríodo en un tubo de vacío. ¿Qué significado tuvo?

Colocando este invento a lo largo de la línea telefónica se podía amplificar la señal lo suficiente como

para poder hacer llamadas a larga distancia. El tríodo está compuesto de tres partes: un cátodo que

emite electrones, un ánodo que los capta y una rejilla situada entre los dos a la que se puede aplicar

tensión. Variando ligeramente la tensión de la rejilla podemos variar enormemente el flujo de

electrones entre el cátodo y el ánodo, en esto consiste la amplificación de la señal eléctrica en la que se

ha traducido la señal sonora.

Además podía utilizarse como rectificador (para convertir corriente alterna en continua) y como una

puerta que permitiese pasar la corriente o no (on-off), la base de la electrónica y computación posterior.

Es más, uno de los limitantes en las primeras computadoras era la gran cantidad de tríodos que

necesitaban. Pero lo que no se les puede negar es que revolucionaron su época al permitir amplificar

las señales de radio dando un impulso a este medio de comunicación que le llevó a ser el más

importante durante la primera mitad del siglo XX.

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AT&T rápidamente compró la patente y mejoró el tubo. Pero surgió un problema. Los tubos de vacío

producían mucho calor, necesitaban mucha energía y debían ser reemplazados continuamente. Era

necesario otro método para amplificar la señal. Buscando respuestas la compañía creó en 1926 un

centro de investigación conocido como Laboratorios Telefónicos Bell (Bell Labs), responsable de

descubrimientos tan importantes como el lenguaje de programación C, la astronomía radial, el sistema

operativo Unix, y lo que nos atañe, el transistor.

Después de finalizada la Segunda Guerra Mundial el director del laboratorio Mervin Kelly buscó un

grupo de científicos que dieran con la solución a los problemas que causaba el tubo de vacío y tenía algo

en mente para reemplazarlo: los semiconductores. ¿Qué es un semiconductor? Un elemento que en

determinadas condiciones puede conducir la electricidad (por ejemplo, a una temperatura alta), pero si

cambiamos esas condiciones deja de permitir el paso de electrones. Los más importantes son el silicio

(Si) y el germanio (Ge).

El director del nuevo equipo de investigadores fue William Shockley, un visionario capaz de ver la

importancia de los transistores antes que nadie, Walter Brattain, un físico experimental capaz de

construir y reparar prácticamente cualquier cosa y John Bardeen, capaz de ir más allá en la comprensión

de los fenómenos aparentemente complejos y exponerlos de la manera más sencilla posible. Tres

personajes con una marcada personalidad, lo que les llevaría a alguna que otra confrontación, lo que se

manifestó a la hora de repartirse los méritos.

En 1947, durante el conocido como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23 de diciembre

realizaron infinidad de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar a conseguir su objetivo: el

primer transistor de contacto puntual, hecho con dos púas de metal (oro) que se presionan sobre la

superficie de material semiconductor (germanio) en posiciones muy próximas entre sí.

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TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material

tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se

llama transistor npn y el segundo transistor pnp.

Figura 1. Simbología.

Figura 2. Corrientes.
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Figura 3. Tensiones.

Los transistores pueden ser bipolares o de efecto campo.

Cada una de las tres capas se conecta con el exterior mediante un electrodo; por tanto, un

transistor bipolar tiene tres electrodos: el emisor, el colector y la base.

Cuando está conectado correctamente, el transistor no deja pasar la corriente entre el colector y

el emisor, pero permite que pase entre la base y el colector o entre la base y el emisor.

Figura 4. Transistor MC140.

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TRANSISTORES NPN Y PNP

En cada transistor es importante saber dónde están situados los electrodos, para poder

conectarlos de forma correcta. Para que el transistor funcione bien, la unión base-emisor debe estar

polarizada directamente y la unión base-colector debe estar polarizada inversamente.

Básicamente, hay dos tipos de transistores bipolares, que se conectan de diferente manera:

• Transistores NPN. Como su nombre indica, están formados por la unión de dos semiconductores

N en los extremos con un semiconductor P en el centro. Se conectan uniendo el polo positivo al colector

y a la base.

• Transistores PNP. Están formados por la unión de dos semiconductores P y un semiconductor N.

