UNIVERSIDAD “NIHON GAKKO”

“Esfuerzo y Disciplina para el Éxito”

Creada por la ley 3688/08

TRABAJO PRÁCTICO: EL TRANSISTOR: HISTORIA, FUNCION Y APLICACIONES.

Alumnos: José Carlos Brusquetti Pérez, Albert Gómez Fecha: 27/04/2019 Turno: Tarde

Materia: Electrónica Básica Carrera: Ingeniería Electromecánica C.I. N.º: 4606805

Puntaje total: Puntaje Correcto: Calificación:

Historia del transistor

Varios historiadores de la tecnología consideran al transistor como "el mayor invento del siglo XX". Es el dispositivo electrónico
básico que dio lugar a los circuitos integrados y demás elementos. Si el siglo XIX se basa en la máquina de vapor de James
Watt, puede decirse que la era de las comunicaciones se ha basado en el transistor.

Objetivos iniciales.
El transistor es un dispositivo de tres terminales que surge en los Laboratorios Bell de la AT&T. Se buscaba un conmutador de
estado sólido para ser utilizado en telefonía y para reemplazar tanto a los relés como a los sistemas de barras. Luego se
contempla la posibilidad de obtener el reemplazo de la válvula (o tubo) de vacío.

Quentin Kaiser escribió: "Si no hubiese sido por las microondas o el radar de UHF, probablemente nunca hubiéramos tenido
la necesidad de detectores de cristal. Si no hubiéramos obtenido detectores de cristal, probablemente no habríamos tenido
el transistor, salvo que hubiera sido desarrollado de algún modo completamente diferente". (Citado en “Revolución en
miniatura” de E. Braun y S. McDonald).

Antecedentes físicos.
Se sabía que el contacto entre un alambre metálico y la galena (sulfuro de plomo II) permitía el paso de corriente en una sola
dirección, tal como lo revelaron los trabajos de Carl Ferdinand Braun. El radar, por otra parte, al emplear frecuencias elevadas,
debía utilizar un detector eficaz, con muy poca capacidad eléctrica, por lo que no era conveniente el uso de los diodos de
vacío. El diodo de estado sólido era esencial para esa finalidad. En la década de los cuarenta estaba completo el estudio
teórico de los contactos semiconductor-metal.

Uno de los inventores del transistor, Walter Brattain, escribió: "Ninguno en la profesión estaba seguro de la analogía entre
un rectificador de óxido de cobre y un tubo diodo de vacío y muchos tenían la idea de cómo conseguir poner una rejilla, un
tercer electrodo, para hacer un amplificador".

Para modificar la conductividad de algunos semiconductores, se tuvo en cuenta los niveles de energía cuantificados de los
átomos, que dan lugar a las bandas de energía cuando existen átomos distribuidos regularmente. El estudio del movimiento
de los electrones en estas bandas, vislumbró la posibilidad de cambiar la conductividad eléctrica de algunos semiconductores
agregando impurezas controladas adecuadamente, surgiendo así los materiales de tipo N y de tipo P.1

Origen de la denominación
Un diodo surge al unir un material N con uno P, el transistor surge de una unión de tipo NPN, o bien PNP. La denominación
"transistor" fue sugerida por J.R. Pierce, quién dijo: "…y entonces, en aquella época, el transistor fue imaginado para ser el
dual del tubo de vacío, así si un tubo de vacío tenía transconductancia, éste debe tener transresistencia, y así llegué a sugerir
«transistor»"

Patentes de invención.
Para obtener la invención, luego de efectuarse las primeras pruebas, se lo mantuvo en secreto durante casi siete meses, hasta
que se pudo detallar su funcionamiento en forma adecuada. Esta patente le fue concedida a John Bardeen y a Walter Brattain
por el transistor de punta de contacto. La patente del transistor de juntura (o unión), aparecido en 1951, le fue concedida a
William Shockley. Sobre este último transistor, E. Braun y S. McDonald escriben: "Es asombroso que Shockley hubiera
formulado la teoría precisa del transistor de unión bipolar al menos dos años antes de que el dispositivo fuese producido".
Podemos hacernos una idea del comportamiento del transistor utilizando un circuito que utiliza una fuente de tensión
continua, un indicador de corriente (miliamperímetro) y dos resistencias con sus respectivos interruptores. Estas resistencias
se conectarán entre el colector y la base, mientras que la fuente se conectará entre colector y emisor.

Comportamiento elemental.
Con ambos interruptores abiertos, no habrá corriente de base y el indicador de corriente, ubicado a la salida de la fuente,
marcará una corriente nula. Si cerramos uno de los interruptores, habrá corriente de base y también de colector. Si cerramos
ambos interruptores, habrá mayor paso de corriente. De ahí que podamos decir que el transistor se comporta como si fuese
una resistencia cuyo valor es controlado por la corriente de base.

