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MF 

1: Replanteo de instalaciones solares fotovoltaicas

UF 1 1. Electrotecnia
2. Máquinas eléctricas
3. Electrónica

UF 2 – Replanteo y funcionamiento de instalaciones solares 
fotovoltaicas

M1‐ELECTROTECNIA 

3. Electrónica
1. Electrónica básica
2. Circuitos electrónicos
3. Circuitos convertidores electrónicos de potencia 
convencionales
M1‐ELECTROTECNIA ‐ Electrónica

1. Electrónica Básica

1. Introducción
2. Estudio de las características de los componentes electrónicos
3. Resistencias, condensadores, diodos, bobinas, amplificadores operacionales, circuitos integrados, 
convertidores analógicos y digitales, etc.
4. Dispositivos semiconductores de potencia
5. Simbología

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1. Introducción.

La electrónica es la parte de la ciencia y la tecnología que estudia el comportamiento y funcionalidad de los 
dispositivos electrónicos.
Inicialmente, la electrónica se basaba en el empleo de tubos y válvulas, pero hoy en día la situación es muy 
diferente, ya que, la casi totalidad de los elementos utilizados en cualquier sistema electrónico están 
construidos a partir de los denominados materiales semiconductores.
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3.2. Estudio de las características de los componentes electrónicos.

3.2.1. Introducción a los semiconductores.

En cualquier conductor, existen electrones libres cuyo movimiento se conoce como corriente eléctrica. Estos 
electrones libres son muy escasos (o poco movibles) en los materiales aislantes ya que la resistividad de estos 
materiales tiene valores muy altos, mientras que en los conductores, este valor es muy pequeño.
Los semiconductores tienen un resistividad intermedia comprendida entre, la cual depende de la 
temperatura y pureza del semiconductor.

Resistividad de los materiales aislantes:  108 y 1016 Ω m


Resistividad del cobre (buen conductor):           1,75 ∙ 10‐9 Ω m
Resistividad de los semiconductores:  10‐6 y 102 Ω m

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3.2.2. Semiconductores intrínsecos.

La corteza de los átomos está formada por capas, por las que se distribuyen los electrones. Los átomos 
tienden a tener 8 electrones en su última capa (también llamada capa de valencia), por lo que, para 
conseguirlo, establecen enlaces con otros átomos o enlaces interatómicos. Estos enlaces pueden ser:

Iónicos: enlaces entre átomos muy diferentes (metales y no metales). El metálico cede y el otro capta.

Covalente: enlaces entre elementos de naturaleza muy similar. Comparten electrones.

Metálico: están compartiendo un gran número de electrones de valencia, formando un mar de electrones.
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3.2.2. Semiconductores intrínsecos.

Los semiconductores por excelencia son el silicio y el germanio, los cuales poseen cuatro electrones en su 
última capa. En la imagen se representa la estructura atómica del germanio (formada por muchos átomos de 
germanio unidos entre sí):

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3.2.3. Semiconductores extrínsecos.

Tipo N
Las propiedades de un semiconductor intrínseco pueden modificarse añadiendo impurezas. Si los átomos de 
las impurezas añadidas contienen cinco electrones de valencia (se denominan donadores: fósforo P, arsénico 
As), en los lugares de la estructura donde se coloquen quedará un electrón libre (compartirán cuatro 
electrones con el Ge, sobrando uno). El número de electrones libres de un semiconductor dependerá del 
número de átomos de impureza añadidos. Estos materiales se denominan como tipo N.
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3.2.3. Semiconductores extrínsecos.

Tipo P
En cambio, si a un material intrínseco se le añaden impurezas aceptadoras (con tres electrones en su última 
capa, como por ejemplo: Aluminio Al, Boro B), quedarán huecos en la estructura cristalina, ya que sólo 
podrán compartir 3 electrones con el Ge y quedarán lugares por completar la capa de valencia. La existencia 
de estos huecos favorece el paso de la corriente eléctrica. A estos semiconductores se les denomina del tipo 
P.

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3.2.4. Características de los semiconductores.

 La conductividad (inversa de la resistividad) aumenta con la temperatura, al contrario de lo que les ocurre 
a los materiales conductores.
 Los enlaces entre los átomos de estos materiales son covalentes.
 Existen dos tipos de portadores: electrones y huecos. En los conductores, los únicos portadores son los 
electrones.
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3.2.5. Componentes electrónicos.

