Amplificadores con JFET de 1 Etapa.

Laboratorio de Electrónica II – Instructor: Miguel Eduardo Rivera

Sección de Laboratorio: Ju (10-12)
08/03/18

Dulce Natalia Cartagena Alvarenga
Número de cuenta: 20142000321
Departamento de Ingeniería Eléctrica
Ciudad Universitaria (UNAH)
Tegucigalpa, Honduras
Alexis Eduardo Lagos Marco Tulio García Sierra
Número de cuenta: 20141001335 Número de cuenta: 20141004799
Departamento de Ingeniería Eléctrica Departamento de Ingeniería Eléctrica
Ciudad Universitaria (UNAH) Ciudad Universitaria (UNAH)
Tegucigalpa, Honduras Tegucigalpa, Honduras

Resumen— Se experimentó en esta práctica con distintas c) Profundizar el conocimiento del transistor de efecto de
configuraciones de amplificador con JFET, donde se montó el campo de juntura o unión (JFET) de una etapa como
circuito correspondiente para cada sección de la guía y así mismo amplificador.
se hicieron las mediciones correspondientes, para con ellas poder
analizar el comportamiento de cada una y observar si fue
correcto el funcionamiento del sistema, pendiente de simulaciones
d) Observar de forma gráfica las ganancias y señales en los
para poder corroborar los datos obtenidos durante el laboratorio. circuitos que se van a construir, con la ayuda de NI
ELVIS y de Multisim (simulaciones).
Palabras Clave—Amplificador, distorsión, ganancia, e) Conocer los voltajes máximos de distorsión para las
polarización. diferentes conexiones, y observar el gráfico de señal de
salida del amplificador.
I. INTRODUCCIÓN
f) Diseñar un amplificador de una etapa basado en un
El transistor de efecto de campo JFET, se basa en el transistor JFET.
campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en
un material semiconductor. En los transistores JFET un III. MARCO TEÓRICO
pequeño voltaje de entrada es el que controla la corriente de
salida. A. Configuración en fuente común:

Así como en la práctica de los Amplificadores con BJT de
1 Etapa se estudiaron y analizaron sus configuraciones
básicas; de igual manera se detalla a continuación, para los
Amplificadores con JFET de 1 Etapa, teniendo como
Configuraciones Básicas: Fuente Común, Drenador Común,
Compuerta Común y el Efecto de las Resistencias de Entrada
y de Carga; considerando dos diseños y análisis para cada
configuración, análisis en CA Y CD.
La importancia de los amplificadores con JFET radica a
muchas de las aplicaciones en la realidad, algunas de ellas,
como amplificador de baja frecuencia (utilizado como
audífonos para sordera y transductores inductivos),
amplificador con CAG (receptores y generadores de señales),
amplificador de RF (sintonizadores de FM y equipo para
comunicaciones), entre otras.
II. OBJETIVOS
a) Verificar el comportamiento de un amplificador con
JFET de una etapa.
La tensión de puerta JFET Vg está polarizada a través de la
red de divisor de potencial establecida por las resistencias R1
y R2 y está polarizada para operar dentro de su región de
saturación que es equivalente a la región activa del transistor
de unión bipolar.
A diferencia de un circuito de transistor bipolar, el FET de
unión prácticamente no tiene corriente de puerta de entrada
que permita que la puerta sea tratada como un circuito abierto.
Entonces no se requieren curvas de características de entrada.
Anteriormente dijimos que la corriente de entrada, Ig de un
amplificador JFET de fuente común es muy pequeña debido a
la impedancia de puerta extremadamente alta, Rg. Por lo tanto,
un amplificador JFET de fuente común tiene una muy buena
relación entre sus impedancias de entrada y salida y para
cualquier cantidad de corriente de salida, porque el
amplificador JFET tendrá una ganancia de corriente Ai muy
alta. Debido a esta fuente común, los amplificadores JFET son
extremadamente valiosos como circuitos de adaptación de
impedancia o se usan como amplificadores de voltaje.

b) Analizar la configuración en fuente, drenador y

compuerta común.

