C1 - Física de Los Semiconductores PDF

FACULTAD DE INGENIERÍA
Electrónica Analógica
Capítulo I: Física de los Semiconductores
Escuelas: Ingeniería Eléctrica

Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones
Semestre: Septiembre 2017 – Febrero 2018
Docente: Santiago González Martínez
santiago.gonzalezm@ucuenca.edu.ec
Cuenca - Ecuador
Capítulo I: Física de los Semiconductores FACULTAD DE INGENIERÍA
 Contenidos Sesión 1
 Explicación del sílabo y metodología

 Conceptos básicos de la física de semiconductores
 El átomo de Bohr, bandas de energía
“An expert is a person who has made all the mistakes

that can be made in a very narrow field.”
~ Niels Bohr
Capítulo 1 – Sesión 1
Explicación del Sílabo y Metodología FACULTAD DE INGENIERÍA
 Objetivos de la asignatura
 Diseñar, implementar, evaluar y optimizar los circuitos electrónicos que

contienen dispositivos semiconductores, utilizando criterio técnico
acorde a los avances tecnológicos
 Estudiar la estructura, características, operación, y configuraciones de
los dispositivos semiconductores
 Discutir las posibles soluciones de ingeniería, en aplicaciones de
instrumentación, control básico y tratamiento de señales de
comunicación, en base a los conocimientos adquiridos durante el curso
 Planificación y cronograma
UNIDAD SESIONES HORAS
CAPÍTULO 1. Física de los semiconductores 6 12.0 h
CAPÍTULO 2. Fuentes de alimentación reguladas 2 4.0 h
CAPÍTULO 3. El transistor bipolar de unión (BJT). Análisis en CC 7 14.0 h
CAPÍTULO 4. Transistor de efecto de campo (FET). Análisis en CC. 7 14.0 h
CAPÍTULO 5. Análisis en CA de transistores BJT 3 6.0 h
CAPÍTULO 6. Amplificadores Operacionales 5 10.0 h

BIBLIOGRAFÍA FACULTAD DE INGENIERÍA
Bibliografía Básica
» BOYLESTAD R. 2009. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México. PEARSON

EDUCACIÓN, 10ma Edición
» Malvino, Albert Paúl, Principios de Electrónica, MC GRAW HILL, 7ma Edición, 2007
Software para Simulación de Circuitos Electrónicos

Proteus Design Suite, NI Multisim, Open Software: LTspice,
(https://en.wikipedia.org/wiki/Category:Electronic_circuit_simulators)
 Descripción detallada de la asignatura y material
 evirtual (www.ucuenca.edu.ec)
▫ Nombre: Electrónica Analógica (Sep 2017 – Feb 2018)

▫ Clave de matrícula: eas17f18
Conceptos Básicos de la Física de

Semiconductores FACULTAD DE INGENIERÍA
 Tipo de materiales: Conductividad
 Conductor: Material que soporta un flujo generoso de carga, cuando una

fuente de voltaje de magnitud limitada, se aplica a través de sus
terminales
 Aislante: Material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad, bajo la

presión de una fuente de voltaje aplicada
 Semiconductor: Material que ofrece un nivel de conductividad sobre

algún punto entre los extremos de un aislante y un conductor
Conceptos Básicos de la Física de

Semiconductores FACULTAD DE INGENIERÍA
 Tipo de materiales: Resistividad
 Un análisis similar de los tipos de materiales, se lo puede realizar

mediante la resistividad del mismo. Conductividad y resistividad son
características inversas.
RA   m 2
   m
l m
R
Valores Típicos de Resistividad
Conductor Semiconductor Aislante
=0.46 m (Germanio, Ge)