Se denomina componente electrónico a un dispositivo que forma parte de un circuito, realizando alguna 
función determinada. Estos elementos se suelen recubrir (encapsular) de algún material aislante (cerámico, 
plástico) dejando sus patillas o terminales fuera del encapsulado para permitir su conexión al circuito.
Están construidos, en su mayoría, a partir de materiales semiconductores. Desde el punto de vista del 
funcionamiento se suelen clasificar en:

Activos: aportan energía, control 0 ganancia al circuito donde estén integrados. (Diodos, transistores, 
amplificadores…)

Pasivos: Los componentes pasivos son aquellos elementos que consumen energía de un circuito. Las 
resistencias y las bobinas son claros ejemplos. 

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3.2.5. Componentes electrónicos.

Otra clasificación muy importante a la hora de diferenciar cualquier componente electrónico corresponde al 
tipo de señal con la que trabajan, según sean digitales o analógicas.
Los componentes analógicos trabajan con señales analógicas, las cuales pueden tomar cualquier valor 
comprendido entre un máximo y un mínimo. La corriente alterna senoidal es un claro ejemplo de señal 
analógica.

En cambio, las señales digitales sólo pueden tomar, generalmente, 2 valores: uno máximo y uno mínimo (1 y 
0). Los ordenadores son el mejor ejemplo de aparatos electrónicos digitales.
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3.3. Resistencias, condensadores, diodos, bobinas, amplificadores operacionales, circuitos integrados, 
convertidores analógicos y digitales.

3.3.1. Resistencias.

Las resistencias o resistores son componentes pasivos que ofrecen una oposición o resistencia al paso de la 
corriente eléctrica. Presentan un valor resistivo (R, medido en Ω) que relaciona la tensión e intensidad que 
circula por ella (ley de Ohm)

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3.3.1. Resistencias.

Características generales:

Valor nominal y tolerancia
Es el valor resistivo que, en teoría, presenta la resistencia. Este valor se marca en el cuerpo del dispositivo 
mediante unos anillos de colores. Los colores representan cifras significativas, la tolerancia y el multiplicador. 
Estos valores se pueden utilizan para calcular el valor nominal de la resistencia.
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3.3.1. Resistencias.

Características generales:

Valor nominal y tolerancia
La tolerancia es el margen de error que la resistencia presenta sobre su valor nominal. Es un dato  
suministrado por el fabricante, se  expresa como un porcentaje de incremento o decremento.

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3.3.1. Resistencias.

Características generales:

Valor nominal y tolerancia
El orden de lectura para interpretar el código de colores viene establecido por el anillo más próximo a un 
extremo del resistor, que representa la primera cifra significativa, los dos últimos anillos correspondientes al 
multiplicador y la tolerancia (los primeros corresponden a las cifras significativas).
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3.3.1. Resistencias.

Valor nominal y tolerancia
Ejemplo:
Azul: 6
Rojo: 2
Multiplicar por: 1 000 Ω
Valor: 62 x 1 000 Ω = 62 000 Ω = 62 kΩ
Tolerancia:  5% 
620 x 5 = 3 100 Ω
Valor:  62 000 Ω  3 100 Ω
62 000  3 100 Ω
Valor comprendido entre:
58 900 Ω y    65 100 Ω

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3.3.1. Resistencias.

Potencia nominal

Cuando a una resistencia se le aplica una tensión, circula por ella una intensidad que hace que el resistor 
disipe energía en forma de calor. La máxima potencia calorífica que un resistor puede entregar sin 
deteriorarse, se denomina potencia nominal.
Estos valores suelen estar comprendidos entre ¼ W y 4 W (potencias comerciales).

P = V x I
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3.3.1. Resistencias.

Tipos de resistencias:

Resistores lineales fijos: Son las resistencias más comunes y su valor es fijo, es decir, una vez fabricados no 
puede alterarse su valor resistivo. El comportamiento de estos dispositivos obedece la ley de Ohm.

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3.3.1. Resistencias.

Tipos de resistencias:

Resistores variables y ajustables: Las resistencias variables permiten que se modifique su valor a través de un 
dispositivo móvil denominado cursor. Presentan tres terminales: dos correspondientes a los extremos de la 
resistencia y uno conectado al cursor.
Las resistencias ajustables son similares a las variables pero el cursor de variación es “menos accesible” para 
el usuario, por lo que se suelen precintar o sellar.
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3.3.1. Resistencias.

