Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing.
Angel Barahona 1
Práctica III: Amplificadores con JFET de 1
etapa
Brayan Carbajal – 20151023161, Cristhian Cabrera – 20171000625, Eduardo Ortiz – 20151003067,
José Baide 20172000065, Marvin Cruz – 20171005946

Resumen— Se analiza el transistor JFET en la siguiente práctica
tanto para el comportamiento en AC como para DC para una etapa,
de consiguiente al analizar el transistor en AC se construyen las
configuraciones del drenador común, como también la fuente
común y compuerta común, ya que permite de cierta manera obtener
un máximo voltaje mediante una ganancia del Amplificador. Por lo
que también mediante el análisis en corriente directa, se puede
lograr obtener los parámetros de corriente del drenador y los
parámetros del drenador-fuente para un transistor JFET.
Palabras Clave— Compuerta, Distorsión, Drenaje, Fuente,
Ganancia, Impedancia, Transistor
I. INTRODUCIÓN
E l transistor de efecto de campo se le conoce abreviadamente
como FET. (Field Effect Transistor), es un dispositivo de
tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones que
coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT, es de
comprender que el FET es un dispositivo unipolar que depende
no sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como de
la condición de huecos (canal p). Aun cuando existen
diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos,
también hay muchas semejanzas. Las diferencias principales
entre los dos tipos de transistor radican en el hecho de que, el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, en
tanto que el transistor JFET es un dispositivo controlado por
voltaje. En otras palabras, la corriente IC es una función directa
del nivel de IB. Para el FET la corriente ID será una función del
voltaje VGE aplicado al circuito de entrada. En cada caso la
corriente del circuito de salida la controla un parámetro del
circuito de entrada: en un caso un nivel de corriente, y en el otro
un voltaje aplicado. Existen transistores de efecto de campo de
canal n y de canal p.
Una característica importante de los JFET es que tiene una
ganancia de voltaje muy elevada, en general son más estables y
pequeños que los BJT lo cual hace que sean particularmente
usados en los circuitos integrados.
II. OBJETIVOS
1) Analizar el funcionamiento de los JFET como
amplificadores
2) Comparar las configuraciones de JFET con las de BJT
3) Determinar cómo son las impedancia para cada
configuración de JFET
Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH
III. MARCO TEÓRICO
Los circuitos amplificadores con transistores, como el
amplificador de emisor común, se fabrican con transistores
bipolares, pero también se pueden hacer amplificadores de
pequeña señal con transistores de efecto de campo. Estos
dispositivos tienen la ventaja sobre los transistores bipolares de
tener una impedancia de entrada extremadamente alta junto con
una salida de bajo nivel de ruido, lo que los hace ideales para
usar en circuitos de amplificadores que tienen señales de
entrada muy pequeñas. La capacidad de un JFET para amplificar
se describe como trans-conductancia (gm) y es simplemente el
cambio en la corriente de drenaje dividido por el cambio en el
voltaje de la compuerta.
Para el transistor de efecto de campo, la relación entre las
cantidades de entrada y salida es no lineal debido al término al
cuadrado en la ecuación de Shockley. Las relaciones lineales
producen líneas rectas cuando una variable se grafica contra la
otra, mientras que las funciones no lineales producen curvas
como las que se obtienen para las características de un JFET.
La relación no lineal entre ID y VGS puede complicar la
aproximación matemática del análisis de cd de configuraciones
de FET. Un método gráfico limita las soluciones a una precisión
de décimas, aunque es más rápido para la mayoría de los
amplificadores con FET
A. Configuraciones en fuente común por divisor de voltaje
La Fig. 1 muestra un amplificador de fuente común con
polarización por divisor de voltaje y condensadores de
acoplamiento, CG y CD, en la entrada y salida y un
condensador de derivación, CS , de la fuente a tierra. El
circuito tiene una combinación de operación de DC y AC. La
señal de entrada, VEN , esta acoplada capacitivamente a la
compuerta, y la señal de salida, Vo, esta acoplado
capacitivamente desde el drenador. La salida amplificada
está desfasada 180 con la entrada. La ganancia de voltaje
y las impedancias entrada y salida se muestran en la Fig.
2.
Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing. Angel Barahona 2

Fig. 4: Ganancia, impedancia de entrada y salida para drenador común

C. Configuración en compuerta común

La Fig. 5 muestra un amplificador de compuerta común con

Fig. 1: Amplificador JFET fuente común
polarización por divisor de voltaje y condensadores de
acoplamiento, CS y CD, en la entrada y salida. El circuito tiene
una combinación de operación de DC y AC. La señal de
entrada, VEN , esta acoplada capacitivamente a la fuente, y la
señal de salida, Vo, esta acoplado capacitivamente desde el
drenador. La salida amplificada está en fase (0o) con la entrada.
Esta configuración presenta una disminución drástica en la
impedancia de entrada comparado con fuente común pero su
ganancia es casi la misma. La ganancia de voltaje y las
impedancias entrada y salida se muestra en la Fig. 6.

