I.

INTRODUCCIÓN

JB (Ian) Gunn descubrió el efecto Gunn el 19 de febrero 1962. Observó oscilaciones aleatorias de ruido cuando
polariza muestras de GaAs (Arseniuro de Galio) de tipo n por encima de un cierto umbral. También descubrió que la
resistencia de las muestras cayó a condiciones de polarización aún mayores, que indican una región de resistencia
diferencial negativa. Como se explicará más adelante, esto conduce a pequeñas oscilaciones de corriente de señal.

Debido a su relativa simplicidad y bajo costo, los diodos Gunn siguen siendo populares hasta el día de hoy.

La Universidad de Stellenbosch, en conjunto con la Universidad de Port Elizabeth, actualmente fabrica GaAs Gunn-
diodos para fines de investigación. El objetivo es optimizar Gunn-diodes para a.c. salida a frecuencias de banda W.

Las simulaciones en este documento han sido realizadas por un simulador de partículas Monte Carlo desarrollado en
la Universidad de Stellenbosch.

II. EL EFECTO GUNN EN EL SENTIDO ESTRICTO

a) Para entender el efecto Gunn es necesario tener algo de comprensión del comportamiento de los electrones en
una red cristalina, y lo más importante, la energía permitida establecer electrones que puedan ocupar. Estos
están dictados por la estructura de banda de energía de un semiconductor que relaciona la energía de un
electrón con su vector de onda K.

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los
contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs),
ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto bajo la condición de que el voltaje en la plaquita
sea mayor a los 3.3 voltios / cm.
Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una cavidad resonante), se
producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador. Este efecto Gunn sólo se da en
materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo
eléctrico.
Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una
plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua.

La estructura de banda para GaAs se muestra en la Figura 2. Tanto él se muestran las bandas de valencia
(energía electrónica negativa) y conducción (energía electrónica positiva). Solo las bandas de conducción deben
considerarse para el estudio de la dinámica de los electrones, ya que los electrones en las bandas de valencia
son estacionarios. Las bandas de energía son estructuras muy complejas. Esta, sin embargo, claro de la Figura 2
que para un electrón realista energías (E <2eV) solo la curva de banda de conducción más baja "valles" distintos
en las orientaciones espaciales de cristal etiquetadas Γ, L y X. A los efectos de este documento, es suficiente
considere el valle r central y el valle L satelital solamente. los electrones son generalmente ubicados cerca del
fondo de los valles. Para electrones bajos energías, en relación con estos mínimos de banda, la estructura de la
banda puede ser aproximado por una relación parabólica E-k .

= Banda de energía, es la energía que necesita antes el electrón para qué pueda someterse a una transición
central a satélite

La aproximación parabólica de dos valles es muy simple de implementar y es suficiente para la mayoría de las
aplicaciones de campo moderado. En la Figura 3 se muestra una aproximación parabólica de dos valles a la
banda de energía de GaAs. En términos de esta aproximación parabólica, la energía de un electrón en cada
valle está dado por

con k la magnitud del vector de onda, m * la masa efectiva del electrón asociado con ese valle y h la
constante de Planck reducida.

La masa efectiva de un electrón libre en un semiconductor difiere de la masa de un electrón libre en el vacío
debido a la interacción de los electrones con los átomos del cristal. Un electrón en un semiconductor se
 comporta dinámicamente como una partícula clásica con masa m *. Es importante tener en cuenta que la
estructura de banda del valle central r tiene una curvatura más nítida que la del satélite L valle.