Tipos de resistencias:
Resistores dependientes lineales: Son aquellos cuyo valor resistivo varía linealmente con el aumento o 
disminución de alguna magnitud (presión, temperatura, humedad, etc.). Estas resistencias se construyen a 
partir de semiconductores y suelen utilizarse en sistemas de regulación y control.

Resistores NTC: presentan un coeficiente de temperatura negativo, es decir, presentan una disminución de la 
resistencia al aumentar la temperatura.

Resistores PTC: El coeficiente de temperatura de estos resistores es positivo, la resistencia aumenta con la 
temperatura.

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3.3.1. Resistencias.

Tipos de resistencias:

Resistores LDR: Son resistores dependientes de la luz, los cuales hacen que los electrones ligados a los 
átomos del semiconductor que los constituye se liberen cuando reciben energía luminosa.
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3.3.1. Resistencias.

Tipos de resistencias:

Resistores VDR: Se conocen también como varistores y son resistencias cuyo valor varía en función de la 
tensión a la que estén sometidos (al aumentar la tensión disminuye la resistencia).

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3.3.2. Condensadores.

Un condensador es un componente que tiene la capacidad de almacenar energía en forma de campo 
eléctrico. Este dispositivo está formado por dos armaduras metálicas paralelas (generalmente de aluminio) 
separadas por un material dieléctrico. La versión más sencilla de un condensador consiste en dos placas 
separadas una cierta distancia sin colocar ningún material que las separe, en cuyo caso el aire actúa como 
dieléctrico.
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3.3.2. Condensadores.

Características generales:

Capacidad: La capacidad de un condensador mide la relación entre la diferencia de tensión que existe entre 
sus terminales y la carga almacenada en este. Esta magnitud se mide faradios (F), aunque esta unidad resulta 
muy elevada, por lo que se suelen utilizar submúltiplos, tales como el microfaradio  (1μF=10‐6 F).

Normalmente, el valor de la capacidad viene serigrafiado en la carcasa del condensador, aunque existen 
algunos modelos que utilizan el código de colores para informar del valor capacitivo.

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3.3.2. Condensadores.

Características generales:

Tolerancia: Determinar el valor exacto de la capacidad de un condensador suele ser muy difícil, por lo que el 
fabricante suele facilitar, también, un margen de tolerancias para esta magnitud.

Tensión máxima: Es la tensión máxima que el condensador puede soportar sin deteriorarse.

Coeficiente de temperatura (α): Es un factor que indica la variación de la capacidad con respecto a la 
temperatura. El signo de este factor indica el sentido de variación (positivo: aumenta con la temperatura; 
negativo: disminuye con la temperatura).
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3.3.2. Condensadores.

Tipos de condensadores:

Condensadores fijos: 

 Condensadores de papel: constan de dos láminas muy finas de aluminio separadas por un papel 
dieléctrico. 

 Condensadores de plástico: son muy usados, siendo el dielectrico
poliester u otro plastico similar. Tienen gran capacidad para conservar
la carga mas tiempo y no ocupan un volumen considerable.

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3.3.2. Condensadores.

Tipos de condensadores:

Condensadores fijos: 

 Condensadores de mica: dada la elevada rigidez de la mica, pueden soportar
grandes tensiones. Su estructura consiste en varias capas de metal separadas
entre ellas por otras tantas de mica.

 Condensadores cerámicos: usan como dieléctrico algún compuesto
de tipo cerámico. No soportan mucha tensión y su capacidad suele
ser poco elevada
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3.3.2. Condensadores.

Tipos de condensadores:

Condensadores fijos: 

 Condensadores electrolíticos: suelen presentar elevadas
capacidades comparados con los anteriormente mencionados.
El dieléctrico consiste en papel impregnado en electrolito. 
Tienen la particularidad de que presentan polaridad
(al conectarlos, se debe de respetar la polaridad que se indica 
en la cápsula).

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3.3.2. Condensadores.

Tipos de condensadores:

Condensadores variables: 

Este tipo de condensadores consta de un grupo de
armaduras móviles que, al desplazarse, modifican la
capacidad del condensador. Los materiales dieléctricos
que se suelen usar en estos dispositivos son aire,
plástico o mica.
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3.3.3. Bobinas.

Las bobinas o inductores son componentes pasivos con dos terminales que almacenan energía en forma de 
campo magnético ya que lo generan cuando se les hace pasar una corriente eléctrica. Se construyen a partir 
del arrollamiento de un hilo a un material ferromagnético (nucleo) o al aire.

