LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
PRÁCTICA Nº 5. “DISEÑO DE AMPLIFICADORES FET”
Alejandro José Vergara Ávila
e-mail: alejovea9@hotmail.com
Leoner José Genes Gordon
e-mail: lgenes20@gmail.com
RESUMEN: En este laboratorio se realizaron los análisis
teóricos y prácticos para el diseño de amplificadores de
señal con Fet. Se desarrollaron los cálculos teóricos y
luego se procedió a montar el circuito en el laboratorio
para medir los diferentes parámetros en AC de un
transistor de efecto de campo (Fet), para así hacer la
comparación con los datos teóricos, y el respectivo
análisis que se presentará en este informe.
ABSTRACT: In this laboratory, there were realized the
theoretical and practical analyzes for the design of signal
amplifiers with Fet were carried out. The theoretical
calculations were developed and then the circuit was set
up in the laboratory to measure the different AC
parameters of a field effect transistor (FET), in order to
make a comparison with the theoretical data, and the
respective analysis Presented in this report.
KEY WORDS: JFET, Impedance, Gain, Id, Vds, Vgs.
1 INTRODUCCIÓN
En este informe se presentan los resultados,
diagramas esquemáticos, análisis de resultados y
simulaciones de la práctica realizada acerca del análisis
en AC de los Fet´s, con el fin de verificar de manera
experimental lo visto teóricamente.
1
2 MARCO TEORICO
Análisis a pequeña señal para FET
Los amplificadores con transistores de efecto de campo
proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
característica adicional de una alta impedancia de entrada.
Además, son considerados como configuraciones de bajo
consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencia
y un tamaño y peso mínimos.
Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo
decremental pueden emplearse para diseñar amplificadores
que cuenten con ganancias similares de voltaje sin embargo
el circuito MOSFET decremental tiene una impedancia de
entrada mucho mayor que la de una configuración JFET
similar.
Gracias a las características de impedancia de entrada alta
de los FET’s el modelo equivalente de AC para de alguna
forma más simple que el utilizado por los BJT’s. mientras
que el BJT cuenta con factor de amplificación β(beta), el
FET cuenta con un factor de transconductancia gm.
El FET puede emplearse como un amplificador lineal o
como un dispositivo digital en circuitos lógicos. De hecho, el
MOSFET incremental es muy popular en los circuitos
digitales, especialmente en los circuitos CMOS que
requieren un consumo de potencia muy bajo. Los
dispositivos FET también se utilizan ampliamente en
aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de
circuitos de interfaz para computadoras.
La AV en los FET´s con frecuencia menor que la obtenida
para un BJT, pero la Zi es mucho mayor que los del BJT, en
cambio la Z0 de salida son equivalente para ambos. La Ai
será una cantidad indeterminada debido a que la corriente
de entrada en los FET’s es 0μA.
Modelo de pequeña señal para el FET
Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra
el nivel de la corriente de drenaje mediante la ecuación de
SHOCKLEY.
2
V GS
I D=I DSS 1−
[ ] VP
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por
el cambio en el voltaje compuerta-fuente puede
determinarse mediante el uso del factor de
transconductancia gm de la siguiente forma:
4 ANALISIS DE RESULTADOS
ΔI D=gm ΔV
gm=transconductancia  Parámetros del transistor K161

3 DIAGRAMA ESQUEMATICO FINAL

DISEÑO 1

Para la práctica se diseña un circuito que cumpla con los

parámetros establecidos de:

Dichos cálculos se presentan en el preinforme, el circuito

diseñado se presenta en la figura 1.

 Para la primera parte de la práctica de laboratorio, se

implementa el circuito y se miden los valores de voltaje
y corriente en DC.
Figura 1. Diagrama esquemático del circuito

(práctico) (teórico) %Error

VDS 7,6 V 6,96 V 9,19%
VGS 0,72 V 0,85 V 15,29%
VRS 0,69 V 0,83 V 16,86%
VRD 3,5 V 5,86 V 40,27%
ID 1,42 mA 1,675 mA 15,22%
IG 0 mA 0 mA 0%
Tabla 1. Datos del voltaje y corriente DC

En la tabla 1 se observan los valores de voltaje y corriente

presentes en el circuito cuando este se polariza en DC.

A continuación, se grafica el punto de operación del circuito

con los valores de Vgs e Id.

2
 2,58 V
Avd= =9,92
260 mV
Punto de trabajo
8
Practica Teorica Error
7 Avd 10 9,92 0,76%
Curva de 6 Tabla 3. Datos teóricos y prácticos de la ganancia del
transferencia
5 circuito
Punto de trabajo
Id(mA)

4
La tabla 2 muestran los valores obtenidos para el voltaje de
3 entrada y salida en el circuito. Dichos valores se usan para
2 hallar la ganancia, la cual se muestra en la tabla 3.
1.42
1
También se halló la impedancia de entrada para la
0 configuración en AC del FET. La Zo se calcula midiendo la
-1.8 -1.6 -1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0
resistencia de RD, debido a una característica del FET que
Vgs(V) la aproxima a esta resistencia.

Figura 2. Grafica del punto de trabajo para el circuito Practica Teórica Error
Zi 115Ω 169,1Ω 31,99%
 La segunda parte de la práctica consistió en polarizar Tabla 4. Datos de impedancia de entrada del circuito
el circuito con una señal en AC y encontrar los valores
de las ganancias de corriente y voltaje y los valores
de las impedancias de entrada y salida.
6 CONCLUSIONES

Se obtuvo el punto de operación de un transistor de efecto

de campo mediante métodos experimentales, notando que,
a mayor resistencia en el surtidor, obtendremos un punto de
operación más alejado del punto cero, pero más cercano al
valor de voltaje Vp, sin embargo, el punto de operación no
se corta con la curva de transferencia, esto se puede deber
a los valores de resistencias que se usaron fueron
aproximaciones a los valores calculados.

Se comprobó el funcionamiento de la polarización en Ac en

compuerta común para el Fet; algunos errores fueron
bastante grandes, esto se debe a la aproximación de los
valores de resistencias que se trabajaron en el laboratorio, y
a errores en el diseño, afectando así a los valores
esperados.
Los Fet tienen una buena ganancia de voltaje, como se
pudo comprobar en el laboratorio, y se obtuvo una señal
con un valor 10 veces mayor que la señal de entrada, sin
embargo, presentó una impedancia de entrada baja.
Figura 2. Grafica de las señales de salida y entrada del
circuito La impedancia de salida está dada por la relación que existe
entre el voltaje y la corriente medida.
La ganancia en el circuito está dada por:
Vsalida 7 REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
Avd=
Ventrada [1] Millman J., Halkias C., (2001). Dispositivos y Circuitos
Electrónicos, Madrid: Pirámide.
[3] Tocci R., (1987). Dispositivos y Circutos electrónicos,
Vsalida Ventrada
México: INTERAMERICANA.
2,58 V 260 mV [4] Robert L Boylestad (1992) Electrónica: teoría de
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[5] Albert Paul Malvino (1989).Principios de electrónica

3
Hoja de datos