De la ecuación se deduce que la masa efectiva asociada con un electrón en el valle central, 𝑚Γ ∗ es
mucho menos que la masa efectiva asociada con un electrón en el valle L, 𝑚L ∗ (𝑚L ∗ = 5 𝑚L ∗ para GaAS).
Este fenómeno es fundamental para el efecto Gunn como se explicará más adelante. La brecha energética A
qué se muestra en la Figura 3 es la energía que un electrón en el valle r tendrá que adquirir antes de que
pudiera experimentar una transición al valle de L. Para GaAs = 0.36eV.

b) Mecanismo del electrón transferido

Cuando no se aplica polarización a un semiconductor, casi todos los electrones ocupan el valle r ya que sus
energías térmicas respectivas son generalmente mucho menores que la brecha de energía . Si la muestra está
polarizada, los electrones son acelerados por el campo eléctrico aplicado y puede ganar suficiente energía para
ser transferido al valle del satélite. Este fenómeno es verificado por simulaciones de Monte Carlo e ilustrado por
el gráfico en la Figura 4.

De los gráficos de la Figura 4 se desprende que la energía electrónica media aumenta: para aumentar los
campos de polarización. Esto da como resultado un número cada vez mayor de electrones que ganan suficiente
energía (0.36eV para GaAs) para cerrar la brecha entre el valle Γ y los valles L y se transferirán desde el valle Γ
inferior al valle L superior. Una población significativa del valle L tiene lugar para una polarización superior a 0,4
MV𝑚−1 .

Los electrones que han sido transferidos desde el valle Γ al valle L se moverá más lentamente de inmediato
debido al aumento en su masa efectiva. La velocidad de deriva promedio de los electrones y, en consecuencia,
la corriente, disminuirá con un aumento en el campo aplicado. Esto manifiesta una región de resistencia
diferencial negativa (NDR) para campos aplicados que exceden 0.4 MV𝑚−1 , como se muestra en la Figura 5.

Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje, se les

comunica a los electrones una mayor energía, pero en lugar de moverse más rápido, los electrones
saltan a una banda de energía más elevada, que normalmente está vacía, disminuyen su velocidad y por
la corriente. De esta manera una elevación del voltaje en este elemento causa una disminución de la
corriente. Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda
de mayor energía y menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo con el voltaje.

c) La formación de dominios Gunn

Una muestra de GaAs de tipo n uniformemente dopados de longitud L está polarizada con una fuente de voltaje
constante Vo. El campo eléctrico es por lo tanto constante y su magnitud dada por Eo = Vo / L. Del gráfico
inferior de la Figura 6 está claro que los electrones fluyen del cátodo al ánodo con velocidad constante v3.

Ahora se supone que surge una pequeña perturbación local en la carga neta en t = to. Esto se indica mediante la
curva sólida en la Figura 6. Esta falta de uniformidad puede, por ejemplo, ser el resultado de la deriva térmica
local de los electrones. También se muestra la distribución del campo eléctrico resultante (curva sólida).
 Los electrones en el punto A, que experimentan un campo eléctrico 𝐸𝐿1 ahora viajarán al ánodo con velocidad v4.
Los electrones en el punto B están sujetos a un campo eléctrico 𝐸𝐻1 . Por lo tanto, se desplazarán hacia el ánodo
con una velocidad v2, que es menor que v4. En consecuencia, se producirá una acumulación de electrones entre
A y B, aumentando la carga negativa neta en esa región. La región inmediatamente a la derecha de B se volverá
progresivamente más empobrecida de electrones, debido a su mayor velocidad de deriva hacia el ánodo que las
de B.

Por lo tanto, la perturbación de carga inicial crecerá en un dominio dipolar, comúnmente conocido como dominios
Gunn. Los dominios de Gunn crecerán mientras se propagan hacia el ánodo hasta que se haya formado un
dominio estable. Se muestra un dominio estable en una instancia de tiempo t> to, indicado por la curva
discontinua. En este momento, el dominio ha crecido lo suficiente como para garantizar que los electrones en
ambos puntos C y D se muevan a la misma velocidad, v1, como se desprende del gráfico inferior de la Figura 6.

Una vez que se ha formado un dominio, el campo eléctrico en el resto de la muestra cae por debajo de la región
NDR y por lo tanto inhibirá la formación de un segundo dominio Gunn.