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3.3.3. Bobinas.

La bobina es un elemento que es capaz de reaccionar contra los cambios en la corriente que circula a través 
de ella, generando un voltaje que se opone al aplicado cuando existe una variación de la corriente.
La unidad que mide el valor de oposición del inductor con el paso de la corriente se denomina inductancia (L) 
y se mide en henrios (H), aunque, en aplicaciones comerciales se suelen utilizar submúltiplos tales como el 
milihenrio (1mH = 10‐3 H). 

El valor de esta magnitud dependerá de varios factores:

 Número de espiras (mayor inductancia con el aumento del número de espiras).
 Diámetro de las espira (mayor inductancia cuanto más grande sea el diámetro).
 Longitud del bobinado.
 Material del que esté constituido el núcleo.
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3.3.3. Bobinas.

La bobina es un elemento que es capaz de reaccionar contra los cambios en la corriente que circula a través 
de ella, generando un voltaje que se opone al aplicado cuando existe una variación de la corriente.
La unidad que mide el valor de oposición del inductor con el paso de la corriente se denomina inductancia (L) 
y se mide en henrios (H), aunque, en aplicaciones comerciales se suelen utilizar submúltiplos tales como el 
milihenrio (1mH = 10‐3 H). 

El valor de esta magnitud dependerá de varios factores:

 Número de espiras (mayor inductancia con el aumento del número de espiras).
 Diámetro de las espira (mayor inductancia cuanto más grande sea el diámetro).
 Longitud del bobinado.
 Material del que esté constituido el núcleo.

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3.3.3. Bobinas.
Al ser elementos cuya impedancia (XL) varía con la frecuencia de la red, se suelen utilizar en aplicaciones de 
filtrado. La bobina se utiliza para evitar las variaciones de corriente.

Tipos de bobinas
Fijas o de inductancia invariable
Con núcleo de aire: El conductor se arrolla sobre un soporte hueco que posteriormente se retira quedando 
con una forma parecida a la de un resorte (muelle). Se utilizan en aplicaciones de elevada frecuencia.

Con núcleo sólido: Presentan valores de inductancia mas elevados que las anteriores. Suelen presentar un 
núcleo de material ferromagnético. Cuando se manejan potencias elevadas se utilizan núcleos semejantes a 
los de los transformadores (fuentes de alimentación). Se pueden encontrar varias tipologías fundamentales:
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3.3.3. Bobinas.

Tipos de bobinas
Fijas o de inductancia invariable

 Nido de abeja: con esta configuración se consiguen altos bobina‐ dos en volúmenes muy reducidos.
 De ferrita: constan de un núcleo de ferrita y suelen utilizarse en receptores de aparatos de radio.
 Núcleo toroidal: se caracterizan por la no dispersión del flujo magnético que generan debido a la forma de 
los núcleos. Gracias a esto, presentan un buen rendimiento y precisión.

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3.3.3. Bobinas.

Tipos de bobinas
Variables
Al igual que ocurre con los resistores y los condensadores, existen bobinas ajustables y la variación de la 
inductancia se hace a partir del desplazamiento del núcleo de la bobina respecto al devanado.
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3.3.4. Diodos.
El diodo es un dispositivo semiconductor (silicio o germanio) que sólo permite la circulación de corriente en 
un único sentido. Este componente electrónico se construye a través de la unión de 2 materiales 
semiconductores: tipo P (tiene ausencia de electrones, huecos). y tipo N (tiene exceso de electrones)
separados por la denominada barrera de unión.

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Principio de operación:
Cuando se aplica una tensión positiva al lado P y una negativa al lado N (polarización directa), los electrones 
en el lado N son desplazados al lado P, originándose un flujo de electrones mas allá de los limites del 
semiconductor. De igual manera, los huecos en el material P se desplazan al lado del material N. Este flujo de 
electrones y huecos permitirá la circulación de corriente por el diodo.
Para que exista desplazamiento de electrones de un material a otro, se debe aplicar un potencial mínimo 
(tensión umbral) para “vencer” la barrera de unión. En el caso del silicio es 0.6 V y para el germanio es 0.2 V .

Polarización directa
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Principio de operación:
En el caso de aplicar una polaridad diferente, es decir, la positiva al lado N y la negativa al lado P (polarización 
inversa), se producirá un desplazamiento de electrones del lado N al negativo y un desplazamiento de huecos 
del lado P al positivo. En este caso no hay desplazamiento de electrones de un material a otro, por lo que no 
existiría corriente.