Fig. 2: Ganancias, impedancia de entrada y salida para drenador común

B. Configuración en drenador común por divisor de voltaje

La Fig.3 muestra un amplificador de drenador común con
polarización por divisor de voltaje y condensador de
acoplamiento, CG, en la entrada y un condensador de
derivación, CS, en la salida. El circuito tiene una combinación
de operación de DC y AC. La señal de entrada, VEN , esta
acoplada capacitivamente a la compuerta, y la señal de
salida, Vo, esta acoplado capacitivamente desde el drenador.
La salida amplificada está desfasada 180º con la entrada. La
Fig. 5: Amplificador JFET en compuerta común
ganancia de voltaje y las impedancias entrada y salida se
muestran en la Fig. 4

Fig. 6: Ganancia, impedancia de entrada y de salida para compuerta común

IV. MATERIALES Y EQUIPO

1) NI Multisim 14.0 o superior.
2) Computadora con S.O. Windows.
3) Puntas de prueba de NI Multisim
4) Osciloscopio de dos canales XSC
5) Resistencias de 300k, 5.1k, 47k, 2k, 100,100k
6) Resistencia variables 100k, 1k
7) Condensadores de 1µF, 47µF, 10µF
Fig. 3: Amplificador JFET drenador común
7) Fuentes de voltaje DC y AC
8) Transistor JFET 2N5484

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing. Angel Barahona 3

V. PROCEDIMIENTO
A. Análisis en DC B. Análisis en AC
 Construya el circuito de la fig.7 1. Configuración en fuente común
 Construya el circuito de la fig. 9, utilizar una fuente
AC sinusoidal a 10kHZ con 100mVp, y obtenga la
forma de onda sin distorsión.

Fig. 9: Amplificador con JFET en configuración de fuente común

Fig. 7: Polarización por divisor de voltaje de amplificadores JFET

 Mida los voltajes de drenador-fuente, drenador común

y la corriente del drenador.

Fig. 10: Conexión del osciloscopio al circuito JFET de fuente común

Fig. 8: Medición de los parámetros en DC del JFET

TABLA 1: PARAMETROS EN DC DEL AMPLIFICADOR JFET

Fig. 11: Salida vs entrada del amplificador JFET en fuente común, sin
VDSQ (V) VDCG (V) IDQ (mA) distorsión
6.13 6.60 1.25

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing. Angel Barahona 4

 Determine de la ganancia de voltaje de AC.

|𝑉𝑠𝑎𝑙 | (1)
A=
|𝑉𝑒𝑛 |

1.2823 𝑉
𝐴= = 13.1351
98.4153 𝑚𝑉

 Aumente el voltaje de entrada gradualmente hasta que

la señal de salida se vea distorsionada por saturación.
Determine el voltaje máximo permisible de entrada sin
sin que exista distorsión. Fig. 14: Medición de la impedancia de entrada

Fig. 15: Medición de la impedancia de salida

Fig. 12: Salida distorsionada del circuito para la configuración JFET fuente Impedancia de fuente comun
común
Zin Zout
𝑉𝑠𝑎𝑙 𝑀𝑎𝑥 (2) 50000
𝑉𝑒𝑛𝑀𝑎𝑥 = 45000
𝐴
40000
6.062
Impedancia (Ω)

𝑉𝑒𝑛𝑀𝑎𝑥 = = 0.4615 35000

13.1351 30000
25000
 Mida la impedancia de entrada y de salida
20000
15000
10000
5000
0
10 100 1000 10000
Frecuencia(Hz)
Fig. 16: Impedancia de entrada y salida de fuente comun

2. Configuración en drenador común (seguidor de

fuente)

 Construya el circuito de la fig. 17, se debe configurar

Fig. 13: Amplificador con JFET en configuración de fuente común, medición
la fuente con una frecuencia de 10kHZ y 1Vp, obtenga
de impedancia la forma de onda de salida sin distorsión.

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing. Angel Barahona 5

836.159𝑚 𝑉
𝐴= = 0.8435
991.5246 𝑚𝑉

 Mida de la impedancia de entrada y de salida

Fig. 17: Amplificador JFET en configuración de drenador común.

Fig. 20: Medición de impedancia de drenador común

Fig. 21: Impedancia de entrada de drenador común

Fig. 18: Conexión del osciloscopio al JFET en drenador común

Fig. 22: Impedancia de entrada de drenador común

Fig. 19: Salida vs entrada del amplificador JFET en drenador común sin
distorsión.