Definición de amplificación.
Una definición elemental de amplificación fue dada por William Shockley: "Si usted toma un fardo de heno y lo ata a la cola
de una mula y a continuación le prende fuego, y compara luego la energía disipada a partir de entonces por la mula con la
energía disipada antes por usted en frotar el fósforo, entenderá plenamente el concepto de amplificación".

En 1951, William Schockley inventó el primer transistor de unión, un dispositivo semiconductor que puede amplificar señales
electrónicas como las señales de radio y de televisión. El transistor ha llevado a inventar muchos otros dispositivos
semiconductores, incluyendo el circuito integrado (CI), un pequeño dispositivo que contiene miles de transistores
miniaturizados. Las modernas computadoras y otros milagros electrónicos han sido posibles gracias a los circuitos

integrados. Este capítulo presenta el transistor de unión bipolar (BJT), el cual utiliza tanto electrones libres como huecos. La
palabra bipolar quiere decir "dos polaridades". En los siguientes capítulos se verá cómo el BJT puede utilizarse como
amplificador y como conmutador.

El transistor no polarizado
Un transistor tiene tres regiones dopadas, como se muestra en la Figura 6.1. La región inferior es el emisor, la región
intermedia es la base y la región superior es el colector. En un transistor real, la región de la base es mucho más estrecha
comparada con las regiones de colector y de emisor. El transistor de la Figura 6.1 es un dispositivo npn porque tiene una
región p entre dos regiones n. Recuerde que los portadores mayoritarios son los electrones libres en un material de tipo n y
los huecos en un material de tipo p.

Los transistores también se fabrican como dispositivos pnp. Un transistor pnp tiene una región n entre dos regiones p. Para
evitar confusiones entre el transistor npn y el transistor pnp, nuestra exposición se centrará en el transistor npn.

Niveles de dopaje
En la Figura 6.1 vemos que el emisor está fuertemente dopado. Por el contrario, la base sólo está ligeramente dopada. El nivel
de dopaje del colector es intermedio, entre el fuerte dopaje del emisor y el ligero dopaje de la base.

Físicamente, el colector es la más ancha de las tres regiones.

Diodos de emisor y de colector

El transistor de la Figura 6.1 tiene dos uniones: una entre el emisor y la base, y otra entre el colector y la base, por lo que un
transistor es como dos diodos en oposición. El diodo inferior es el diodo emisor-base, o simplemente diodo de emisor. El
diodo superior es el diodo colector-base, o diodo de colector.

Antes y después de la difusión

La Figura 6.1 muestra las regiones del transistor antes de que tenga lugar la difusión. Los electrones libres en la región n

se difundirán a través de la unión y se recombinarán con los huecos en la región p. Imagine los electrones libres de las regiones
n atravesando la unión y recombinándose con los huecos.

El resultado son dos zonas de deplexión, como se muestra en la Figura 6.2.

En cada una de las zonas de deplexión, la barrera de potencial es de aproximadamente 0,7 V a 25°C para un transistor de
silicio (0,3 V a 25°C para un transistor de germanio). Como antes, vamos a hacer hincapié en los dispositivos de silicio ya que
ahora su uso está mucho más extendido que el de los dispositivos de germanio.
El transistor polarizado
Un transistor no polarizado es como dos diodos en oposición. Cada diodo tiene una barrera de potencial de aproximadamente
0,7 V. Cuando se conectan al transistor fuentes de tensión externas, circularán corrientes a través de las distintas partes del
transistor.

Electrones del emisor.

La Figura 6.3 muestra un transistor polarizado. Los signos menos representan los electrones libres. El trabajo que rea-liza el
emisor fuertemente dopado es el siguiente: emite o inyecta sus electrones libres en la base. La base ligeramente dopada
también tiene un propósito bien definido: pasar los electrones inyectados por el emisor al colector. El colector debe su
nombre precisamente a que recolecta la mayor parte de los electrones de la base.

La Figura 6.3 muestra la forma habitual de polarizar un transistor. La fuente de la izquierda, VBB, de la Figura 6.3 polariza en
directa el diodo de emisor y la fuente de la derecha, VCC, polariza en inversa el diodo de colector.

Aunque son posibles otros métodos de polarización, polarizar en directa el diodo de emisor y en inversa el diodo de colector
es el que proporciona resultados más útiles.

Electrones de la base.
En el instante en que se aplica la polarización directa al diodo de emisor de la Figura 6.3, los electrones del emisor todavía no
han entrado en la región de la base. Si, en la Figura 6.3, VBB es mayor que la barrera de potencial
emisor-base, los electrones del emisor entrarán en la bse, como se muestra en la Figura 6.4. En teoría, estos electrones libres
pueden fluir en cualquiera de las dos direcciones: pueden desplazarse hacia la izquierda y salir de la base, pasando a través
de RB en el camino hacia el terminal positivo de la fuente, o pueden fluir hacia el colector.

¿Qué camino seguirán los electrones libres? La mayoría irán hacia el colector. ¿Por qué? Existen dos razones: la base está
ligeramente dopada y es muy estrecha. “Ligeramente dopada” implica que los electrones libres tienen un tiempo de vida
largo en la región de la base, que sea “muy estrecha” implica que los electrones libres sólo tienen que recorrer una distancia
muy corta para alcanzar al colector.

