OSCILADOR GUNN

INTRODUCCIN
La generacin de seales de frecuencias en el rango de microondas se puede realizar de varias
maneras, las ms comunes son Klistrn, Magnetrn, cuando aplicamos en grandes potencias,
mientras que para rangos de frecuencias utilizamos dispositivos como los transistores de efecto de
campo de AsGa (Arsnico y galio) y diodos gunn, debido a su bajo consumo y bello tamao.
El oscilador de Gunn sirve para generar potencias de microondas, se basa en el diodo Gunn
presenta la caracterstica de oscilar cuando se alcanza una determinada densidad del campo
elctrico, est conformado por un semiconductor que genera un efecto llamado el efecto Gunn
El efecto gunn es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones para el rango de las
microondas en los materiales semiconductores, es una propiedad del cuerpo de los
semiconductores y no depende de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los
valores
corriente-voltaje,
y
no
es
afectado
por
campos
magnticos.

CONFIGURACIN ATMICA DE ALGUNOS SEMICONDUCTORES

En la electrnica son: Silicio, Germanio y Galio. El Silicio posee una estructura cristalina
tridimensional repetitiva en forma de tetraedro (el tomo posee 14 electrones, de los cuales 4 son
de valencia, es decir ocupan la ltima banda de energa).
Dielctrico: los tomo se asocian compartiendo, cediendo o aceptando electrones, de otros
tomos para completar los 8 electrones de su nivel ms externo (silicio le hace falta 4 electrones).
Enlace covalente: dos tomos comparten varios electrones, para completar los 8 en su ltima
capa (no se producen iones) los electrones de valencia sirven como vnculo entre un tomo y el
siguiente, ligndose fuertemente al ncleo. En un material conductor hay disponibilidad de
electrones de valencia, pero no pueden queden libres para producir la conduccin
Semiconductores: A temperaturas ambiente la energa trmica les brindan la energa necesaria
para que algunos de los enlaces se rompan se produzca una pequea corriente, por esta razn
este tipo de materiales se denominan. Cada electrn que ha roto un enlace y que est libre para
moverse dentro del cristal, al liberarse genera un hueco.
Bandas de energa: energa generada por cierta cantidad de movimiento en los electrones
provocado por la temperatura
OSCILADORES DE MICROONDAS
Los osciladores de microondas se basan en dispositivos de Resistencia Negativa: diodos Gunn que
basan su funcionamiento en su capacidad de presentar una resistencia negativa efectiva en sus
terminales, con lo que la teora de circuitos dice que son capaces de generar energa en lugar de
disiparla, como ocurre en las resistencias normales. A estos osciladores, se los denomina como de
2 Terminales. Las caractersticas bsicas de un oscilador:

Frecuencia de oscilacin, la de la componente fundamental

Potencia de Salida, la entregada a la carga slo a la frecuencia fundamental

Nivel de Armnicos, relacin en dB entre la potencia del armnico ms fuerte y la potencia

del fundamental
Nivel de espurios, relacin en dB entre la potencia (mxima) de las frecuencias no
mltiplos de la fundamental y la de ste.
Rendimiento, Potencia de seal en la carga / Potencia en DC en %
Sintona (VCO), margen de frecuencias que recorre (barre) el oscilador al modificar el
circuito resonante
PULLING, variacin de la frecuencia al modificar la carga; se especifica para un VSWR
dado, normalmente 1,5 o 2
PUSHING, variacin de la frecuencia con la polarizacin
Diagrama de Rieke, contornos de frecuencia y potencia constante del oscilador (funcin de
la carga)
Espectro de Ruido AM y FM, pureza espectral de la seal en las cercanas de la frecuencia
de oscilacin.

