Laboratorio de Electrónica II Fundamentos de Transistores BJT, JFET y MOSFET

Práctica I: Fundamentos de Transistores BJT, JFET y MOSFET

Objetivos
Comprender el funcionamiento de los transistores.
Determinar los parámetros principales de los transistores.

Familiarizarse con las herramientas de análisis de Multisim.

1. Correlación con la Teorı́a

1.1. Construcción básica de los Transistores
Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor), JFET (Junction Field Effect Transistor) y MOSFET (Metal-
oxide-semiconductor Field-effect transistor) son construidos principalmente con bases puras de silicio. Cada una de
las bases son combinadas con “impurezas” o materiales intrı́nsecos para proporcionarle el funcionamiento carac-
terı́stico y su tipo (NPN/PNP para los BJT y Canal N/P para los FET). Estas impurezas son llamadas material
de tipo P (Galio) y material de tipo N (Arsénico) los cuales proporcionan “huecos” y electrones respectivamente
a las bases de silicio. Estos huecos y electrones reaccionan y se mueven dependiendo de la magnitud de diferentes
voltajes aplicados en las terminales conectadas a las bases de los transistores. Ası́, podemos realizar mediciones para
determinar el estado del transistor, el tipo, sus terminales, parámetros y caracterı́sticas.

1.2. Pruebas de Diodos

Las pruebas de diodos es un método para determinar las terminales de transistores. Consiste en utilizar un
multimetro y medir continuidad entre dos terminales. Al haber continuidad, se dice que la terminal positiva esta
conectada a un material de tipo P y la terminal negativa esta conectada a un material tipo N.

Fig. 1.1: Medición de terminales mediante pruebas de diodos

1.3. El BJT
El BJT se puede modelar como la unión de dos diodos conectados en oposición como se muestra en la Fig.
1.2. Con las pruebas de diodos se puede determinar el tipo del transistor y una de las terminales: la base. Para
determinar las otras terminales es necesario medir la resistividad que existe entre la base y las otras terminales
conectando siempre la punta positiva del tester en la base si esta es de material tipo P o la punta negativa si la
base es tipo N. En la construcción del transistor, el emisor está dopado con mayor cantidad de impurezas tipo N
que el colector lo que indica que en el emisor existe una menor conductividad (mayor resistencia) que el colector. La
resistencia más alta obtenida entre las dos mediciones indica que la terminal desconocida es el emisor del transistor
y, por lo tanto, la otra terminal es el colector.

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Fig. 1.2: Un transistor BJT equivale a dos diodos en oposición

1.4. El JFET
El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal que es capaz de controlar la corriente entre las
otras dos. Estos basan su funcionamiento en la polarización de un campo eléctrico producido por un terminal de
puerta y el canal de conducción de manera que mientras mas negativa sea la tensión en la puerta, menor será la
corriente por el canal. La ecuación de Schokley define su funcionamiento:
VGS
ID = IDSS (1 − )2 (1.1)
VGS(of f )
Para determinar el estado del transistor, es necesario medir la resistividad del canal que existe entre las terminales
drenador y fuente. Normalmente, esta resistencia debe ser un valor bajo. Además, se debe medir la resistencia de la
fuente-compuerta en polarización directa. El valor de resistencia es bajo. Al medir en polarización inversa, el canal
se cierra y la resistencia debe ser muy elevada.

1.5. El MOSFET tipo Enriquecimiento

El MOSFET presenta ciertas ventajas sobre el JFET, una de ellas es que desde su construcción fı́sica existe un
aislamiento de la compuerta y el canal, lo que provee una mayor impedancia de entrada. A diferencia del JFET, el
canal entre el drenador y la fuente inicialmente no esta construido. Es necesario aplicar en la compuerta un voltaje
positivo igual o mayor al voltaje de ruptura VGS(th) para que se forme el canal. Entre mayor es el voltaje en la
compuerta, mayor es la corriente a través del canal. Este comportamiento lo define la ecuación de transferencia:

ID = k(VGS − VGS(th) )2 (1.2)

donde k es la constante de construcción. Es posible determinar el estado del MOSFET midiendo la resistencia del
canal entre la fuente y el drenador cuando el MOSFET esta apagado. Esta resistencia debe ser baja. Cuando se le
suministra un voltaje positivo en la compuerta, se crea el canal entre drenador y fuente y la resistencia del canal se
reduce considerablemente.