Se conectan uniendo el polo negativo al colector y a la base.

ESTRUCTURA FÍSICA

El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre las

cuales se forman unas uniones (uniones PN). Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea

alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura

da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el colector N,

dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.

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Figura 5. Estructura de un Transistor NPN.

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de forma

que se obtengan las tres regiones antes mencionadas. Sobre una base n (substrato que actúa como

colector), se difunden regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base. Es de señalar

que las dimensiones reales del dispositivo son muy importantes para el correcto funcionamiento del

mismo.

Figura 6. Estructura real de un Transistor.

• El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga

el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

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• La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la

misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Además, si la base no

es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos

en oposición se tratase.

• El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta región

tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor. En posteriores

apartados se tratará el tema.

FUNCIÓN

Los BJT son de dos tipos, o polaridades, conocidos como PNP y NPN basado en el dopaje de

los tipos de las tres principales regiones terminales. Un transistor NPN comprende dos uniones

semiconductoras que comparten una delgada región dopada p, y un transistor PNP comprende dos

uniones semiconductoras que comparten una región delgada n-dopado.

FLUJO DE CARGA

Flujo de carga en un BJT es debido a la difusión de portadores de carga a través de una unión

entre dos regiones de diferentes concentraciones de carga. Las regiones de un BJT se

denominan emisor, colector y de base. Un transistor discreta tiene tres cables para la conexión a estas

regiones. Típicamente, la región de emisor está fuertemente dopado en comparación con las otras dos

capas, mientras que las concentraciones de portadores de carga mayoritarios en las capas de base y

colector son aproximadamente los mismos (dopaje colector es típicamente diez veces más ligero que el

dopaje base). Por diseño, la mayor parte de la corriente de colector BJT es debido al flujo de portadores

de carga (electrones o agujeros) inyectado desde un emisor de alta concentración en la base donde
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están los portadores minoritarios que se difunden hacia el colector, y así BJT se clasifican como minoría

dispositivos -carrier.

En operación típica, la base-emisor de unión está en polarización, lo que significa que el lado p-

dopado de la unión está a un potencial más positivo que el lado n-dopado, y la unión base-colector

es polarización inversa. En un transistor NPN, cuando se aplica sesgo positivo a la unión base-emisor, el

equilibrio es perturbado entre los generados térmicamente portadores y el campo eléctrico de repulsión

del emisor n-dopado región de agotamiento. Esto permite que los electrones excitados térmicamente

para inyectar desde el emisor en la región de base. Estos electrones se difunden a través de la base de la

región de alta concentración cerca del emisor hacia la región de baja concentración cerca del colector.

Los electrones en la base se denominan portadores minoritarios porque la base está dopado de tipo p,

lo que hace agujeros del portador mayoritario en la base.

Para reducir al mínimo la fracción de los portadores que se recombinan antes de alcanzar la

unión colector-base, región de base del transistor debe ser lo suficientemente delgada que los

portadores pueden difundirse a través de ella en mucho menos tiempo que la vida de los portadores

minoritarios del semiconductor. Además, como la base está dopado ligeramente (en comparación con el

emisor y el colector regiones), las tasas de recombinación son bajos, lo que permite más portadores a

difundirse a través de la región de base. En particular, el espesor de la base debe ser mucho menor que

la longitud de difusión de los electrones. La unión colector-base es polarizada inversamente, y de

inyección de electrones tan poco se produce desde el colector a la base, pero los electrones que se

difunden a través de la base hacia el colector se barrió en el colector por el campo eléctrico en la región

de agotamiento del colector unión base. La delgada compartido base y asimétrica dopaje colector-
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emisor son lo que diferencia a un transistor bipolar de dos separadas diodos y opuestamente

polarizados conectados en serie.

APLICACIONES DEL TRANSISTOR

En un transistor se cumple que:

• La intensidad de corriente que sale del emisor es igual a la suma de las intensidades de

corriente que llegan al colector y la base: le = Ic + Ib.

• Pequeñas variaciones de la intensidad de base provocan grandes variaciones en la

intensidad de colector.

• Se pueden controlar grandes potencias en el circuito de colector, consumiendo una

pequeña potencia en el circuito de base.

• Estas características determinan las dos aplicaciones básicas de los transistores: como

amplificador y como interruptor.