Tan pronto como el dominio es absorbido por la región de contacto del ánodo, el campo eléctrico promedio en la
muestra aumenta y la formación del dominio puede tener lugar nuevamente. La formación sucesiva y la deriva de
dominios Gunn a través de la muestra conducen a a.c. oscilaciones actuales observadas en los contactos. En
este modo de operación, llamado modo Gunn, la frecuencia de las oscilaciones está dictada principalmente por
la distancia que deben recorrer los dominios antes de ser aniquilados en el ánodo. Esto es aproximadamente la
longitud de la región activa de la muestra, L. El valor de la polarización dc, por supuesto, también afectará la
velocidad de deriva del dominio, y en consecuencia la frecuencia.

III. SIMULACIÓN DE UN OSCILADOR DE EFECTO GUNN DE ONDA MILIMÉTRICA

Ahora se discutirá una aplicación típica de un diodo Gunn en una cavidad. Se ha elegido un oscilador de alta
frecuencia (70 GHz) ya que revela un aspecto importante en la comprensión del límite de alta frecuencia inherente a
los osciladores Gunn.

El perfil de dopaje del diodo Gunn se muestra en la Figura 9. Una región activa se intercala entre las regiones de
ánodo y cátodo altamente dopadas. Estas regiones altamente dopadas aseguran un buen contacto óhmico con el
circuito externo. Se incluye una marca del 50% en el dopaje para proporcionar un campo eléctrico alto inicial cerca
del cátodo. La razón de la marca se explicará más adelante. La cavidad se modela como un circuito resonante
paralelo que se muestra en la Figura 10.

Las formas de onda de voltaje y corriente simuladas se dan en la Figura 11. De estos gráficos es evidente que el
oscilador genera del orden de 140 mW a 70GHz con una eficiencia del 2.4%. Estos valores son típicos del diodo
Gunn que funcionan a estas frecuencias.

La formación y la deriva de los dominios dipolos se ilustran con la secuencia de las distribuciones de campo en la
Figura 12. Una "zona muerta", donde no se forman dipolos, es claramente evidente cerca del cátodo. Los electrones
inyectados en el cátodo se limitan inicialmente al valle central de la banda de conducción. No obtienen
inmediatamente suficiente energía para ser transferidos al valle superior del L. Esto da como resultado una formación
de dominio retardada y una consecuente zona muerta en la región del cátodo.

La presencia de una zona muerta en el diodo impacta negativamente en la eficiencia del oscilador, porque disminuye
la longitud de la región activa en la que pueden crecer los dominios. Los dominios más pequeños se convierten en
una potencia de salida más pequeña. La existencia de una zona muerta afecta más a los osciladores Gunn de alta
frecuencia (> 30 GHz), ya que las longitudes físicas de estos diodos son del orden de unos pocos micrones,
aproximadamente lo mismo que la zona muerta. La optimización de los diodos Gunn implica invariablemente
disminuir la zona muerta alentando la nucleación (cambio de estado) del dominio lo más cerca posible del cátodo.

La marca antidopaje es una forma de reducir la zona muerta, ya que fuerza un campo eléctrico alto en la marca. Este
campo más fuerte acelerará los electrones más rápido de lo que sería el caso. Por lo tanto, los electrones ganarán
suficiente energía para transferirse al valle L en un tiempo y distancia más cortos.

Otro método más exitoso es la inyección de electrones "calientes" o energéticos directamente en la región del
cátodo. Esto se logra insertando una heterounión entre el contacto del cátodo y la región activa del diodo. Una
discusión detallada sobre la inyección de electrones calientes no está dentro del alcance de este tutorial. En esencia,
cuando un electrón atraviesa una heterounión del tipo correcto, gana casi de inmediato una cierta cantidad de
energía dictada por la heterounión. Si esta energía excede la brecha, , se transfiere al valle L y, en consecuencia,
al dominio Gum.