(a) JFET de Canal N (b) MOSFET de Canal N

Fig. 1.3: Construcción y sı́mbolo del JFET y MOSFET

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Procedimiento Experimental
2. Transistores BJT
2.1. Identificación del BJT y sus terminales
1. Conecte adecuadamente un transistor BJT en el protoboard.
2. Mediante el uso del multimetro, haga mediciones de continuidad entre dos patas del transistor BJT. Cuando
exista continuidad entre dos terminales, entonces la terminal conectada a la punta positiva del tester es tipo
P y la terminal conectada a la punta negativa del tester es tipo N. Con la punta positiva en la terminal
identificada de tipo P, conecte la punta negativa a la otra terminal restante. Al existir continuidad, el tipo de
transistor es NPN y la punta positiva del tester está conectada a la base (tipo P). Si no existe conectividad
en esta segunda prueba, mantenga conectada la punta positiva en la terminal restante y conecte la punta
negativa a la terminal tipo N determinada anteriormente. Al existir continuidad, el transistor es PNP y la
punta negativa del tester está conectada a la base del transistor (Tipo N). Si no se cumplen las condiciones
anteriores, el transistor está dañado. ¿Qué tipo de transistor es, NPN o PNP?.
3. Para identificar las terminales colector y emisor se debe medir la resistencia (en polarizacion directa) que
hay entre las dos uniones (base-emisor y base-colector). La resistencia mayor indica el emisor y la resistencia
menor el colector. Utilice la Fig. 2.1 para escribir el modelo y las terminales del transistor.

Fig. 2.1: Terminales del Transistor BJT

2.2. Ganancia de Corriente y Curvas Caracterı́sticas

Fig. 2.2: Cálculo de la ganancia de corriente

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1. En Multisim, construya el circuito de la Fig. 2.2.

2. Mida las corrientes de base y de colector. Calcule la ganancia de corriente.

Ic
β= = (2.1)
IB
3. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VCE y haga que varı́e de 0 a 12V con incrementos de 1V. Para Source 2 , elija a la
fuente VB y haga que varı́e de 0 a 5V con incrementos de 1V. En la ventana Output haga doble clic en IC)
y haga clic en run. Cada incremento de VB es una nueva curva caracterı́stica debido a que IB varı́a. Grafique
las caracterı́sticas del transistor BJT en la Fig. 2.3.
4. Haga doble clic el transistor y entre a la opción Value > Edit Model . Modifique el valor parámetro a BF
= 1000 y guarde el valor haciendo clic en Change Component. Repita el paso anterior y grafique las
caracterı́sticas del transistor BJT en la Fig. 2.3.

(a) β sin modificar (b) β = 1000 (modificado)

Fig. 2.3: Caracterı́sticas del transistor BJT

3. Transistores JFET

Fig. 3.1: Circuito para obtener las caracterı́sticas del JFET

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3.1. Estado del JFET y Parámetros Principales

1. Coloque el JFET en el protoboard adecuadamente.
2. Busque en el datasheet el diagrama de las terminales del JFET y mida la resistencia del canal entre el drenador
y la fuente. Valores altos indican un mal funcionamiento del JFET.

RDS = (3.1)

3. Construya el circuito de la Fig. 3.1 en un protoboard.

4. Varı́e el voltaje VDS desde 0 con incrementos pequeños y mida la corriente de drenador ID como lo indica la
Tabla 3.1. Cuando los incrementos de ID comiencen a ser pequeños, VDS = VGS(of f ) e ID = IDSS .

VDS (V ) ID (mA)
0
1
2
3
4
VGS(of f ) (V ) IDSS (mA)

Tabla 3.1: Parámetros del JFET

3.2. Curvas Caracterı́sticas y de Transferencia

1. En Multisim, construya el circuito de la Fig. 3.1.

2. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VDS y haga que varı́e de 0 a 12V con incrementos de 1V. Para Source 2 , elija a
la fuente VGS y haga que varı́e de -3V a 0V con incrementos de 0.5V. En la ventana Output haga doble clic
en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva resulta invertida, añada la expresión -I(VDS) en DC Sweep
> Output > Add expresion y elimine I(VDS). Cada variación de VGS es una nueva curva caracterı́stica.
Grafique las caracterı́sticas del JFET en la Fig. 3.2.

3. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VGS y haga que varı́e de -3V a 0V con incrementos de 0.5V. Quite el checkmark
de la casilla de Source 2 para deshabilitar la variación de la fuente VDS (Debe ser 15V en el circuito). En
la ventana Output haga doble clic en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva resulta invertida, añada la
expresión -I(VDS) en DC Sweep > Output > Add expresion y elimine I(VDS). El comportamiento
de esta curva se rige de acuerdo a la ecuación de Schokley (1). Grafique la curva de transferencia del JFET
en la Fig. 3.3.
4. Haga doble clic el transistor y entre a la opción Value > Edit Model . Modifique los valores de los parámetros
VTO = -3 y LAMBDA = 5E-002 (variable directamente relacionada con IDSS ). Guarde estos valores
haciendo clic en Change Component. Repita los pasos 2 y 3 y grafique las caracterı́sticas del transistor
JFET en la Fig. 3.2 y la curva de transferencia en la Fig. 3.3. ¿Cuál es el efecto en la gráfica de este cambio?
5. De las Fig. 3.2 y 3.3, identifique los valores de VGS(of f ) e IDSS y complete la Tabla 3.2. Para los parámetros
sin modificar, compare estos valores con los datos proporcionados del datasheet. ¿Existe similitud?

Parámetros sin modificar Parámetros modificados

VGS(of f ) IDSS (mA) VGS(of f ) IDSS (mA)

Tabla 3.2: Parámetros del JFET 2N5485 en Multisim

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(a) VGS(of f ) e IDSS sin modificar (b) VGS(of f ) e IDSS modificados

Fig. 3.2: Caracterı́sticas de drenaje para el JFET

(a) VGS(of f ) e IDSS sin modificar (b) VGS(of f ) e IDSS modificados

Fig. 3.3: Curva de transferencia del JFET

4. Transistor MOSFET tipo Enriquecimiento

4.1. Estado y Parámetros Principales
1. Coloque el MOSFET en el protoboard adecuadamente.
2. Busque en el datasheet el diagrama de las terminales del MOSFET y mida la resistencia RSD(of f ) entre el
las terminales drenador (punta positiva) y fuente (punta negativa) con la terminal compuerta sin conectar.
Valores altos (alrededor de 1M Ω) indican un mal funcionamiento del MOSFET. Anote este valor en la Tabla
4.1.

RSD(of f ) (Ω) RSD(on) (Ω)

Tabla 4.1: Resistencia del Canal del MOSFET tipo Enriquecimiento

3. Midiendo la resistencia drenador-fuente, suministre 5 voltios a la terminal compuerta en un breve perı́odo

de tiempo (conecte por 1 segundo la compuerta a 5 volts y luego desconecte). Anote el valor el valor de la

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resistencia del canal creado Rds(on) en la Tabla 4.1. ¿Es éste valor coherente con el valor proporcionado por
el datasheet como Rds(on) ?
4. Construya el circuito de la Fig. 4.1 en un protoboard.

5. Varı́e el voltaje VGS desde 0 y mida la corriente de drenador como lo indica la Tabla 4.2. Cuando ID comienza
a aumentar drásticamente VGS = VGS(th) .

Fig. 4.1: Circuito para medir las Caracterı́sticas del MOSFET tipo Enriquecimiento

VGS (V ) ID (mA)
0
0.5
1
1.3
1.6
1.8
2
VGS(th) (V )

Tabla 4.2: Parámetros del MOSFET Tipo Enriquecimiento

4.2. Curvas Caracterı́sticas y de Transferencia

1. En Multisim, construya el circuito de la Fig. 4.1.
2. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VDS y haga que varı́e de 0 a 12V con incrementos de 1V. Para Source 2 , elija a
la fuente VGS y haga que varı́e de 0V a 6V con incrementos de 0.5V. En la ventana Output haga doble clic
en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva sale invertida, añada la expresión -I(VDS) en DC Sweep >
Output > Add expresion y elimine I(VDS). Cada incremento de VGS es una nueva curva caracterı́stica
debido a que VGS varı́a de acuerdo a la ecuación de transferencia (2). Grafique las caracterı́sticas del transistor
MOSFET en la Fig. 4.1.