=1.71*10-8m (Cobre Cu) =1012 m (Mica)
=640 m (Silicio, Si)
El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA
 Modelo atómico de Bohr
 Modelo cuantizado del átomo

propuesto en 1913 por el físico
danés Niels Bohr, para explicar
cómo los electrones pueden tener Niels Bohr, Premio Nobel de Física 1922
órbitas estables alrededor del núcleo
 Este modelo planetario es un

modelo funcional que no representa
el átomo (objeto físico) en sí, sino
que explica su funcionamiento por
medio de ecuaciones
 Estabilidad atómica
 El núcleo positivo atrae a los electrones orbitales
 Estos no caen hacia el núcleo debido a la fuerza centrífuga (hacia

afuera), creada por su movimiento orbital
 Orbita estable: equilibrio entre fuerza centrífuga y fuerza de atracción del

núcleo
 Capa de valencia
 El núcleo y los electrones de

órbitas internas son de poco
interés en el estudio de la
electrónica
 El estudio se centra en la órbita

exterior denominada capa de
valencia. Ésta capa determina
las propiedades eléctricas de un
material
Aislantes 8 electrones de valencia
Conductores 1 electrón de valencia
 Cuando un material posee 8 Semiconductores 4 electrones de valencia
electrones en su capa de
valencia alcanza estabilidad
 Capa de valencia en semiconductores
 Los semiconductores poseen 4 electrones en su capa de valencia
Germanio Silicio
 Semiconductores
 Germanio (Ge): Material semiconductor. La distribución atómica es la

siguiente: Núcleo con 32 protones, 2 electrones en la primera órbita, 8 en
la segunda y 18 en la tercera, los últimos 4 electrones se localizan en la
capa exterior o de valencia
 Silicio (Si): Material semiconductor más empleado, tiene 14 protones, 2

electrones en la primera órbita, 8 en la segunda y cuatro en la capa de
valencia
Germanio Silicio
 Niveles de energía: Estructuras
 La energía asociada con cada electrón se mide en electron volts
W  Q V
 Donde Q, es la carga (propiedad intrínseca), asociada a un electrón = 1.6

x 10-19 Culombios, V es una diferencia de potencial de 1V
W  Q  V  1.6  10 19 C  1V
1eV  1.6  10 19 J

 Cristales de silicio
 La combinación de átomos de silicio, forman una estructura ordenada

llamada cristal. Cada átomo de silicio comparte sus electrones de
valencia con los átomos vecinos, estableciendo 8 electrones de valencia
 Cuando un átomo posee 8 electrones en su capa de valencia se vuelve

químicamente estable
Unión covalente
 Átomo aislado: Electrones con niveles discretos de energía

 Cristal: Sistema electrónico, que imposibilita la existencia de dos
electrones en el mismo estado, transformándose los niveles discretos de
energía en bandas de energía donde la separación entre niveles
energéticos se hace muy pequeña
 La diferencia de energía máxima y mínima es variable dependiendo de la
distancia entre átomos y de su configuración electrónica
 Dependiendo de la distancia interatómica y del número de electrones de
enlace entre otros factores, se forman distintos conjuntos de bandas
denominadas: bandas de valencia, bandas de conducción y bandas
prohibidas

 Banda de Conducción: Intervalo de energía electrónica que, permite a los
electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico
externo y por tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas
 Banda de Valencia: Es el más alto de los intervalos de energías electrónicas
(o bandas), que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto
 Banda Prohibida: Diferencia de energía entre la parte superior de la banda de
valencia y la parte inferior de la banda de conducción
B.Conducción
B.Conducción
B.Conducción
Eg>5eV B.Prohibida Eg1eV B.Prohibida
Eg(Si)=1.12eV B.Valencia
B.Valencia B.Valencia
Eg(Ge)=0.66eV
AISLANTE SEMICONDUCTOR CONDUCTOR 17

