Universidad Distrital “Francisco José de Caldas”. Diego Zambrano, Lina Riaño. Informe Lab.
V Electrónica
INFORME DE LABORATORIO V
“POLARIZACIÓN DC-AC PARA BJT”
ELECTRÓNICA I
Lina María Riaño Enciso. Cód.: 20152007852; Diego Alejandro Zambrano Joya Cód.: 20152007857
Universidad Distrital “Francisco José de Caldas”
ABSTRACT
The following report seeks to observe the DC
and AC polarization behavior of the BJT
bipolar transistor, designing and
implementing the common emitter basic
configuration in order to find the system
currents 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑎𝑛𝑑 𝐼𝐵 , the voltage 𝑉𝐶𝐸 , and
with all of the above is taken as an end of
practice in the voltage gain (𝐴𝑉 ). For the
above, the analysis of the results of the
laboratory will be performed using theoretical
and practical data presented in said report on
the laboratory using data tables.
RESUMEN
En el siguiente informe se pretende observar
el comportamiento en polarización DC y AC
del transistor bipolar BJT, diseñando e
implementando la configuración básica de
emisor común con el fin de encontrar las
corrientes del sistema 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑒 𝐼𝐵 , el voltaje
𝑉𝐶𝐸 , y con todo lo anterior se tiene como fin
de la práctica hallar la ganancia en voltaje
(𝐴𝑉 ). Para lo anterior, se realizará el análisis
de los resultados del laboratorio mediante
datos teóricos y prácticos expuestos en dicho
informe sobre el laboratorio mediante tablas
de datos.
ÍNDICE DE TÉRMINOS — Corriente de
emisor (𝐼𝐸 ), Corriente de colector (𝐼𝐶 ),
Corriente de base (𝐼𝐵 ), Ganancia en voltaje
(𝐴𝑉 ), Resistencia, Transistor BJT 2N2222A,
Capacitor, Configuración Emisor Común,
Polarización DC, Polarización AC.
. de señales. Para la polarización en DC se
1. OBJETIVOS
1.1 OBJETIVO GENERAL
Aplicar los conocimientos acerca del
funcionamiento de un transistor junto con
elementos básicos como lo son las
resistencias y capacitores para que de ese
modo por medio de la fuente de voltaje DC y
el generador de señales sea posible
encontrar la Ganancia en Voltaje del Sistema
(𝐴𝑉 ).
1.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS
1.2.1 Verificar las corrientes de base,
emisor y colector así como el voltaje colector-
emisor.
1.2.2 Aplicar conocimientos teóricos para
lograr encontrar la resistencia dinámica del
diodo entre otros valores necesarios para
lograr cumplir el objetivo general de la
práctica
2. METODOLOGÍA
En principio, se realizarán las simulaciones
de los circuitos por medio del simulador
Multisim para afianzar los conocimientos
adquiridos en clase y además de esto se
realizarán los cálculos previos del circuito.
Después de esto, se procederá a montar el
circuito en físico, es decir, en la protoboard
según el diseño, las resistencias que por
medio de los datos teóricos serán de 470KΩ,
940KΩ, 2.2KΩ y 0.56KΩ, los capacitores de
valores de 10µF utilizando para ésta práctica
el transistor BJT 2N2222A el cual fue
previamente escogido en clase con ℎ𝑓𝑒 =
120. Para la polarización en DC se escogerá
el valor de 𝑉𝐶𝐶 = 20𝑉 y para la parte de
polarización en AC se utilizará el generador
medirá el voltaje de colector- emisor 𝑉𝐶𝐸 de la
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configuración en emisor común, así como (hasta 300 MHz). La beta (factor de
todas las corrientes del circuito 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑒 𝐼𝐵 . amplificación, hFe) del transistor es de por lo
Seguido de esto, se apagará la fuente de menos 100; valores de 150 son típicos.
voltaje DC y se encenderá el generador de
El 2N2222 es fabricado en diferentes
señales con, en donde el generador irá
formatos, los más comunes son los TO-
conectado al neutro común y de igual forma
92, TO-18, SOT-23, y SOT-223.
al oscilospio, lo cual equivale a una fuente de
100mV con 1Khz de frecuencia éste mismo A continuación se anexará el link de
irá conectado a la resistencia 𝑅𝐵 y al descarga del Datasheet de éste tipo de
capacitor que sale del 𝑉𝐶𝑄 ; en ese orden de transistor para mayor ampliación de los
ideas se podrá obtener el valor del voltaje valores que maneja éste mismo: [1]
final 𝑉𝑂𝑈𝑇 y el voltaje inicial 𝑉𝐼𝑁 . Por último,
con los datos anteriores se obtendrá la
ganancia de voltaje del sistema (𝐴𝑉 ) y se
calculará teóricamente la impedancia de
entrada 𝑍𝐼𝑁 y la impedancia de salida 𝑍𝑂𝑈𝑇
de la configuración.