 Determine de la ganancia de voltaje de AC. Con la

ecuación (1)

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing. Angel Barahona 6

Impedancia drenador comun

Zin Zout
50000
45000
40000
35000
Impedancia (Ω)

30000
25000
20000
15000
10000 Fig. 26: Salida vs entrada del amplificador JFET en compuerta común
5000
 Determine de la ganancia de voltaje de AC. Con la
0
ecuación (1)
10 100 1000 10000
Frecuencia (Hz)
998.5795𝑚 𝑉
Fig. 23:Impedancia de entrada y salida de drenador común 𝐴= = 13.1250
75.3667 𝑚𝑉

3. Configuración en compuerta común.
 Construya el circuito de la fig. 25, se debe configurar
la fuente con una frecuencia de 10kHZ y 100mVp,
obtenga la forma de onda de salida sin distorsión.
 Aumente el voltaje de entrada hasta que se observe que
la señal de salida comience a distorsionarse por
saturación. Determine el voltaje máximo permisible
sin que exista distorsión

Fig. 24: Amplificador JFET en compuerta común

Fig. 27: Salida distorsionada del amplificador JFET en compuerta común

6.0382
𝑉𝑒𝑛𝑀𝑎𝑥 = = 0.46
13.1250

 Mida la impedancia de entrada y de salida

Fig. 25: Conexión del osciloscopio al JFET en compuerta común

Fig. 24: Medición de la impedancia de entrada de compuerta comun

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing. Angel Barahona 7

podemos notar que su voltaje máximo es bajo , en el caso de un

drenador común obtuvimos una ganancia baja pero un voltaje
máximo de entrada alto y esto debido a la relación que usamos
entre ambas configuraciones usando los mismos parámetros
con la diferencia de donde tomamos la salida pudimos
determinar esa relación mencionando también la diferencias de
fase de uno y otro ya que la configuración tiene un desfase de
180 grados y el drenador común mantiene su fase , para el de
compuerta común encontramos una ganancia alta pero se
distorsiona a un valor bajo de voltaje su señal al igual que en el
caso de la configuración fuente común esta configuración de
compuerta común no tiene desfase entre la salida y la entrada ,
Fig. 25: Medición de la impedancia de entrada compuerta comun
en todas las configuraciones analizadas en la práctica podemos
notar impedancias que mantienen su valor muy constante

VII. CUESTIONARIO
1) ¿Por qué se desea linealidad en los amplificadores
transistorizados? ¿Son lineales los amplificadores
JFET?

En los amplificadores JFET resultan tener una región lineal

Fig. 26: Medición de la impedancia de salida compuerta comun
debido a que la corriente ID es directamente proporcional al
valor VDS. La anchura del canal es proporcional a la diferencia
entre VGS y VP, como ID está limitada por la resistencia del
canal cuanto mayor sea VGS y VP, mayor será la anchura del
canal y la corriente obtenida.

Impedancia de compuerta comun 2) ¿Cómo es la impedancia de entrada del amplificador

JFET de compuerta común en comparación con la
Zin Zout
impedancia de entrada de fuente común y colector
6000
común? ¿Qué efecto tiene la impedancia de entrada en la
5000
ganancia del sistema? Explique.

Las impedancias de entrada son aproximadamente iguales

Impedancia (Ω)

4000
3000
2000
1000
0 práctica son: IDSS= 1,6 mA y VGS (off)=-2V? ¿Podría
10 100 1000 10000
Frecuencia(Hz)
Fig. 27: Impedancia de entrada y salida de compuerta común
VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS
Si comparamos las gráficas y los resultados de la configuración
fuente común y la configuración drenador común podemos
observar que su principal diferencia era de donde tomábamos la
salida para la carga debemos tener en mente el equivalente
Hibrido ya que este también nos ayuda a entender porque hay
diferencia tanto en las ganancias de las configuraciones y por
tanto en su Vmaximo de entrada podríamos usar métodos vistos
en clase como reflexión de impedancia a los híbridos de un FET
pudimos observar que la ganancia de voltaje de una
configuración fuente común es muy buena sin embargo
para las configuraciones de fuente y drenador común ya que se
tienen valores en un rango de 40kΩ a 45kΩ mientras que es
menor para la configuración en compuerta común sim embargo
para cada caso al aumentar la impedancia de entrada se
disminuye la ganancia.
3) ¿Los parámetros del JFET 2N5457 utilizado en la
reemplazar este JFET por otros con IDSS= 5 mA y VGS
(off) =-3V en los circuitos de amplificadores JFET visto
en la práctica? ¿Cómo sería el probable funcionamiento?
¿Es necesario rediseñar el circuito para un correcto
funcionamiento?
Dado que el voltaje de polarización en el drenador-fuente es
de 8 volts, a pesar de que cambiamos el umbral este sigue en la
zona de saturación, por lo tanto, si se puede cambiar el
transistor, puesto que la corriente aumento debemos ajustar las
resistencias de los terminales de drenaje y fuente.
4) ¿De qué depende la impedancia de salida en los
amplificadores con JFET? ¿Se puede modificar su valor
sin afectar otros parámetros como la ganancia de estos
amplificadores?