 Materiales tipo N y tipo P

 La union P - N
 Polarización directa e inversa
William Bradford Shockley
(13 de febrero de 1910 - 12 de agosto

de 1989) fue un físico
estadounidense. En conjunto con John
Bardeen y Walter Houser Brattain,
obtuvo el premio Nobel de Física en
1956 por sus investigaciones sobre
semiconductores y el descubrimiento
del Transistor
Materiales Tipo N y Tipo P FACULTAD DE INGENIERÍA
 Energía térmica en un cristal
 Cuando la temperatura ambiente es mayor

que el cero absoluto (-273°C), la energía
térmica del aire circundante hace que los
átomos en un cristal vibren
 Las vibraciones de los átomos pueden

ocasionar que un electrón se desligue de la
órbita de valencia, a éste electrón se le
denomina electrón libre y al espacio vacío
que queda en la órbita se denomina hueco
 Semiconductor intrínseco
 Un semiconductor intrínseco, es un semiconductor puro
 A temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta más o menos

como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres
y sus huecos producidos por excitación térmica
 Semiconductor extrínseco
 Un semiconductor se puede dopar para que tenga un exceso de
electrones libres o un exceso de huecos y de ésta forma variar su
conductividad. El dopado supone que deliberadamente se añadan
átomos de impurezas. Existen dos tipo de semiconductores dopados:
 Semiconductor tipo N
 Se obtiene al introducir en el cristal una impureza
con cinco electrones en su capa de valencia
(antimonio, arsénico, fósforo)
 En consecuencia, adicional a la unión covalente,

existe un quinto electrón que está desligado de Electrón
toda unión covalente, encontrándose libre para libre
moverse por el material tipo n
 El resultado de éste proceso, es que, existe un

número significativo de portadores o electrones
libres debido a la impureza, que tiene menor
dificultad para absorber la energía térmica y
moverse a la banda de conducción a temperatura
ambiente
 Semiconductor tipo P
 Se obtiene mediante el dopado de un material
puro como el silicio o el germanio con una
impureza que posea tres electrones de valencia
(boro, galio, indio)
Hueco
 En éste caso existe un número insuficiente de
electrones para completar las uniones covalentes,
al espacio vacío se le denomina hueco y se le
suele representar con un signo +
 El resultado es un material que aceptará con

mayor facilidad un electrón libre
La Unión P - N FACULTAD DE INGENIERÍA
 Diodo semiconductor
 La unión de los materiales tipo N y tipo P, dan como resultado un

elemento al que se denomina diodo
 Durante el proceso de unión de los dos materiales, los electrones y

huecos en la región de la unión se combinan. Dando como resultado una
falta de portadores en la región cercana a la unión
Material Tipo N + Material Tipo P = Diodo Semiconductor
Región de
Portadores
Agotamiento
Mayoritarios
Portadores
Hueco
Mayoritarios
Electrón
libre
Portadores
Portadores
Minoritarios
Minoritarios
La Unión P - N FACULTAD DE INGENIERÍA
 Diodo semiconductor
 Elemento resultante de dos terminales. En consecuencia la aplicación de

voltaje a través de los mismos permite dos posibilidades
▫ Polarización directa
▫ Polarización Inversa P N
 Representación o símbolo
Ánodo Cátodo Ánodo Cátodo

Polarización de un Diodo Semiconductor FACULTAD DE INGENIERÍA
 Polarización inversa
 Aplicación externa de un voltaje a través de los terminales p-n (ánodo-
cátodo) Un gran número de electrones libres son
atraídos por el potencial + del voltaje
aplicado, incrementando el número de iones
1 2 positivos en la región de agotamiento
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
Región de Región de
Is Agotamiento Is Agotamiento
Un gran número de huecos son atraídos

por el potencial - del voltaje
aplicado, incrementando el número de
- - + + - - + + iones negativos en la región de
agotamiento
- - Incremento zona de + + - - + +
- -
agotamiento o barrera
de potencial + + - - + +
- - + + - - + +
- - + + - - + +
Is Agotamiento Is Agotamiento
4 3
 Polarización inversa: Intensidad de saturación Is