Ingeniería Eléctrica Industrial – UNAH


Figura 1. Circuito en fuente común
B. Configuración en drenador común
En electrónica, un amplificador de drenaje común,
también conocido como seguidor de fuente, es una de las tres
topologías de amplificadores de amplificador de transistor de
efecto de campo (FET) de etapa única, típicamente utilizados
como un buffer de voltaje. En este circuito (NMOS), el
terminal de puerta del transistor sirve como entrada, la fuente
es la salida y el drenaje es común para ambos (entrada y
salida), de ahí su nombre. El circuito de transistor de unión
bipolar análogo es el amplificador colector común. Este
circuito también se llama comúnmente "estabilizador".
Además, este circuito se usa para transformar impedancias.
Por ejemplo, la resistencia de Thévenin de una combinación
de un seguidor de voltaje impulsado por una fuente de voltaje
con alta resistencia a Thévenin se reduce a solo la resistencia
de salida del seguidor de voltaje (una resistencia pequeña). Esa
reducción de resistencia hace que la combinación sea una
fuente de voltaje más ideal. Por el contrario, un seguidor de
voltaje insertado entre una etapa de manejo y una carga alta
(es decir, una resistencia baja) presenta una resistencia infinita
(baja carga) a la etapa de manejo, una ventaja en el
acoplamiento de una señal de voltaje a una carga grande.
Figura 2. Configuracion de drenador común
C. Configuración en compuerta común:
La configuración de FET de puerta común proporciona una
baja impedancia de entrada a la vez que ofrece una impedancia
de salida alta. Como la puerta está conectada a tierra, esto
actúa como una barrera entre la entrada y la salida, lo que
proporciona altos niveles de aislamiento y evita la
retroalimentación, especialmente a frecuencias muy altas.
Aunque la ganancia de voltaje es alta, la ganancia de
corriente es baja y la ganancia de potencia general también es
baja en comparación con las otras configuraciones de circuito
FET disponibles.
Hay algunas áreas donde resulta ser muy útil:
Amplificadores de RF: la configuración de circuito de
compuerta común o de tierra se utiliza para amplificadores de
RF VHF y UHF donde la baja impedancia de entrada permite
una adaptación precisa a la impedancia del alimentador, que
normalmente es de 50 Ω o 75 Ω. La configuración también
mejora la estabilidad, que es un problema clave. La puerta, al
estar conectada a tierra, proporciona aislamiento entre la
entrada y la salida, lo que reduce considerablemente la
posibilidad de retroalimentación.
Amplificadores de micrófono: la configuración de circuito
de compuerta común encuentra usos con amplificadores que
requieren bajos niveles de impedancia de entrada. Una
aplicación es para preamplificadores de micrófonos de bobina
móvil: estos micrófonos tienen niveles de impedancia muy
bajos.
IV. MATERIALES Y EQUIPO
 NI ELVIS
 Simulador Multisim
 Resistencias de 3kΩ, 180kΩ, 680kΩ, 6.8kΩ, 100kΩ y
1kΩ.
 Capacitores de 47µF, 10µF, 1 µF
 Transistor JFET (2N5454)
 V. PROCEDIMIENTO

A. Características del JFET.

 Se construyó el circuito de la figura 1.

Figura 2: Polarización en DC por divisor de voltaje

 Mida el voltaje drenador-fuente VDSQ y la corriente de

Figura 1: Circuito para obtener los parámetros del JFET drenador IDQ.

 Varíe el voltaje VDS desde 0 con incrementos pequeños y V DSQ=1.268 V

mida la corriente de drenador como lo indica la Tabla 1.
(1)
TABLE I. I DQ =1.402mA

VDS ID b) Análisis en AC
(V) (mA)
0 0  Se construyó el circuito de la Figura 3.
0.5 1.352
1 2.326
2 3.131
3 3.139

VGS(off) IDSS
(V) (mA)
1 2.326

Tabla 1: Parámetros del JFET

B. Configuración en Fuente Común.

a) Polarización en DC

 Se construyó el circuito de la Figura 2.