DIODO GUNN
El diodo Gunn est basado en que los materiales semiconductores al ser excitados con una
tensin continua, genera frecuencias en el espectro de las microondas; es usado en la electrnica
de alta frecuencia.
A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene
regiones del tipo N. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N
fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado.
El diodo Gunn es un dispositivo semiconductor de Arseniuro de Galio (Ga As) que tiene
caractersticas de resistencia negativa en la zona de trabajo, con presencia de ruido aleatorio y un
medio externo (una cavidad resonante) permite la generacin de potencia en frecuencias de
microondas desde 4 GHz. a ms de 100 GHz y potencias que van desde mili vatios a vatios.
Son dispositivos de muy bajo rendimiento 1% al 2%, y pueden funcionar con bajas tensiones, entre
3 y 15 voltios, segn diseo. Normalmente son usados para generar frecuencias de microondas en
modos Transversal Elctrico, TE.
El circuito equivalente de un diodo Gunn es el de un capacitor en paralelo con una resistencia
negativa. La suceptancia capacitiva del diodo puede hacerse resonar con una suceptancia
inductiva, que se obtiene en una gua de onda con un extremo en corto circuito, las dimensiones
elegidas del sector de gua de onda usada como resonador fijan la frecuencia de resonancia.
Por su bajo rendimiento el diodo Gunn debe ser montado en un disipador trmico adecuado. Como
ejemplo, un diodo especificado para 250 milis vatios, consume de fuente 10 vatios que deben ser
disipados para evitar daos en la juntura del diodo.
El Efecto Gunn
Para que se d este efecto, el material semiconductor debe tener dos bandas de energa muy
cercanas en la banda de conduccin.
En sus bandas de energas presentan varios valles en la banda de conduccin. Cuando la tensin
o el voltaje son fuertes, se produce la transferencia de electrones hacia la banda de conduccin;
por ejemplo al aumentar la energa tambin aumenta la movilidad de los electrones, provocando
que la masa efectiva de los electrones sea mayor en los niveles energticos superiores.

La banda superior posee 2 valles y que la separacin entre los dos valles corresponde a 0.36eV.
Cuando la tensin aumenta, los electrones pasan del valle inferior al superior, representando esto
en trminos de tensin versus corriente
Cuando se aplica una pequea tensin continua a travs de una placa delgada de Arseniuro de
Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto ocurre bajo la
condicin de que la tensin aplicada a la placa sea mayor a los 3,3 voltios/cm. Si dicha placa es
conectada a una cavidad resonante, se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar
como oscilador.
Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones
se dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente
al tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material tipo N cuando se aplica
la tensin continua.

Bandas de Energa: la estructura de bandas de energa cuantifica los niveles en los que la
probabilidad de que se encuentre el electrn es mayor. La estructura de las bandas de energa del
diodo Gunn incluyen tanto las bandas de valencia (energa de electrn negativa) y de conduccin
(energa de electrn positiva). En las bandas de conduccin (sobre el eje horizontal) se presenta 3
valles (L--X); Los electrones tienden a ocupar siempre el centro de los valles
En los semiconductoresel electrn sometido a la atraccin interna y a una fuerza externa en forma
decampo aplicado, se comporta como una partcula libre con masa efectiva m*, diferente de la
masa del electrn en el vaco.
Un electrn en el valle central tiene una masa efectiva menor que la masa efectiva de un electrn
en el valle satlite; es decir, que la energa necesaria para mover un electrn en el nivel ser
menor que la correspondiente al nivel L. Por tanto la movilidad ser menor en el nivel L.
Se aumenta la poblacin de electrones en el nivel L a medida que crece la aceleracin debida al
campo polarizador.
Hemos dicho que la masa efectiva de los electrones en el nivel L ser mayor (5 veces en el gunn)
que en el valle central, lo que har que en el valle satlite los electrones se muevan ms despacio
y se reduce la velocidad media en L y se reduce la movilidad y se reduce la corriente a pesar de
haber subido el campo aplicado.
Proceso de Transferencia de electrones: Cuando no hay un voltaje aplicado al semiconductor, la
mayora de los electrones ocupan una posicin en el valle , ya que la energa termal de los
electrones es menor que la de 0.36 eV.
Los electrones se encuentran el valle central o , mientras que en el valle L o satlite no existen,
debido a que la tensin es de 1MV/m y la temperatura del cristal no brinde suficiente movilidad a
los electrones para que se muevan al siguiente valle. Pero si un voltaje mayor es aplicado
entonces la energa de cada electrn crece y le permitir a algunos electrones moverse de valle
L a explicacin es que al aplicarse un mayor voltaje, la energa trmica de cada electrn aument,
y a algunos les permiti moverse al valle L, dicho en otras palabras algunos electrones ganaron
0.36 eV o ms de energa.
Un resumen de los pasos del efecto gunn:
1) El cristal a temperatura ambiente mantiene los electrones en el valle .
2) Los electrones deben adquirir 0.36eV para acceder al valle L

3) Los electrones adquieren la enrgica faltante al aplicar una tensin en el cristal.