 A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa, se
le llama corriente de saturación inversa y se representa mediante Is
 La Is generalmente está en el orden de los microamperes, con excepción
de los dispositivos de alta potencia
- - + +
- - + +
IS microamperes (Germanio) - - + +
- - + +
IS nanoamperes (Silicio) - - + +
Is Región de
Agotamiento
 Saturación: Implica que alcanza un valor máximo con rapidez y

posteriormente no existen incrementos significativos a pesar de los
incrementos de potencial en polarización inversa
 Polarización inversa: Curva característica V-I (VD<0)

 A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa, se
le llama corriente de saturación inversa y se representa mediante Is
A pesar del incremento del

potencial la Is, se
mantiene constante
 Polarización directa
 Un diodo semiconductor, tiene polarización directa cuando se ha
establecido la relación, tipo p – terminal positivo; tipo n – terminal
negativo
1 2
Reducción de la zona
de agotamiento o
barrera de potencial
ID Agotamiento ID Agotamiento
El potencial directo VD, presionará

los electrones en el material tipo
N. El potencial directo VD, presionará los
huecos en el material tipo P
 Polarización directa
 La reducción de la zona de agotamiento genera un gran flujo de

portadores mayoritarios a través de la unión
 Por ejemplo el material, tipo N, observa, una barrera muy reducida en la
unión
 Mientras se incremente en magnitud la polarización aplicada, la región
de agotamiento continuará decreciendo, hasta que un flujo de electrones
pueda pasar a través de la unión, generando un crecimiento exponencial
de la corriente
Reducción de la zona
de agotamiento o
barrera de potencial
Región de
ID Agotamiento
 Polarización directa: Curva característica V-I (VD>0)

Características a resaltar:
Potencial de conducción o
ID en mA umbral (threshold) de
encendido VT.
VD<1V
VT(Ge)=0.3V
VT(Si)=0.7V
Rápido Incremento de la
corriente luego del punto de
inflexión
30
 Modelación matemática de un diodo: Ecuación de Shockley

 El comportamiento característico de un diodo (polarización directa e
inversa), se puede definir mediante la siguiente ecuación
 KVT D 
I D I S  e k  1
 
 
Donde:
Is: Corriente de saturación Inversa
K: 11600/n.
Con n=1 para Ge y 2 para Si en niveles bajos de corriente, y n=1 tanto para Si como para Ge, para niveles mayores de corriente,
zona de crecimiento de la curva (K=q/k, donde q es la carga del electrón y k es la constante de Boltzmann, que relaciona
temperatura y energía)
Tk: TC + 273o (TC = Temperatura en grados Celsius)

 Ecuación de Shockley  KVT D 

I D I S  e k
 1
 
 Para valores positivos de VD, el primer  
término de la ecuación crecerá con mayor
rapidez y supera el efecto del segundo. El
resultado será positivo
 Para VD=0, ID=0
 Para valores negativos de VD el primer

término disminuirá rápidamente por
debajo de Is, dando como resultado ID=-Is
 Región Zener
Potencial Zener (Vz): Potencial de
polarización inversa que genera un
cambio muy drástico en la curva
característica
Voltaje Pico Inverso Máximo (PIV o PRV):

Máximo potencial aplicado antes de
entrar a la zona zener
 Silicio (Si) versus Germanio (Ge)
CARACTERÍSTICA SILICIO GERMANIO
PIV 1000V  400V
TEMPERATURA  200°C  100°C

 Efectos de la temperatura
 Análisis de circuitos con diodos métodos de línea de
carga y aproximado
 Disipasión de potencia
Oblea de silicio grabada