Figura 3: Amplificador con JFET en configuración de fuente

común.

 Utilice una fuente AC senoidal a 10 KHz en la entrada

con 10 mVp y obtenga la forma de onda de salida sin
distorsión. Grafique en la figura 4 junto a la señal de
entrada.
  Se construyó el circuito de la Figura 6.

Figura 4: Salida del amplificador JFET en fuente común Figura 6: Amplificador JFET en configuración de drenador
común.
 Determine la ganancia de voltaje de AC.
 Utilice una fuente AC senoidal a 10 KHz en la entrada
|V sal| 231.65 mV con 1 Vp y obtenga la forma de onda de salida sin.
A= = =37.6667 (2) Grafique en la figura 7 junto a la señal de entrada.
|V en| 6.15 mV
 Determine la ganancia de voltaje AC.
 Aumente el voltaje de entrada gradualmente hasta que la
salida se distorcione. Grafique la señal de salida de Vsal 607.25 mV
distorsión en la figura 5. A= = =0.9432 (4)
Ven 643.78 mV

Figura 5: Salida distorcionada del amplificador JFET en Figura 7. Salida del JFET en drenador común
fuente común.
D. Configuración en Compuerta Común
 Determine el voltaje máximo permisible de entrada
mediante VSALMAX sin que exista distorsión.
a) Polarización en DC
V salMax 300.2 mV
V enMax = = =7.9699V (3)  Se construyó el circuito de la Figura 8.
A 37.6667
C. Configuración en Drenador Común (Seguidor de
Fuente)
Figura 8: Amplificador JFET en configuración de compuerta
común.

 Observe el circuito de la Figura 8 y compárelo con el de Figura 10. Salida distorcionada del JFET en compuerta
la Figura 3 para fuente común. ¿Existe similitud? Rl=Sí común

 Medimos el voltaje DC drenador- compuerta VDGQ y la  Determinamos el voltaje máximo permisible de entrada
corriente de drenador IDQ. mediante el VsalMax sin que existiera distorsión.

V DGQ=6.88 V
(5)
I DQ =60.446 mA
c) Análisis en AC
 Utilizamos una fuente AC senoidal a 10kHz en la entrada
con 100mVp y obtuvimos la onda de salida sin distorsión
que se muestra en la fig. 9 junto con la señal de entrada.
 Determinamos la ganancia de voltaje de AC.
VsalMax 10.577
V enMax = = =0.47 v (7)
A 22.67
E. Efecto de las Resistencias de Entrada y de Carga
 En el amplificador con FET en compuerta común,
cambiamos la resistencia RL con una resistencia de 1kΩ.
 Utilizamos una fuente AC senoidal a 10kHz en la entrada
con 100mVp y obtuvimos la forma de onda de salida sin
distorsión, se puede observar en la Fig. 11
 Determinamos la ganancia de voltaje en AC.

A= |Vsal |=
3.528
Ven 0.1556
=22.67 (6)
A= |Vsal =
590.89 mV
Ven | 152.66 mV
=3.87 (8)

Figura 9. Salida del JFET en compuerta común
 Aumentamos el voltaje de entrada gradualmente hasta
que la salida se distorsiono, los resultados se muestran en
la Fig. 10
Figura 11. Efecto RL bajo en los amplificadores con
JFET
 Volvimos a conectar RL=100kΩ. Y a parte conectamos
una resistencia Ren=1kΩ en serie con el capacitor C1.
 Utilizamos una fuente AC senoidal a 10kHz en la entrada
con 100mVp y obtuvimos la forma de onda de salida sin Figura 5: Salida distorsionada del amplificador JFET en fuente
distorsión, se puede observar en la Fig. 12 Común