4) Este cambio se inicia aproximadamente con 0.4MV/m y se aprecia con mayor intensidad
al aplicar 1MV/m de tensin en el cristal.
5) Ahora la mayora de los electrones se encuentran en el valle L.
Formacin de dominios Gunn: Los electrones que han sido transferidos desde el valle al L, son
inmediatamente retornados al valle L debido a la masa efectiva que poseen en el valle
(aproximadamente 5 veces que en el valle ), entonces la velocidad de los electrones, y por tanto
la corriente puede decrecer con un incremento de la tensin, esto manifiesta una regin de
resistencia diferencial negativa (NDR), para voltajes aplicados mayores a 0.4MV/m
Al aplicar un campo elctrico, podemos decir que los electrones se mueven de ctodo a nodo con
una velocidad y cada vez aparecern ms electrones en la zona NDR lo que contribuir a aumentar
la resistencia diferencial negativa, lo que se traduce en un aumento en la oscilacin hasta un lmite
mximo.
La oscilacin inicial crecer, en un dominio del dipolo hasta que se forme un dominio Gunn estable;
provocando que tanto los electrones que viajan en uno como en otro sentido lo hagan a la misma
velocidad.
La repeticin sucesiva de la formacin de dominios Gunn hace que se vea una corriente osciladora
en los contactos; donde la frecuencia de operacin depender de la longitud de la muestra del
cristal que estemos usando y de la cantidad de voltaje aplicado al cristal, que ser la que afecte la
velocidad del dominio.
En conclusin la concentracin de electrones aumenta y disminuye conforme se alcanza el valor
pico en cada dominio Gunn que luego cae bajo la regin NDR.
OSCILADORES DE RESISTENCIA NEGATIVA
Los dispositivos de resistencia dinmica negativa en semiconductores poseen una pendiente
negativa en las caractersticas de corriente y tensin, dando a la posibilidad de generar seal a
partir de la polarizacin de estos dispositivos.
Caractersticas de corriente-tensin:

Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica un voltaje (tipo N) los electrones, que
el material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la
tensin, la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento tpico y el grfico tensin-corriente
es similar al que dicta la ley de Ohm.
Funcionamiento de resistencia negativa: Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje,

se les comunica a los electrones una mayor energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los
electrones saltan a una banda de energa ms elevada, que normalmente est vaca, disminuyen
su velocidad y por ende la corriente.
De esta manera una elevacin del voltaje en este elemento causa una disminucin de la corriente.
Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de
mayor energa y menor movilidad, por lo que la corriente aumentar de nuevo con el voltaje.
La resistencia negativa del diodo, desde continua hasta frecuencias muy elevadas, hace que
cualquier inductancia externa y capacidades parsitas, lleven al diodo a oscilaciones de relajacin
con amplitudes y potencias tales, que pueden ocasionar la destruccin del mismo. Por tal motivo,
para evitar este comportamiento, es necesario agregar un capacitor de gran valor (10-25 F),
colocado muy cerca del diodo
Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia el
gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto
significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.
OSCILADORES GUNN: el circuito posee una resistencia negativa y se encuentra oscilando
sinusoidalmente con una frecuencia y la amplitud de la oscilacin crece exponencialmente con
el tiempo. El circuito resonante se consigue a travs de cavidades coaxiales, de gua de onda u
otro tipo de dispositivo. En cualquier caso la resistencia negativa la da la caracterstica del diodo
Gunn, y el circuito resonante la da la geometra de los elemento.
POTENCIA DE OSCILACIN: es generada por la resistencia negativa y proviene del voltaje dc
aplicado. La potencia que se pueda obtener del oscilador depender de que tan grande es el
rango de voltajes y corrientes que cubre la zona DNR
Es la potencia que debemos proveer para asegurar que el diodo se mantenga operando en el
modo Gunn, lo que quiere decir que para que exista oscilacin se debe aplicar un voltaje
determinado que nunca puede ser igual a cero, y por ende la potencia siempre debe ser mayor a 0.