Polarización inversa

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Principio de operación:
Formas de funcionamiento
La polarización directa:  Cuando a un diodo se le hace pasar una corriente del ánodo (P) al cátodo (N), éste 
deja conducir la electricidad a partir de una determinada tensión denominada tensión umbral, 
comportándose como un cortocircuito o interruptor cerrado. La relación entre la corriente que circula por el 
diodo ( IF ) la tensión aplicada a sus terminales ( VF ) se puede observar en la siguiente gráfica:
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Principio de operación:
Formas de funcionamiento
La polarización inversa: En condiciones ideales, al invertir la posición conectando el material P al negativo y el 
N al positivo de la fuente, el diodo se comportaría como un circuito abierto (no deja pasar la corriente). En 
condiciones reales sí que pasa una corriente muy pequeña denominada intensidad de fuga (IR). Esta corriente 
es muy débil (del orden de nA; 1nA = 10 ‐9 A). La relación de la tensión inversa (VR) con la intensidad tiene la 
forma:
Al aumentar la tensión inversa también lo hace la 
corriente, aunque muy poco a poco, hasta llegar a un 
valor denominado tensión de ruptura del diodo o 
tensión zener ( VZ ). En ese momento, la intensidad 
aumenta bruscamente provocando la destrucción del 
dispositivo. Este fenómeno se denomina avalancha y, a 
partir de este punto, la intensidad aumentará a gran 
escala con pequeños incrementos de tensión.

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Principio de operación:
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Tipos de diodos:
El diodo Zener: Como se ha visto en el diodo semiconductor, cuando se trabaja en polarización inversa a 
grandes tensiones se produce el fenómeno perjudicial denominado avalancha. El diodo Zener aprovecha esta 
particularidad.
Los diodos Zener tienen las mismas características que un diodo normal de silicio, con la particularidad de 
que están diseñados para trabajar con polaridad inversa ya que mantienen entre sus terminales una tensión 
constante con aumentos de intensidad. Esta característica hace que se suelan utilizar como estabilizadores de 
tensión.

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Tipos de diodos:

Diodos luminiscentes o LED: Este tipo de diodos son capaces, al ser polarizados directamente y ser recorridos 
por una corriente eléctrica, de emitir una radiación luminosa. Comúnmente se le conoce como diodos LED 
(del inglés Light Emitting Diode).
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Tipos de diodos:

El fotodiodo: Son diodos sensibles a la luz, los cuales generan una corriente proporcional a la cantidad de 
radiación lumínica recibida. Este tipo de componentes trabaja en polarización inversa, ya que en directa se 
comporta como un diodo semiconductor estándar.

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3.3.5. Circuitos integrados.

Un circuito integrado consiste en un circuito de componentes electrónicos como transistores, resistencias o 
condensadores que cumplen alguna función concreta. Todos ellos se encuentran recubiertos por un 
encapsulado cerámico o plástico, suelen construirse en cristales de silicio y su consumo eléctrico es realmente 
bajo.
Existen multitud de circuitos integrados y suelen cumplir funciones muy diversas: desde temporizadores hasta 
operadores lógicos.
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3.3.5. Circuitos integrados. Ejemplo: Amplificador Operacional TL081.

Circuito eléctrico Circuito integrado y conexiones (arriba)

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3.3.5. Circuitos integrados.

Partes fundamentales:
 Dado: es la zona donde se localiza el circuito propiamente dicho, siendo fundamental en todo circuito 
integrado ya que todos los componentes que constituyen su circuitería están aquí, ocupando un espacio 
minúsculo. Para la fabricación de estos microcircuitos se suelen emplear robotsindustriales de alta 
precisión.
 Pines: son pequeñas patillas que comunican el circuito principal o dado con el exterior. Cada una de estas 
patillas está numerada ya que, normalmente, tendrán funciones diferentes.
 Encapsulado: suele ser de material cerámico o plástico. Generalmente, es de color negro y sobre éste 
suele reflejarse el nombre del modelo, número de serie, fabricante, etc.
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3.3.5. Circuitos integrados.

Hojas de características o Datasheet: Son documentos que explican el funcionamiento de un componente 


electrónico concreto. Esta documentación es elaborada por el fabricante del dispositivo en cuestión, 
poniéndola a disposición del usuario de forma gratuita. Los datasheet suelen tener información relacionada 
con:
 Características y descripción general del dispositivo.
 Esquemas internos.
 Límites de funcionamiento y comportamientos (gráficas).
 Circuitos de conexión.
 Descripción de patillas o pines (circuitos integrados).