3. Mediante el análisis DC Sweep (Barrido en DC) de Multisim, en la ventana Analysis Parameters, elija
como Source 1 la fuente VGS y haga que varı́e de 0V a 10V con incrementos de 0.5V. Quite el checkmark de
la casilla de Source 2 para deshabilitar la fuente (en el circuito VDS debe ser 12V). En la ventana Output
haga doble clic en I(VDS) y haga clic en run. Si la curva sale invertida, añada la expresión -I(VDS) en
DC Sweep > Output > Add expresion y elimine I(VDS). El comportamiento de esta curva se rige de
acuerdo a la ecuación de transferencia (2). Grafique la curva de transferencia del MOSFET en la Fig. 4.3.

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4. Haga doble clic el transistor y entre a la opción Value > Edit Model . Modifique los valores de los parámetros
VTO = 3 y KP = 2 (variable directamente relacionada con la constante de construcción). Guarde estos
valores haciendo clic en Change Component. Repita los pasos 2 y 3 y grafique las caracterı́sticas del
MOSFET en la Fig. 4.2 y la curva de transferencia en la Fig. 4.3.

(a) VGS(th) y k sin modificar (b) VGS(th) y k modificados

Fig. 4.2: Caracterı́sticas de drenaje para el MOSFET tipo enriquecimiento

(a) VGS(th) y k sin modificar (b) VGS(th) y k modificados

Fig. 4.3: Curva de transferencia del MOSFET

5. De las Fig. 4.2 y 4.3, identifique el valor de VGS(th) y calcule la constante de construcción k (utilizar ecua-
cion 4.1) y complete la Tabla 4.3. Para los parámetros sin modificar, compare VGS(th) con el rango valores
proporcionados en el datasheet. ¿Está VGS(th) dentro del rango?

Parámetros sin modificar Parámetros modificados

VGS(th) (V ) k( VA2 ) VGS(th) (V ) k( VA2 )

Tabla 4.3: Parámetros del MOSFET BS170 en Multisim

IDS(on)
k= = (4.1)
(VGS(on) − VGS(th) )2

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5. Cuestionario
Responda de forma concisa solamente lo que se le pide.

1. ¿Cuál es el objetivo principal o para qué sirve el DC Sweep (barrido en DC) de Multisim como análisis de
circuitos?
2. Usted realiza pruebas de diodos en un transistor BJT para determinar su estado y tipo y obtiene los resultados
mostrados en la Tabla 5.1. Las puntas positiva y negativa son del tester y se conectan a las 3 terminales del
BJT. ¿Cuál es el estado y tipo del transistor? Mencione el tipo de cada una de las terminales (tipo N o tipo
P).

Prueba Punta positiva Punta Negativa Resultado

1 Terminal 2 Terminal 1 Continuidad
2 Terminal 2 Terminal 3 No hay continuidad
1 Terminal 3 Terminal 1 Continuidad

Tabla 5.1: Pruebas de diodos en un BJT con un tester

3. ¿Qué sucede con ID cuando se le suministra un VGS positivo a un JFET de canal N? ¿Y con el JFET de canal
P suministrándole un VGS negativo? Explique.
4. ¿Qué son los JFET simétricos? ¿Son simétricos todos los JFET?
5. ¿Por qué en los datasheet de los transistores (y componentes electrónicos en general) proveen un rango mı́nimo-
máximo de valores de sus parámetros con ciertas condiciones? ¿Tomarı́a usted un valor aleatorio de este rango
o harı́a las mediciones correspondientes? Explique.
6. En los datasheet se especifica un IDSS tanto en los JFET como en los MOSFET. ¿Por qué en el JFET es
del orden de miliamperios y en el MOSFET es del orden de microamperios (mucho menor que en el JFET)?
Explique.

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A. Hojas de Especificaciones
A.1. Transistor BJT 2N2222 NPN

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A.2. Transistor JFET Canal N

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A.3. Transistor MOSFET tipo Enriquecimiento (pequeña señal)

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