Efectos de la Temperatura FACULTAD DE INGENIERÍA
 La temperatura tiene un marcado efecto sobre un diodo. Experimentos

realizados en un diodo de silicio demuestra que
Disminución del voltaje de

umbral VT
Incremento del voltaje de

ruptura PIV
Incremento de IS
Análisis de Circuitos con Diodos FACULTAD DE INGENIERÍA
 Niveles de resistencia
 Un análisis de la curva característica de un diodo semiconductor,

permite establecer un comportamiento resistivo, el mismo que varía en
función de la sección de la curva en la que se encuentre y en definitiva
debido a su naturaleza no lineal
 El nivel de la resistencia, dependerá también del tipo de señal o voltaje

aplicado al diodo
 Resistencia en dc o estática
▫ Aplicación de un voltaje dc (corriente directa o continua), a un
circuito con diodo
▫ Punto de operación estable sobre la curva característica (que no

cambia con el tiempo)
▫ Valor de la resistencia ( Aplicación de la Ley de Ohm)
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
▫ Zona Polarización Directa:
Antes del punto de inflexión RD> Zona de crecimiento vertical
▫ Zona Polarización Inversa:

Is  µA (Germanio) ID
Is  nA (Silicio)
Punto de Operacíón
Q(VD,ID)
o Trabajo
Valores muy altos de RD
VD
Región de Polarización
Región de Polarización Directa
Región Zener, Ruptura
ó Avalancha Inversa
▫ Ejemplo
Determine los niveles de resistencia en dc para un diodo; en los siguientes puntos,
la curva correspondiente del diodo es la siguiente
a) ID=2mA
b) ID=20mA
c) VD= - 10V
▫ Solución (Analizando la curva)
a) En ID=2mA;VD=0.5V b) En ID=20mA;VD=0.8V
V 0.5 VD 0.8
RD  D   250 RD    40
I D 0.002 I D 0.02
c) En VD=-10V;ID=-IS=1uA
VD 10V
RD    10M
I D 1uA
 Resistencia en ac o dinámica Característica del diodo
o Aplicación de un voltaje ac (alterno

I d
senoidal) a un circuito con diodo Línea Tangente
semiconductor
I d Punto de Operación
o La señal variante, desplaza hacia arriba y
hacia abajo el punto de operación dentro
de una zona característica
o Se presenta una variación correspondiente

en voltaje y corriente
Vd
 Resistencia en ac o dinámica
▫ Se puede expresar la resistencia en ac, como la variación entre el
voltaje e intensidad del diodo
𝑉𝑑
𝑟𝑑 =
𝐼𝑑
▫ Mayor Pendiente: Menor V  menor rd

 Resistencia en ac o dinámica ID(mA)

I d  4mA  0mA  4mA
Vd  0.76V  0.65V  0.11V
▫ Ejemplo Vd 0.11V
 rd    27.5
Para las características presentadas en la I d 4mA
siguiente curva. Determinar
a) La resistencia en ac, en ID=2mA

b) La resistencia en ac, en ID=25mA
Comparar los resultados de los puntos a y
b, con los resultados de las resistencia en dc, en cada
nivel
Q: ID= 2mA
I d
VD(V)
Vd

I d  4mA  0mA  4mA
Vd  0.76V  0.65V  0.11V
▫ Solución Vd 0.11V
 rd    27.5
I d 4mA
a) Se estableció una variación de 2mA
ID=4mA;VD=0.76V
ID=0mA;VD=0.65V
Los cambios de I y V son:
I d  4mA  0mA  4mA Q: ID= 2mA

Vd  0.76V  0.65V  0.11V
Vd 0.11V
 rd    27.5 I d
I d 4mA
VD(V)
Vd

I d  4mA  0mA  4mA
Vd  0.76V  0.65V  0.11V
▫ Solución Vd 0.11V
 rd    27.5
I d 4mA
b) Se estableció una variación de 5mA
ID=30mA;VD=0.8V
ID=20mA;VD=0.78V
Los cambios de I y V son:
I d  30mA  20mA  10mA

Q: ID= 2mA
Vd  0.8V  0.78V  0.02V
Vd 0.02V
 rd    2 I d
I d 10mA
VD(V)
Vd
▫ Las soluciones del ejemplo anterior se han obtenido de forma
gráfica. Una solución analítica se obtiene a partir del cálculo
diferencial
▫ La derivada de un punto, es igual a la pendiente de la línea tangente

dibujada en dicho punto
▫ En consecuencia si encontramos la derivada de la curva

característica del diodo y el resultado lo invertimos, obtenemos la
resistencia dinámica o en ac
d d   KV D