Estas hojas de características tienen vital importancia en los circuitos integrados debido a la complejidad de 
los mismos, por lo que es muy recomendable disponer de ellas antes de utilizar cualquier dispositivo de este 
tipo.

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3.3.6. Amplificadores operacionales.

Un amplificador operacional es un ejemplo de amplificador construido a partir de la técnica de los circuitos 
integrados, ofreciendo numerosas ventajas bajo pequeños costes. El nombre de operacional lo recibe debido 
que se utiliza, desde sus inicios, para la implementación de operaciones matemáticas básicas (suma, resta, 
multiplicación, etc.)

Originalmente estaban construidos con válvulas de vacío, posteriormente, hacia 1960 se comenzaron a 
fabricar con transistores y con la tecnología de los circuitos integrados.

Son numerosas sus aplicaciones en electrónica: amplificación, filtrado analógico, acoplamiento, rectificación, 
detección de umbrales y conmutación digital. 
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3.3.6. Amplificadores operacionales.

Un amplificador es un elemento, construido a partir de dispositivos electrónicos básicos, que es capaz de 
elevar la intensidad de señal que recibe a su entrada, suministrándola a la salida. Para realizar esto, debe 
recibir una alimentación externa.

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3.3.6. Amplificadores operacionales.

El amplificador operacional suele representarse de la siguiente manera:

Tiene dos terminales de entrada, una inversora y la otra no, otros dos terminales para alimentación simétrica 
y otro para la salida.
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3.3.6. Amplificadores operacionales.

La idea básica de funcionamiento de este tipo de dispositivos es fácil: el amplificador operacional es capaz de 
“leer” la tensión de la entrada no inversora, restarle la tensión de la entrada inversora, multiplicar este valor 
por un número muy grande (ganancia A) y reflejar el resultado en la salida.

Vo = A (V+ ‐ V‐)

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3.3.6. Amplificadores operacionales.

La realimentación negativa: La forma habitual de operación de este tipo de dispositivos se conoce como 
realimentación negativa, que consiste en conectar la salida del amplificador a la entrada inversora.
A continuación, se muestra el esquema de un circuito realimentado negativamente, denominado como 
amplificador inversor:

𝑉 𝑉

Como vimos, Vo = A (V+ ‐ V‐), y comparando se tiene que la ganancia es:  A = ‐


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3.3.6. Amplificadores operacionales.

Ejemplo: Calcular la tensión de salida V0 del esquema anterior, sabiendo que: Ri = 10 Ω, Rf = 30 Ω y Vi = 5 V.

Solución:
𝑉 𝑉 𝑉 5 𝑽𝒐 = ‐ 15 V

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3.3.7. Convertidores.
Las dos operaciones de Entrada / Salida que gozan de mayor importancia en el mundo de la electrónica son la 
conversión de digital a analógico (D/A) y la conversión de analógico a digital (A/D).

Convertidor Analógico/Digital (ADC)
Principio de operación: Un convertidor  (ADC) toma un valor de tensión de entrada analógica y, al cabo de 
cierto tiempo, produce un código de salida digital que representa la entrada analógica. El proceso de 
conversión A/D es, por lo general, más complejo y extenso que el de D/A.
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3.3.7. Convertidores.
Convertidor Analógico / Digital (ADC)

V .
.
.
Entrada D Salida digital:
Analógica C
B 0100 ; 1001 ; 0110 ; … 
A

Un circuito integrado que realiza esta función ADC0804.

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3.3.7. Convertidores. Entrada 
Convertidor Analógico/Digital (ADC) analógica salida digital
Vout D C B A
0 V 0 0 0 0
A continuación se muestra una tabla que relaciona los valores analógicos de 1 V 0 0 0 1
entrada para una señal de 15 V, con los valores digitales a la salida de un 2 V 0 0 1 0
convertidor de cuatro bits (D, C, B, A). 3 V 0 0 1 1
4 V 0 1 0 0
5 V 0 1 0 1
6 V 0 1 1 0
Los ADC convierten una señal continua en unos valores discretos que cuantizan 7 V 0 1 1 1
8 V 1 0 0 0
El valor de la señal tomada en un instante (muestra), para después poder ser
9 V 1 0 0 1
tratada por un dispositivo electrónico digital (sumarla a otra, restarla, combinarla, 10 V 1 0 1 0
filtrarla, representarla por pantalla…) 11 V 1 0 1 1
12 V 1 1 0 0
13 V 1 1 0 1
14 V 1 1 1 0
15 V 1 1 1 1
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3.3.7. Convertidores.
Convertidor Digital/Analógico (DAC) D
C
B
A
D/A
D/A