ECUACIONES BÁSICAS

Figura 7. Ecuación Básica de Corrientes de un Transistor.

Esta ecuación viene impuesta por la propia estructura del circuito, es decir, el transistor es un

nodo con tres entradas o salidas, por tanto la suma de las corrientes que entran o salen al mismo ha de

ser cero. Cada una de las corrientes del transistor se puede poner en función de sus componentes de la

siguiente forma:
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Figura 8. Ecuaciones.

La pendiente es directamente proporcional a IC, IE e IB

Figura 9. Ganancia.

Figura 10. Relación entre ganancias.

CARACTERÍSTICAS DEL BJT

Se dice característica de entrada a la curva que expresa la tendencia de la corriente de

base IB en función de la tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al transistor

NPN BCW82.
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Figura 11. Curva del Transistor NPN BCW82.

Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho, entre la base y

el emisor, el transistor se comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la corriente de base es cero,

cuando la VBE es menor que la tensión de umbral, que en nuestro caso coincide aproximadamente con

0,6 V, sobrepasada la tensión de umbral la corriente de base aumenta rápidamente.

Se dice características de salida las que expresan la corriente de colector IC como una función de

la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB; tales como las siguientes, que se refieren

siempre a BCW82

Figura 12. Curva característica de salida de un BCW82.

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Observamos que hay diferentes características de salida, cada obtenida para un valor

predeterminado de la corriente de la base IB; de hecho, la primera característica, a partir de la parte

inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el mantenimiento de un IB constante con el

aumento de VCE, al principio la IC es cero; luego aumenta linealmente y rápidamente a la rodilla; allá de

la rodilla, la IC permanece prácticamente constante, incluso si se aumenta la VCE.

Las características son importantes para la determinación del punto de trabajo; Se dice punto

de trabajo un punto de que se sabe la tensión y la corriente en reposo, es decir, en ausencia de

señal; ejemplo, si tomo el punto P, como en el siguiente diagrama:

Figura 13. Característica del Transistor BCW82.

Podemos observar que se encuentra en la característica para IB = 15 m A; la corriente de base

será IB = 15 m A; la tensión VCE es de 1,0 V; la corriente de colector será aproximadamente IC = 4,6 mA.

VOLTAJE, CORRIENTE Y CONTROL DE CARGA

La corriente de colector-emisor se puede ver como es controlado por la corriente de base-

emisor (control de corriente), o por la (control de voltaje) tensión de base-emisor. Estos puntos de vista

están relacionados por la relación corriente-tensión de la unión base-emisor, que es la curva corriente-

voltaje exponencial habitual de una unión p-n (diodo).

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Figura 14. Corrientes en un Transistor.

La explicación física para la corriente de colector es la concentración de portadores minoritarios

en la región de base. Debido a la inyección de bajo nivel (en la que hay mucho menos portadores en

exceso que portadores mayoritarios normales) los de transporte ambipolares tasas (en la que el exceso

de portadores mayoritarios y minoritarios fluyen a la misma velocidad) es en efecto determinado por los

portadores minoritarios en exceso.

Detallados modelos de transistor de la acción del transistor, como el modelo de Gummel-Poon ,

dan cuenta de la distribución de esta carga de forma explícita para explicar el comportamiento del

transistor con mayor exactitud. La vista de control de carga maneja fácilmente fototransistores , donde

los portadores minoritarios en la región de base se crean por la absorción de fotones , y se ocupa de la

dinámica de desvío, o el tiempo de recuperación, que depende de la carga en la recombinación región

de base. Sin embargo, debido carga de la base no es una señal que es visible en los terminales, las vistas

current- y control de tensión se utilizan generalmente en el diseño y análisis de circuitos.