( I D)   I S  e k  1
T
dVD dVD   


  KV D 
I D  I S  e Tk  1
  

En la zona de polarización
KV D directa, el primer término es
ID  IS  e Tk muy superior al segundo, por lo
cual podemos emplear la
aproximación
d d   KV D

( I D)   I S  e Tk 
dVD dVD   


Reemplazando por la
dI D K  KV D
Tk 
 aproximación de la zona
 IS  e
dVD 
Tk   directa

dI D K
 ID
dVD Tk
Sustituyendo n=1, para Si en la zona de crecimiento rápido de la curva
11600 11600
K   11600
n 1
Tk  TC  273  25  273  298 Considerando Temp. Ambiente=25°C
K 11600
  38,93
Tk 298
dI D
  38,93I D
dVD
Invirtiendo el resultado para obtener un valor de resistencia por definición
dVD 1 0.026
 
dI D 38,93I D ID
𝑑𝑉𝑑 26𝑚𝑉
𝑟𝑑 = =
𝑑𝐼𝑑 𝐼𝑑
Para Ge y para el Si (zona de crecimiento rápido de la curva)

Para valores menores de ID, n=2 (silicio) -> multiplicar rd por un factor 2
Para valores bajo el punto de inflexión de la curva, la ecuación resulta inadecuada
▫ El valor de rd, obtenido se aplica a la unión p-n.
▫ Adicionalmente se debe considerar la resistencia interna propia del

semiconductor y la resistencia que presenta la conexión entre el
semiconductor y el material conductor exterior, a éstos valores
adicionales se les denomina rB
26𝑚𝑉
𝑟𝑑 = 𝐼𝐷
+ 𝑟𝐵 
▫ El valor de rB puede variar desde 0.1, para dispositivos de alta

potencia, hasta unos 2, para diodos de baja potencia y propósitos
generales. En el literal a), del ejemplo rd=27.5; empleando la
ecuación obtenida:
 26mV   26mV  Se emplea el factor 2 para corriente bajas

rd  2   2   26 La diferencia se puede atribuir a rB
 I D   2mA 
En el literal b), del ejemplo rd=2; empleando la ecuación obtenida:
 26mV   26mV 
rd        1.04 La diferencia se puede atribuir a rB
 D  
I 25mA 
▫ El análisis realizado se aplica únicamente a la región de polarización

directa. En la zona inversa, se supondrá que los cambios de la Is, son
nulos desde los 0V hasta la región Zener, es decir una IS, constante
en la zona acotada
▫ En consecuencia la resistencia resultante obtenida mediante
𝑉𝑑
𝑟𝑑 =
𝐼𝑑
▫ Se puede considerar lo suficientemente alta, para permitir la

aproximación de circuito abierto
 Resistencia en ac promedio
▫ Si la tensión de ingreso tiene un valor significativo para generar
variaciones de corriente grandes. La resistencia del diodo en ésta
zona se le denomina resistencia ac promedio rav
ID(mA) 𝑉𝑑
𝑟𝑎𝑣 =
𝐼𝑑
(Datos desde la curva)
I d  17mA  2mA  15mA

Vd  0.725V  0.65V  0.02V Resistencia promedio
Vd 0.075V I d entre los límites
 rd    5
I d 15mA
VD(V)
Vd
 Resumen niveles de resistencia

 Circuitos equivalentes (modelos) del diodo

Disipación de Potencia FACULTAD DE INGENIERÍA
 Hojas de especificaciones de diodos

1. Voltaje Directo VF ( a una corriente y temperatura específicas)
2. La corriente directa máxima IF (a una temperatura específica)
3. La corriente de saturación inversa IR (a una corriente y temperatura específicas)
4. El valor del voltaje inverso PIV (a una temperatura específica)
5. El nivel máximo de disipación de potencia a una temperatura en particular
6. Los niveles de capacitancia
7. El tiempo de recuperación inverso trr
8. El rango de temperatura de operación