Entrada digital (combinación de ceros y unos) Salida analógica

La conversión D/A es consiste en tomar un valor digital y convertirlo en una tensión o corriente que sea 
proporcional al valor digital de la entrada. Este voltaje o corriente obtenido es una cantidad analógica debido 
a que puede tomar diferentes valores entre un cierto intervalo.
Las entradas digitales D, C, B y A proceden de un sistema digital y  por cada combinación de entrada, el voltaje 
de salida del DAC tomará un valor distinto. 
Un circuito integrado que realiza esta operación es el DAC80.

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3.3.7. Convertidores. Entradas digitales Salida analógica
Convertidor Digital/Analógico (DAC) D C B A Vout
0 0 0 0 0 V
0 0 0 1 1 V
A continuación, se muestra una tabla que relaciona los valores
0 0 1 0 2 V
digitales de entrada con la tensión a la salida (valor analógico 0 0 1 1 3 V
para una señal máxima de 15 V) del convertidor de cuatro 0 1 0 0 4 V
bits (D, C, B, A). 0 1 0 1 5 V
0 1 1 0 6 V
0 1 1 1 7 V
Los DAC se utilizan siempre que la salida de un circuito digital
1 0 0 0 8 V
deba suministrar un voltaje o corriente analógica para activar 1 0 0 1 9 V
algún dispositivo analógico (altavoz, motor eléctrico, tensión  1 0 1 0 10 V
en algún dispositivo…) 1 0 1 1 11 V
1 1 0 0 12 V
1 1 0 1 13 V
1 1 1 0 14 V
1 1 1 1 15 V
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3.3.7. Convertidores.

A continuación se muestra una señal analógica en color azul y su reconstrucción en rojo tras un proceso de 
conversión digital y su posterior reconversión en analógica.

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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.

3.4.1. Diodos, tiristores, tiristores GTO, transistores MOSFET, transistores IGBT.
La electrónica de potencia esta basada en la utilización de componentes que trabajan en conmutación, es 
decir, actúan como simples interruptores en virtud de sus características de uso. Al trabajar como 
interruptores, pueden estar abiertos o cerrados (bloquean la tensión o permiten la circulación de corriente 
sin ninguna restricción), pudiendo presentar únicamente estos estados (sin situaciones intermedias, excepto 
en el breve tiempo que dura la conmutación).

Los dispositivos empleados en el ámbito de la electrónica de potencia son los diodos rectificadores, los 
tiristores, tiristores GTO y transistores (BJT, Mosfet, IGBT).
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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.

3.4.1. Diodos, tiristores, tiristores GTO, transistores MOSFET, transistores IGBT.
Ejemplo, diodo:

Curva real del diodo Modelo lineal equivalente Modelo equivalente aproximado

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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación

Diodos rectificadores: Los diodos pueden ser de baja potencia, denominados diodos de señal, y de gran 
potencia, conocidos con el nombre de rectificadores. La diferencia de ambos modelos radica en que los 
últimos están diseñados para aplicaciones de gran potencia (corrientes superiores a 1A).

En la actualidad existen diodos rectificadores que pueden llevar una corriente muy grande, pudiendo llegar a 
los 5000 A.
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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación

Tiristores: También se les conoce como rectificadores controlados de silicio (SCR) y están formados por tres 
terminales: ánodo (A), cátodo (K) y puerta (G), correspondientes a tres uniones semiconductoras: P‐N‐P‐N.

En polarización inversa, los tiristores se comportan de forma similar a los diodos, circulando una pequeña 
corriente de dispersión por el dispositivo y sufriendo la posibilidad de que se produzca el fenómeno de 
avalancha en caso de aplicar tensiones negativas muy grandes.

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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación
Tiristores: En la polarización directa, el tiristor no conduce hasta que se supere una tensión de ruptura directa 
VBO, momento en el cual, el dispositivo pasa a estado de conducción. Esta tensión de ruptura, necesaria para 
disparar (activar o conducir) el tiristor, disminuye
cuanto mayor sea el valor de una corriente
introducida por el terminal de puerta (G). 