Sólo unos pocos electrones libres se recombinarán con los huecos en la base ligeramente dopada de la Figura 6.4. Después,
como electrones de valencia, fluirán a través de la resistencia de base hasta el terminal positivo de la fuente de alimentación
VBB.

Electrones del colector

Casi todos los electrones libres entran en el colector, como se muestra en la Figura 6.5. Una vez que están en el colector, se
ven atraídos por la fuente de tensión VCC, por lo que fluyen a través del colector y atraviesan RC hasta alcanzar el terminal
positivo de la tensión de alimentación del colector.

En resumen, lo que ocurre es lo siguiente: en la Figura 6.5, VBB polariza en directa el diodo de emisor, forzando a los electrones
libres del emisor a entrar en la base. La base es estrecha y está poco dopada, proporcionando el tiempo suficiente para que
todos los electrones se difundan hasta el colector. Estos electrones atraviesan el colector, la resistencia RC, y entran en el
terminal positivo de la fuente de tensión VCC.
Corrientes del transistor.
Las Figuras 6.6a y 6.6b muestran el símbolo esquemático de un transistor npn. Si prefiere utilizar la dirección de la corriente
convencional, utilice la Figura 6.6a. Si prefiere la dirección del flujo de electrones, utilice la Figura 6.6b. En la Figura 6.6, se
ilustran las tres corrientes diferentes que hay en un transistor: corriente de emisor IE, corriente de base IB y corriente de
colector IC.

Comparación de las corrientes.

Dado que el emisor es la fuente de los electrones, es la corriente más grande. La mayor parte del flujo de electrones del
emisor llega al colector, por lo que la corriente de colector es prácticamente igual que la corriente de emisor. En comparación,
la corriente de base es muy pequeña, a menudo menor que el 1 por ciento de la corriente de colector.

Relación de corrientes
Recordemos la ley de Kirchhoff: la suma de todas las corrientes que entran en un punto o unión es igual a la suma de todas
las corrientes que salen del punto o unión. Cuando se aplica a un transistor, la ley de las corrientes de Kirchhoff proporciona
esta importante relación:

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
Esto quiere decir que la corriente de emisor es igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de base. Puesto que
la corriente de base es muy pequeña, la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor:

𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸
y la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector:

𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝐶

La Figura 6.6c muestra el símbolo esquemático de un transistor pnp y sus corrientes. Observe que la dirección de las corrientes
es la opuesta a la del transistor npn. Fíjese en que la Ecuación (6.1) sigue siendo cierta para las corrientes del transistor pnp.

Alfa
El alfa de continua (symbolizada por dc) se define como la corriente continua de colector dividida entre la corriente continua
de emisor:
𝐼𝐶
𝛼𝐷𝐶 =
𝐼𝐷
Dado que la corriente de colector es prácticamente igual que la corriente de emisor, el alfa de continua es un poco menor
que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, el alfa de continua normalmente es mayor que 0,99. Incluso en un
transistor de alta potencia, el alfa de continua normalmente es mayor que 0,95.

Beta
La beta de continua (simbolizada por 𝛽𝐷𝐶 ) de un transistor se define como la relación de la corriente continua de colector y
la corriente continua de base:
𝐼𝐶
𝛽𝐷𝐶 =
𝐼𝐵
Dos derivaciones
La Ecuación puede reordenarse para obtener dos formas equivalentes. La primera es, cuando se conoce el valor de 𝛽𝐷𝐶 e 𝐼𝐵
, se puede calcular la corriente de colector como sigue:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵
Segundo, cuando se tiene el valor de 𝛽𝐷𝐶 e 𝐼𝐶 , se puede calcular la corriente de base como sigue:
𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽𝐷𝐶

APLICACIONES DEL TRANSISTOR

El transistor como INTERRUPTOR:

El transistor funciona como interruptor CERRADO cuando aplicamos una corriente a la base

El transistor funciona como interruptor ABIERTO cuando NO aplicamos una corriente a la base

El transistor como AMPLIFICADOR:

Por medio de una pequeña corriente aplicada a la base se pueden gobernar otra mucho más intensa entre colector y emisor

Esto significa que pequeñas corrientes se pueden transformar en otras más fuertes.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

a) Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

b) Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
c) Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de
lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
d) Detección de radiación luminosa (fototransistores) Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3
terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden
estar distribuidos de varias formas.

Fuente:
Libro: Principios de Electrónica. 7ma edición. Autor: Albert Malvino. Editorial: Mc Graw Gill.

Paginas:

-https://es.wikipedia.org/wiki/Historia_del_transistor.

-https://www.coursehero.com/file/ppmrjan/Aplicaciones-de-los-Transistores-Los-transistores-tienen-multitud-de/.

-http://platea.pntic.mec.es/~jalons3/SEMICON/htm/apltra.htm.