ESQUEMA DEL OSCILADOR GUNN

El diodo encerrado en la cavidad induce fluctuaciones (variacin) que deben viajar en la cavidad y
ser reflejadas, regresando hacia el diodo despus de un tiempo t. Adems el oscilador puede
oscilar a cualquier frecuencia
El diodo tomar un tiempo para reaccionar a cualquier cambio de voltaje en el diodo, ya que debe
reaccionar tanto a incrementos como a decrementos; Entonces estaramos asegurando que el
nico modo de oscilacin

El sistema no podr oscilar a frecuencias menores porque la cavidad es muy pequea, y no podr
hacerlos a frecuencias superiores por que el diodo es muy lento, de esta forma se asegura que
oscile a una sola frecuencia.
Cavidades resonantes: Una cavidad resonante es un sistema pasivo, su modelo es similar al de
una lnea de transmisin de

( ) en corto circuito. Normalmente son construidas con sectores

2

de guas de onda normalizadas. Las cavidades resonantes adoptadas para el diseo de los tres
generadores, son del tipo rectangular con sectores de guas de onda WG-16 y WR- 75 para
trabajar en el modo TE.

COMPORTAMIENTO ENTRE LA CORRIENTE Y EL VOLTAJE EN

UN DIODO GUNN.

Mientras el voltaje aumente, la corriente tambin lo har, hasta alcanzar un determinado valor de
voltaje a partir del cual la corriente empezara a decrecer.

COMPORTAMIENTO DE LA POTENCIA EN UN DIODO GUNN.

Para valores de voltaje aplicados al oscilador se tiene una diferente respuesta en cuanto a
potencia de salida, el punto en el que empieza a existir una potencia de salida, es el que
corresponde a un campo elctrico de 3.2 kV/cm, mientras se continu aumentado el voltaje
llegar un punto en el cual la potencia de salida ser mxima, la que se conoce como potencia de
salida pico, y por ende el voltaje de potencia pico es el valor de voltaje aplicado al oscilador para el
cual la oscilacin deseada ofrece una mxima potencia de salida, en el grafico 250mW a 12 V.

ACTIVACION DEL DIODO GUNN AL VARIAR LA TEMPERATURA

El voltaje de activacin y el voltaje de potencia pico decrecen con el incremento de la temperatura,

mientras que el voltaje de activacin del modo Gunn se incrementa con el mismo. Para
temperaturas bajas el voltaje de encendido u el de potencia pico son mayores que para un cuarto
de temperatura ambiente, y a la inversa para temperaturas altas los mismo parmetros tienen un
valor menor.

CONFIGURACIONES DE DIODO GUNN

Existen 3 tipos de diseos de osciladores Gunn, a los que comnmente se les aplica un campo
(para producir el movimiento entre valles) del orden de los 3.2 kV/cm: Por lo general son: Coaxial,
Gua de Onda y planares.
La eleccin de cualquiera de estos tipos de osciladores depender de potencia, frecuencia,
estabilidad de frecuencia, estabilidad de potencia, material de la cavidad, etc.
Cavidades Coaxiales: Este tipo de diseos cubren un rango de frecuencias entre 5 a 65 GHz,
tienen un bajo Q lo que produce baja estabilidad y altos desvos de frecuencia, por ejemplo un
valor tpico de un oscilador de este tipo son los que funcionan a 15 GHz y ofrecen un desvi de
1MHz/C.
Existen variaciones de este diseo en el cual se utiliza un spot de gua de onda, por lo general son
muy usados en frecuencias entre 15GHz hasta los 60 GHz, en contraparte ofrecen menor
estabilidad y mayor desvi en frecuencias. Por ejemplo la estabilidad tpica operando en los 35
GHz puede ser de 1.8MHz/C.
Cavidades De Gua de Onda: Este tipo de osciladores tienen la particularidad de que se
encuentran acopladas con un iris, este tipo de cavidades son las ms comunes para generar
microondas, debido a que ofrecen un elevado Q y una excelente estabilidad de frecuencia,
adems ofrecen la ventaja de que pueden ser estabilizadas.
Valores tpicos para este tipo de osciladores pueden ser por ejemplo aquellos que operan en 35
GHz y poseen una estabilidad de 1 MHz/C en una cavidad no estabilizada, cuando se lo hace en
una cavidad estabilizada pueden obtener como por ejemplo operar a 35 GHz con una estabilidad
de 200kHz/C.
Cavidades de Segundas Armnicas: Cavidades de gua de onda acopladas con iris se usan por
lo general a 50 GHz, para frecuencia mayores se suele utilizar cavidades de segundas armnicas,
por ejemplo un valor de operacin para este tipo de osciladores es de 95GHz con una estabilidad
de 6MHz/C.
Otro tipo distinto de cavidades de segundas armnicas se basa que para incrementar la
estabilidad en frecuencia, en general la mitad de la frecuencia deseada, y luego se filtra para