Con la inyección por puerta de una corriente (iG)
considerablemente elevada, (20 mA ~ 200 mA), 
el tiristor comienza a conducir, comportándose
como un diodo. Cuando el tiristor está conduciendo
se puede desconectar la corriente de puerta y el
dispositivo sigue en estado de conducción, por lo
que únicamente se necesita de un pequeño impulso
(10 a 50 microsegundos) de corriente por puerta
para disparar al tiristor.
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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación
Tiristores: El apagado o desconexión del tiristor se puede producir de dos maneras:

 Por conmutación natural: esta desconexión se produce cuando la corriente que entra por el ánodo 
disminuye por debajo de un valor concreto (Ih).
 Por conmutación forzada: en el caso de que no se pueda anular la corriente del cátodo, se puede forzar la 
desconexión del tiristor introduciendo una corriente por el ánodo (en sentido contrario).

Disparo al comienzo Disparo tardío

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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación

Tiristores GTO: También denominado tiristor de apagado por puerta ( gate turn off ). Al igual que los tiristores 


convencionales, el encendido del tiristor se produce con la inyección de una corriente positiva por puerta. La 
diferencia con los tiristores convencionales se encuentra en la posibilidad de apagado aplicando un intensidad 
por puerta de signo negativo. La corriente necesaria para
apagar el tiristor debe ser considerable, por lo que las pérdidas 
por conmutación suelen ser elevadas. 

Por esta razón, se suelen usar en aplicaciones con frecuencias
de conmutación inferiores a 1kHz.
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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación

Transistor bipolar de unión (BJT): El transistor de unión bipolar (bipolar junction transistor) es un 
componente de tres terminales con uniones N‐P‐N (más frecuente) ó P‐N‐P. Gracias a estas uniones y a una 
polarización adecuada permiten que el dispositivo pueda utilizarse como amplificador de corriente. Los tres 
terminales  del transistor se denominan: emisor (E), base (B) y colector (C).

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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación

Transistor bipolar de unión (BJT): Los transistores se conectan al circuito a través del emisor y colector, 
utilizándose el terminal de base como elemento de control. Si la corriente que pasa por la base (ib) es 0, el 
transistor se comporta como un circuito abierto o interruptor en estado OFF (no deja pasar la corriente).
Esta zona de operación se denomina zona de corte.

En el caso de que la intensidad de base sea lo suficientemente
elevada, el transistor adquirirá un estado ON, comportándose
como un interruptor cerrado. En este caso se dice que el
transistor se encuentra  en la zona de saturación.

Para mantener un transistor en conducción, es necesario que la
corriente iB tenga un valor mínimo.
Saturación
Corte
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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación
Transistor MOSFET: El transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor‐Field Effect Transistor) es un 
dispositivo de potencia, también con tres terminales: drenador (D), fuente (S) y puerta (G). Lleva integrado en 
su interior un diodo en sentido inverso ya que el MOSFET tiene muy poca capacidad de bloqueo en tensiones 
inversas.
La principal diferencia que presenta con respecto al BJT es la forma de disparo: al contrario que este último, 
que es un dispositivo que se dispara por corriente, un MOSFET es un transistor controlado por tensión. 
Cuando se aplica una tensión positiva entre la puerta y la fuente (VGS), el transistor entra en estado ON o de 
conducción.

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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación
Transistor MOSFET: Este dispositivo es capaz de conmutar muy rápidamente, por lo que se puede utilizar en 
aplicaciones de alta y baja frecuencia.
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3.4. Dispositivos semiconductores de potencia.
3.4.2. Principio de operación
Transistor bipolar de puerta aislada IGBT:  El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un 
dispositivo que combina las ventajas del BJT (tensiones e intensidades elevadas) y MOSFET (rapidez de 
conmutación y tensión de mando muy pequeña). Sus terminales son emisor (E), colector (C) y puerta (G).
Los transistores IGBT han favorecido un desarrollo notable en dispositivos de variación de frecuencia, 
máquinas eléctricas y convertidores de potencia.

M1‐ELECTROTECNIA ‐ Electrónica ‐ Electrónica básica


3.5. Simbología.
M1‐ELECTROTECNIA ‐ Electrónica ‐ Electrónica básica
3.5. Simbología.

M1‐ELECTROTECNIA ‐ Electrónica ‐ Electrónica básica


3.5. Simbología.
M1‐ELECTROTECNIA ‐ Electrónica ‐ Electrónica básica
3.5. Simbología.

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