 Determinamos la ganancia de voltaje en AC. B. Configuración en Drenador Común

A= |Vsal
Ven |=
780.88 mV
181.2 mV
=4.31 (9)

Figura 7: Salida del amplificador JFET en drenador común

Figura 11.
VI. SIMULACIONES
C. Configuración en Compuerta Común
A. Configuración en Fuente Común

Voltaje de entrada (amplificador JFET en fuente común)

Figura 9: Salida del amplificador JFET en compuerta común

VII. ANALISIS DE RESULTADOS

Al analizar las características del JFET en la primera parte

Voltaje de salida (amplificador JFET en fuente común)
se verificó que el FET de unión no tiene corriente de puerta de
entrada (Ig) que permita que la puerta sea tratada como un
circuito abierto, debido a la impedancia de puerta
extremadamente alta, Rg. Posteriormente se analizó el
amplificador JFET de fuente común consiguiendo una
ganancia de corriente Ai muy alta lo que da a entender la
buena relación entre sus impedancias de entrada y salida.

Los datos obtenidos para la configuracion del drenador

común fueron lo esperado, la ganancia del circuito se pudo
comprobar es aproximadamente 1, y se corroboró con
simulaciones.
 La ganancia de 1 corrobora su correcto funcionamiento,
cuya principal función es búfer, o adaptador de impedancias,
el sistema evita que el segundo circuito se cargue demasiado y
tenga un funcionamiento incorrecto.
VIII.
IX. CUESTIONARIO
a) ¿Por qué al obtener las características del JFET
obtenemos una ID mayor que IDSS?
R/ Esto se debe a que el control de esta corriente, I D, se
efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de
polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor
(VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de
la corriente a través del canal N. Al aumentar el voltaje
inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico,
y la corriente de Surtidor a Drenador disminuye.
Esto hace que inicialmente circule una corriente por la
compuerta, pero posteriormente la corriente circula
únicamente desde el surtidor al drenador sin cruzar la juntura
PN.
Además ya hemos comprobado que la corriente de drenador
depende de VGS.
b) ¿Qué pasa cuando el JFET de canal N tiene un V GS
positivo? ¿Y el JFET de canal P para VGS negativo?
R/ Si se tiene para el canal N una tensión negativa entre
puerta y fuente (VGS) se obtendrá, una corriente circulando en
el sentido de drenador a fuente, de lo contrario cambiaría el
sentido de la corriente (de fuente a drenador). En el caso del
JFET de canal P la tensión VGS es positiva, de esta forma la
corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenador, de
lo contrario la corriente fluirá de drenado a fuente.
Al polarizar en inversa, una capa del canal adyacente a la
puerta se convierte en no conductora. A esta capa se le llama
zona de carga espacial o deplexión. Cuanto mayor es la
polarización inversa, más gruesa se hace la zona de deplexión;
cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,
se llega al corte del canal. A la tensión necesaria para que la
zona de deplexión ocupe todo el canal se le llama tensión
puerta-fuente de corte (VGSoff ó Vto).
Para el caso del JFET de canal n la tensión de polarización
VGS de dicho diodo tiene que ser negativa y a lo mucho igual
a cero, lo que se logra al hacer esto es que la región de
agotamiento del diodo se puede controlar variando la tensión
VGS, cuando la VGS=0 la región de agotamiento del diodo
será mínima y el canal n será lo más ancho que pueda; si poco
a poco la tensión VGS se hace negativa, esta hará que la
región de agotamiento del diodo crezca, ya que el diodo se
polariza en inversa, esto a su vez hace que el canal
semiconductor se angoste, llegará un momento que la VGS
sea lo suficientemente negativa que hará que la región de
agotamiento sea tan grande como para que el canal
semiconductor desaparezca o se cierre; a esa tensión se le
conoce como tensión compuerta fuente de apagado o de corte