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Freek Figueroa –Sec. Clase 1500 – Ing. Angel Barahona 8

Para las configuraciones de fuente y compuerta común la que se usa un voltaje pequeño su compuerta Gate no circula
impedancia de salida depende directamente del valor que halla corriente y funcionan con un campo eléctrico esto los vuelve
en la resistencia de drenaje, para la configuración de drenador dispositivos muy útiles en la electrónica.
se verá afectada por el paralelo de la resistencia de la fuente y
el inverso de la transconductancia, la ganancia se verá afectada Para determinar que configuración es óptima en un determinado
si modificamos alguno de estos parámetros ya que en el modelo caso debemos tener en cuenta que necesitamos si queremos un
equivalente hibrido en pequeña señal son utilizados para ganancia alta sería un fuente común o compuerta común si el
calcular la ganancia. voltaje de entrada es un poco mayor al máximo de estas
configuraciones podemos optar por el drenador común y
5) Haga una tabla comparativa que muestre las ventajas de también si nos interesa la fase debemos tener en cuenta que
las 3 configuraciones de los amplificadores con JFET en fuente común tiene un desfase de 180 grados y los otros 2 no
relación a su ganancia e impedancias. tienen dicho desfase además de sus valores nominales estos nos
ayudaría a determinar que necesitamos en determinado trabajo.
TABLA 2: TABLA COMPARATIVA DE LAS IMPEDANCIA Y
GANACIAS PARA LAS CONFIGURACIONES DE JFET
Configuración de
Configuración Configuración IX. REFERENCIAS
Característica compuerta
surtidor común drenador común
común
Muy baja
Impedancia Extremadamente Extremadamente
de entrada alta alta [1] M. E. Rivera y O. Alvarenga, «Guia de práctica 3:
Amplificadores con JFET de 1 etapa,» Tegucigalpa, 2020.
Moderada
Impedancia
de salida
Moderada Baja [2] D. Schilling y C. Belove, Circuitos Electronicos,
McGRAW-HILL, 1993.
Moderada
Ganancia de [3] R. Boylestad y L. Nashelsky, Electronica:Teoria de
Alta Inferior a 1
tensión
circuitos y dispositivos electronicos, PEARSON, 2003.
Inferior a 1
Ganancia de Extremadamente Extremadamente [4] Documen tips, «Configuraciones basicas de los JFET,»
corriente alta alta
[En línea]. Available:
https://dokumen.tips/documents/configuraciones-basicas-
6) De dos ejemplos de cada una las resistencias RL y REN de-los-transistores-jfet.html. [Último acceso: 31
(de las Fig.1, 3, 5 que simbolicen en la realidad. ¿Cuáles Noviembre 2020].
son sus valores ideales?

RL No tiene valores ideales, ya que se refiere a la carga y esta

puede variar bastante dependiendo el objetivo de nuestro
diseño, aunque para una carga nuestro sistema no pueda suplir,
se tendría que rediseñar el circuito amplificador.

REN. El valor ideal para REN es de 100Ω o menor ya que esta

es una resistencia interna de la fuente, ya que representa la
resistencia del generador, el cual está por fuera de nuestro
circuito amplificador.

VIII. CONCLUSIONES
Si comparamos las configuraciones de un FET y un BJT
podemos decir que los FET son dispositivos controlados por
voltaje y los BJT son dispositivos controlados por corriente eso
se puede ver también en sus equivalentes híbridos los cuales son
muy útiles para el análisis de estos circuitos ya que uno es
controlado por la corriente de base (BJT) y el otro por el voltaje
VGS (JFET).

Los JFET son dispositivos que funcionan bien como

amplificadores esto gracias a su gran resistencia de entrada y su
baja resistencia de salida lo cual permite que sea idóneos para
el uso en circuitos integrados debido a los niveles de potencia
que consume entre otras aplicaciones.

Los JFET al igual que los BJT son dispositivos que trabajan
como amplificadores así mismo podemos controlar la corriente
que queremos usar además de un consumo bajo de energía ya

Ingeniería Eléctrica Industrial - UNAH