En circuito analógico de diseño, la vista-de control de corriente se utiliza a veces debido a que es

aproximadamente lineal. Es decir, la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de

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base. Algunos circuitos básicos pueden ser diseñados suponiendo que la tensión de emisor-base es

aproximadamente constante y que la corriente de colector es veces ß la corriente de base. Sin embargo,

para diseñar con precisión y fiabilidad circuitos BJT de producción, el control de voltaje (por

ejemplo, Ebers-Moll) se requiere modelo. El modelo de control de voltaje requiere una función

exponencial de tenerse en cuenta, pero cuando se linealiza tal que el transistor puede ser modelado

como una transconductancia, como en el modelo de Ebers-Moll, diseño para circuitos tales como

amplificadores diferenciales de nuevo se convierte en una mayoría problema lineal, por lo que se

prefiere a menudo el punto de vista de control de voltaje. Para Translinear circuitos, en la que la curva I-

V exponencial es clave para el funcionamiento, los transistores son generalmente modelados como

fuentes de corriente controladas por tensión cuya transconductancia es proporcional a su corriente de

colector. En general, el diseño de circuitos a nivel de transistores se realiza usando SPICE o un simulador

analógico circuito comparables, por lo que la complejidad del modelo por lo general no es de mucho

interés para el diseñador.

EFECTOS DE LA TEMPERATURA.

Un factor muy importante, capaz de desestabilizar a los transistores y que todavía no hemos

tenido en cuenta, es la temperatura. Vimos que los semiconductores pueden permitir el paso de

corriente, pero necesitan una pequeña ayuda; se les puede dopar, o aumentar la temperatura, para que

circulen los electrones de la última capa. Pues bien, los transistores son uniones P-N, y los materiales

tipo P y tipo N son semiconductores dopados, luego van a permitir el paso de la corriente. Pero, por ser

semiconductores, les va a influir mucho una variación de temperatura.

Si tenemos un circuito de emisor común aparentemente estable, con un punto de

funcionamiento definido, se puede producir una gran inestabilidad con un aumento de temperatura.
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Esto sucede porque al aumentar la temperatura se incrementa la corriente del colector, aunque la

corriente de base permanezca constante. Este incremento en IC produce que la caída de potencial en la

resistencia RC sea mayor, luego la tensión VC va a ser menor. La consecuencia inmediata de este hecho

es que el punto de funcionamiento se va a desplazar. Esto ocurriría en el mejor de los casos porque

incluso puede llegar a producirse la destrucción del transistor.

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CONCLUSIÓN

Los dispositivos semiconductores tienen las siguientes ventajas sobre los tubos de vacío o bulbos. Son

más pequeños, más livianos, más robustos, y más eficientes.

Además, no requieren calentamiento, ni calentador, y conducen voltajes de operación más bajos.

La corriente directa en el emisor siempre es la corriente más grande de un transistor, en tanto que la

corriente de la base es la más pequeña. La corriente en el emisor siempre es la suma de las otras dos.

L a construcción de los primeros transistores respondía a una necesidad técnica: hacer llamadas

telefónicas a larga distancia. Es por esto que los descubridores de esta nueva tecnología trabajaban para

la American Telephone and Telegraph Corporation (AT&T), fundada por Alexander Graham Bell y

conocida inicialmente como la Bell Telephone Company.

El impacto de los transistores fue enorme, transformaron el mundo de la electrónica y el diseño de

computadoras al permitir disminuir infinitamente su tamaño al librarse de los voluminosos y

frágiles tríodos de vacío. Y así comenzaron a disminuir las tallas de nuestros dispositivos electrónicos.

Hasta hoy día, en el que empieza a ser común un móvil con el tamaño de un reloj.
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REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

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http://www.geocities.ws/pnavar2/transis2/efe_temp.html

Anónimo. (s.f.). La historia de los transistores. Recuperado el 20 de Marzo de 2020.

https://www.vix.com/es/btg/curiosidades/4175/la-historia-de-los-transistores

Anónimo. (s.f.). Transistor de unión bipolar - Bipolar junction transistor. Recuperado el 18 de Marzo de

2020. https://es.qwe.wiki/wiki/Bipolar_junction_transistor

Anónimo. (s.f.). Transistores. Recuperado el 20 de Marzo de 2020.

http://www.edu.xunta.gal/centros/iespedrofloriani/aulavirtual2/pluginfile.php/3245/m

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Anónimo. (s.f.). Transistores. https://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Filminas/FilA2.PDF

Dpto. Tecnología Electrónica. (s.f.). Transistores. Recuperado el 22 de Marzo de 2020.

http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf

Prof. Pietro De Paolis. (2014). Características del BJT.

https://scuolaelettrica.it/escuelaelectrica/elettronica/transi5.php