del JFET.
c) ¿Qué son los JFET simétricos? ¿Son simétricos todos los
JFET?
R/ Las terminales drenador y surtidor de JFET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la
característica V-I.
No todos los JFET pueden considerarse simétricos
dependiendo de las características del transistor podría
considerarse despreciable o no el cambio de las terminales
drenador y surtidor.
d) ¿Qué simbolizan las resistencias RL y Ren? ¿cuáles son
sus valores ideales?
La alta impedancia de entrada se debe a la forma en que
operan: los JFET son transistores de efecto de campo, por lo
que la forma en que controlan la corriente es diferente.
La compuerta a la impedancia de la fuente es naturalmente
muy alta con estos componentes.
Un JFET es un dispositivo de agotamiento: comienza con
una baja resistencia entre el drenaje y la fuente, y luego la
fuente de compuerta está polarizada inversamente para
desactivar el FET. Como la puerta de entrada es básicamente
un diodo, tiene un flujo de corriente casi nulo (solo un poco de
capacitancia para cargar). Con un JFET, si avanza la puerta, la
impedancia será baja, como un diodo normal.
La resistencia de salida de un Jfet depende de su ganancia,
frecuencia, resistencia interna de la fuente, y resistencia de
carga de fuente externa. Tiende a ser una resistencia muy baja
X. CONCLUSIONES
a) En los transistores bipolares, una pequeña
corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en el
caso de los JFET, es un voltaje de entrada que
controla la corriente de salida. El JFET nunca
opera con la puerta polarizada directamente, o sea
que no hay circulación de corriente por ese
terminal, salvo la corriente de fuga, por lo que la
corriente que circula en la entrada (Ig) es
despreciable (es muy pequeña);  ahora el valor de
corriente IDSS representa el valor cuando la puerta
se pone a tierra, obteniendo la máxima corriente
del dispositivo.
Con la polarización inversa en la unión de
entrada, se tiene una impedancia de entrada muy
alta, tener una alta impedancia de entrada es uno
de los factores por los que se emplea un JFET.
(Dulce Natalia Cartagena)
b) En la configuración fuente común se sabe que se
tiene la ganancia de corriente Ai más alta, esto se
debe a la buena relación entre sus impedancias de
entrada y salida (porque la impedancia de entrada
es muy alta) para cualquier cantidad de corriente
 de salida. Además se puede considerar que este aproximadamente igual a la de la compuerta, la
amplificador tendrá la ganancia de corriente más Vg
grande, porque la corriente de surtidor de un impedancia de salida aparenta ser , con esta
id
transistor es la suma de las corrientes de la
formula el rango estaría entre 1k a 100 ohms, que
compuerta y drenador, dado que las corrientes de
es relativamente bajo cuando la resistencia de
la compuerta y drenador siempre se suman al
entrada puede ser del orden de 1M, tal como
surtidor.
describe la caracteristica de esta configuracion.
Debido a esta fuente común, los amplificadores
(Alexis Eduardo Lagos)
JFET son de gran uso como circuitos de
adaptación de impedancia o se usan como XI. REFERENCIAS
amplificadores de voltaje. (Dulce Natalia
Cartagena)
[1]Antonio Rubio, X. A., & Diego Mateo, F. M. (2003).
Diseño de circuitos y sistemas integrados. Barcelona:
c) Pudimos observar que este circuito está realizado
Ediciones UPC.
con polarización de voltaje(drenador común), la
[2]desconocido. (2013). electronics tutorials. Obtenido de
compuerta está en polazición inversa, entonces la
www.electronics.tutorials-ws
entrada será R1 y R2 en paralelo. La resistencia de
[3]desconocido. (2015). electronics notes . Obtenido de
salida se puede determinar viendo el circuito
www.electronic-notes.com
desde la carga, como la ganancia es
[4] Emagister.com (2018) obtenido de:
aproximadamente 1 y la señal de la fuente es
www.emagister.com/uploads/home