IV. FABRICACIÓN DE DIODOS GUNN DE GaAS

Los autores se encuentran actualmente en el proceso de fabricación de diodos Gunn de 10 GHz con fines de
investigación. El objetivo es aplicar la experiencia adquirida en este proceso al desarrollo de diodos Gunn eficientes
que funcionen a frecuencias superiores a 100 GHz.

a) Crecimiento de la estructura del diodo

Las capas de diodos se cultivaron en el Departamento de Física de la Universidad de Port Elizabeth, mediante un
proceso conocido como Epitaxia de Fase de Vapor Metalorgánico (MOVPE). El crecimiento se realizó en un reactor
de cuarzo horizontal a escala de laboratorio, capaz de aceptar una pieza de sustrato de 2x2 cm2. Las estructuras de
diodos se cultivaron en un sustrato GaAs: Si de 250 µm. con densidad de dopaje n = 1,3x1018 𝑐𝑚3 . Esto fue seguido
por una capa intermedia de 0.6 µm (n = 1.4x1018 𝑐𝑚3 ) una capa de inyección sin dopaje de 0.3µm (n = 1.1x1015 𝑐𝑚3 )
que sirve como muesca antidopaje, un bucle sin dopar de capa de región activa (n = 2.5x1015 𝑐𝑚3 ) y una capa de
contacto dopada con Si de 0.6µm (n = 1.4x1018 𝑐𝑚3 )

El sustrato de GaAs se colocó en un susceptor(El susceptor es un material utilizado por su capacidad de absorber
energía electromagnética y convertirla en calor.) de molibdeno, que se calentó a 670 ° C antes del crecimiento. El
trimetilgallio y la arsina (10% en H2), diluidos en una H2, gas portador, se utilizaron como materiales fuente. El
dopaje de tipo n de las capas de contacto se logró mediante la introducción de SiH4, gas en el reactor. La tasa de
crecimiento es de aproximadamente 10A por segundo.

Los niveles de dopaje se determinaron a partir del perfil de voltaje de capacitancia electroquímica de las estructuras
desarrolladas y las mediciones de Hall en las capas de calibración. El perfilado CV también proporcionó una
medición independiente del grosor de las capas. Los contactos metálicos se evaporaron térmicamente en ambos
lados de la estructura para proporcionar un buen contacto eléctrico con los circuitos externos. Estos contactos
metálicos consisten en tres capas, a saber, una capa de AuGe de 80 nm intercalada entre dos capas de Ni de 10 nm.
Se descubrió que estos contactos se desintegran a corrientes superiores a 20 mA, porque son extremadamente
delgados. AuGe adicional tuvo que ser evaporado en los contactos existentes a una profundidad de 0.7 µm.

b) Grabado y trazado de diodos individuales

Los diodos individuales se definen en las estructuras crecidas mediante un procedimiento fotolitográfico estándar.
Una máscara define los contactos metálicos deseados en el lado del ánodo (superior) de las estructuras. Se han
grabado contactos con un diámetro de 100µm. El metal AuGe no deseado se eliminó mediante una mezcla de
cristales de yodo, yoduro de potasio y agua. Los GaAs no deseados se eliminaron usando una mezcla de metanol,
ácido fosfórico y H2O2. Los GaAs tuvieron que grabarse a una profundidad de al menos 10µm para garantizar que la
región activa tenga las mismas dimensiones que los contactos metálicos. Los diodos individuales ahora se pueden
cortar con un trazador de borde de diamante. Cada diodo tiene aproximadamente 400µm de diámetro.

La fotolitografía es un proceso empleado en la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos

integrados. El proceso consiste en transferir un patrón desde una fotomáscara (denominada retícula) a la
superficie de una oblea.

c) Embalaje

Las resinas epoxi tienen un amplio rango de aplicaciones incluyendo recubrimientos metálicos

Los diodos se montan en contenedores de tamaño adecuado. El embalaje de un diodo individual se muestra en la
Figura 14. El diodo está unido a la base de cobre chapado en oro del contacto metálico externo inferior utilizando un
epoxi altamente conductor. Los dos contactos externos están separados por un separador cerámico. Los cables de
unión de oro de 25 µm conectan el contacto del diodo superior con la tapa superior. El cable está unido al contacto
del diodo con el mismo epoxi conductor.