obtener solo el segundo armnico, un valor de operacin tpico de este tipo de osciladores es a
77GHz, con una estabilidad de 3.0MHz/C.
Osciladores Planares: Constituyen una nueva generacin de osciladores, en los cuales los costos
y el tamao se ven reducidos porque ya no utilizan cavidades, en lugar de ello utilizan un DRO
(oscilador resonador dielctrico) y un oscilador Gunn penar. Observemos el siguiente esquema

CONCLUSIONES

El descubrimiento del efecto Gunn, en materiales como el GaAs, permite la generacin

de microondas, mediante el concepto de resistencia diferencial negativa para un rango
de frecuencias comprendidos entre 5 y 140GHz.
Le energa que los electrones deben ganar para pasar de un valle a otro es
aproximadamente de 0.36eV, esto les permite moverse de un valle a otro y generar as
dominios Gunn, y por tanto corrientes de oscilacin de las microondas.
La corriente de oscilacin generada por los electrones es amplificada, hasta llegar a un
estado e la energa dentro de la NDR sea igual a la disipada por la resistencia, esto se
puede entender mediante el concepto de resistencia negativa.
No existe el concepto de resistencia negativa, debido a que la resistencia esttica es
siempre positiva, lo que existe es la resistencia diferencial negativa.
El fundamento bsico para un oscilador Gunn es un circuito RLC, el mismo que es
modelado mediante el uso de una cavidad resonante.
Los parmetros fundamentales que determinan la oscilacin, son; el voltaje aplicado al
cristal, la longitud del semiconductor GaAs, y la frecuencia de oscilacin de la cavidad
resonante.
Se impide la oscilacin superior a la frecuencia deseada debido a que la cavidad es
muy pequea para conducirlas, y de frecuencias inferiores debido a que el diodo es
muy lento para generarlas.
Debemos tener en cuenta que el diodo gunn, presenta la caracterstica de oscilar
cuando se alcanza una determinada intensidad del campo elctrico. Esta regin de alta
intensidad de campo se mueve en el camino ctodo-nodo, donde desaparece
generndose inmediatamente otra similar en el ctodo y as sucesivamente.
Dimensiones menores en el camino darn lugar a menores tiempos de oscilacin, o lo
que es lo mismo mayores frecuencias.
Para mantener estable la oscilacin se debe acoplar el diodo a una cavidad resonante
que ser en ltima instancia la que determine la frecuencia de resonancia del conjunto.
Se puede generar as un amplio rango de frecuencias, entre 1 y ms de 100 GHz, con
potencias de emisin entre 5 y 800 mW.

PREGUNTAS
1. Cules son los componentes principales de un Oscilador de Gunn?
Rt/a: Espigas metlicas, Tornillo de sintona dielctrica, conector hembra BNC diafragma
perforado y adaptador
2. En que materiales es posible obtener el efecto Gunn?

Rt/a: el efecto Gunn solo es posible en algunos materiales semiconductores tipo n, los ms
utilizados son: ARSENIURO DE GALIO (GaAs) y el FOSFURO DE INDIO (InP).
3. Describa el fenmeno que ad origen a la resistencia dinmica negativa en un cristal
semiconductor.
Rt/a: Cuando el voltaje se incrementa de modo que el gradiente de potencial a travs de la
porcin de material excede un umbral cercano a 3,3 kV/cm , la corriente comienza a
disminuir y se dice que el material presenta una resistencia negativa.
4. Qu determina la frecuencia exacta del oscilador de Gunn?
Rt/a: Depende de la velocidad que deriva de los dominios y de la longitud de la porcin de
material.