3. RECURSOS

En este laboratorio se emplearon recursos

como la protoboard, resistencias de 940KΩ,
2.2KΩ y 0.56KΩ, los capacitores de valores
de 10µF, transistor BJT 2N2222A, fuente de
voltaje de 20V, fuente externa AC de
100mV con 1Khz de frecuencia y un
multímetro para verificar las corrientes y .
voltajes del circuito.
Fig. 1. Transistor 2N2222A

5. DESARROLLO TEÓRICO
4. MARCO TEÓRICO
5.1 CIRCUITO 1
4.1 TRANSISTOR BJT 2N2222A 5.1.1 ANÁLISIS DC
El Transistor 2N2222, también identificado
como PN2222, es
un transistor bipolar NPN de baja potencia de
uso general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificación
como de conmutación. Puede amplificar
pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o
medias; por lo tanto, sólo puede tratar
potencias bajas (no mayores de medio Watt).
Puede trabajar a frecuencias medianamente
altas.
Las hojas de especificaciones señalan como
valores máximos garantizados 500
miliamperios, 50 voltios de tensión de
colector, y hasta 500 mW de potencia. La
frecuencia de transición es de 250 a
300 MHz, lo que permite utilizarlo en Fig.2 Simulación Circuito I polarización DC
aplicaciones de radio de alta frecuencia
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5.1.2 ANÁLISIS AC
Partiendo de los valores:

 𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉
 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉
 𝛽 = 222
 𝑅𝐸 = 0.56 𝐾𝛺
 𝑅𝐵 = 940𝑘Ω
 𝑅 𝐶 = 2.2 𝐾𝛺

Nota: Durante el laboratorio se decidió

cambiar la resistencia 𝑅𝐵 del ejercicio teórico
dado a que con la resistencia inicial de
470KΩ no generaba voltaje en 𝑅𝐸 para así
duplicar ese valor para que aumente el
voltaje en 𝑅𝐸

Continuando con el procedimiento teórico, se

plantean las siguientes ecuaciones de malla
en donde se despeja la corriente 𝐼𝐵 :
Fig.3 Simulación Circuito I polarización AC
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (β + 1)𝑅𝐸
20𝑉 − 0,7𝑉
𝐼𝐵 =
940𝐾𝛺 + (222 + 1)0.56𝐾𝛺
𝐼𝐵 = 18.12 µ𝐴

De donde se deduce por medio de la

ecuación:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (β + 1)
𝐼𝐸 = 18.12µ𝐴(222 + 1)
𝐼𝐸 = 4.04 𝑚𝐴

Fig.4 Gráfica simulación Circuito I polarización AC

Teniendo lo anterior, por medio de la

siguiente ecuación podemos encontrar el
valor de la resistencia dinámica del diodo:

26𝑚𝑉
𝑟𝑒′ =
𝐼𝐸
26𝑚𝑉
𝑟𝑒′ =
4.04 𝑚𝐴
𝑟𝑒′ = 6.43Ω
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Si se quiere calcular la impedancia de 6. DATOS OBTENIDOS

entrada e impedancia de salida se debe
hacer lo siguiente: 6.1 CORRIENTES

PRÁCTICO TEÓRICO %E
Para 𝑍𝐼𝑁 :
𝐼𝐵 0.018(mA) 18.12 (µA) 0.66%
𝑍𝐼𝑁 = 𝑅𝐵 || (𝑅𝐸 + 𝑟𝑒′ )
𝑍𝐼𝑁 = 940𝐾𝛺 || (0.56𝐾𝛺 + 6.34𝛺) 𝐼𝐶 4.52 (mA) 4.02 ( mA) 12.44%
𝑍𝐼𝑁 = 940𝐾𝛺 || (566.43𝛺) 𝐼𝐸 4.52 (mA) 4.04 (mA) 11.88%
𝑍𝐼𝑁 = 566.089 Ω

6.2 IMPEDANCIAS DE ENTRADA Y

Para 𝑍𝑂𝑈𝑇 :
SALIDA
𝑍𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐶
𝑍𝑂𝑈𝑇 = 2.2 𝐾Ω TEÓRICO
𝑍𝐼𝑁 566.089 Ω
Para finalizar se calculará el valor de 𝑍𝑂𝑈𝑇 2.2 𝐾Ω
ganancia en voltaje (𝐴𝑉 ):
6.3 GANANCIA DE VOLTAJE
𝑉𝑂𝑈𝑇 TEÓRICO PRACTICO %E
𝐴𝑉 = 𝐴𝑉 - 3.82 V - 4.38 V 14.66%
𝑉𝐼𝑁

(−ℎ𝑓𝑒)(𝑖𝑏 )(𝑅𝐶 ) 7. CONCLUSIONES

𝐴𝑉 =
(𝑖𝑏 )(𝑅𝐵 ||(ℎ𝑓𝑒𝑟𝑒 ′ + (𝑅𝐸 )(ℎ𝑓𝑒 + 1)  Podemos concluir que en esta
(−222)(2.2𝐾𝛺) práctica se profundizó el conocimiento de
𝐴𝑉 =
(940𝐾𝛺||(222)(6.43𝛺) + (0.56𝐾𝛺)(223) la amplificación, determinando el punto de
−488.4𝐾𝛺 operación y las impedancias de entrada y
𝐴𝑉 = salida, con lo cual se observó
(940𝐾𝛺||(1427.46𝛺 + 124880𝛺)
evidentemente que no es posible obtener
−488.4𝐾𝛺
𝐴𝑉 = una amplificación sin una adecuada
(940𝐾𝛺||(126307.46𝛺) polarización DC.
−488.4𝐾𝛺  Se concluye que se pueden
𝐴𝑉 =
(111345.9456𝛺) presentar errores en las mediciones
𝐴𝑉 = −4.38 𝑉 debido a que los valores teóricos de los
elementos pueden no coincidir con los
Según lo que se obtuvo por medio de la reales (se hace necesario aproximarlos a
un valor superior o inferior)
simulación, el valor teórico de la ganancia de
voltaje es: 8. GLOSARIO

−764 ∗ 10−3 Todos los términos son conocidos y

𝐴𝑉 = = −3.82 únicamente se tuvo como base los apuntes
200 ∗ 10−3
en clase y los textos establecidos e
𝐴𝑉 = −3.82 𝑉
n el syllabus de la materia.

9. BIBLIOGRAFÍA

[1]
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/P2N22
22A-D.PDF
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