Disipación de Potencia FACULTAD DE INGENIERÍA
 Hojas de especificaciones de diodos

▫ Adicionalmente se suelen incluir otras características como: rango
de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutación, niveles de
resistencia térmica y valores pico repetitivos. En cuanto a la
potencia disipado viene dada por
PD max  VD  I D
Para un punto de operación
en particular
Pdisipada  0.7V  I D Empleando el modelo

simplificado
 Capacitancia de diodos
 Diodo zener
 Diodos especiales
 Aplicaciones y ejemplos de circuitos con diodos
Un osciloscopio es un instrumento de medición electrónico
para la representación gráfica de señales eléctricas que
pueden variar en el tiempo. Presenta los valores de las
señales eléctricas en forma de coordenadas en una
pantalla, en la que normalmente el eje X (horizontal)
representa tiempos y el eje Y (vertical) representa
tensiones. La imagen así obtenida se denomina
oscilograma. Los osciloscopios, clasificados según su
funcionamiento interno, pueden ser tanto analógicos como
digitales, siendo el resultado mostrado idéntico en
cualquiera de los dos casos.
Capacitancia de Diodos FACULTAD DE INGENIERÍA
 Capacitancia de difusión y transición

 Dispositivos electrónicos son sensibles a frecuencias altas.
1
XC 
2fC
 A frecuencias bajas XC, es lo suficientemente grande para considerarlo

un circuito abierto, pero con f alta, el valor de XC, es lo suficiente pequeño
para representar una trayectoria de corto de baja reactancia.
 Diodo semiconductor dos tipo de capacitancia presentes tanto en la

zona directa como en la inversa. En cada zona predomina un tipo

 En la zona de polarización inversa se tiene la capacitancia de la región de
transición o agotamiento (CT), mientras que en la región de polarización
directa, se tiene la capacitancia de difusión (CD), o de almacenamiento
 Capacitancia Transición o Agotamiento (CT) d Incremento d,

Disminuye CT
A
C 
d
 Permitividad dieléctrica
Faradios/metro
Se comporta como aislante


Zona de Crecimiento Rápido
Disminución de RD
Disminución de
  R C
Modelo del diodo para

altas frecuencias
 Tiempo de Recuperación Inverso (trr)

▫ Transición de un estado de P.Directa a P.Inversa
▫ Desde un Estado de Conducción a No Conducción
Cambio de estado ID
(encendido –apagado),
requerido en t=t1
Respuesta Deseada Ideal
t1
Respuesta Real
considerando ts y tr
ts tr
IInversa trr
Diodo Zener FACULTAD DE INGENIERÍA
 Diodo zener
 Diodo de silicio que ha sido diseñado para funcionar en la zona
avalancha, ruptura o zona zener.
 Se emplea en sistemas electrónicos de regulación de tensión,

manteniendo la tensión casi constante en la resistencia de carga
Cátodo
Ánodo
 Curva característica Zona Directa

Comportamiento de
un diodo (Si),
convencional
Tensión Constante: VT0.7V
Regulador de Voltaje
Zona Inversa
vZ vR
VR=Voltaje de Prueba
IR
VZ=Voltaje Zener Nominal
IR=Corriente Inversa máxima IZK
ZZK
IZK=Corriente máxima de punto de inflexión
IZT=Corriente de Prueba (1/4 POTENCIA) IZT
IZM=Corriente Reguladora Máxima ZZT
ZZK=Impedancia máx. de punto de inflexión
ZZT=Impedancia dinámica máxima
%/°C=Coeficiente de Temperatura
IZM
 Coeficiente de temperatura
 Refleja el cambio porcentual en VZ, en relación a la temperatura
VZ
TC  x100% (%/°C)
VZ (T1  T0 )
VZ  Variación del potencial Zener debido al cambio de temperatura

T0 = Temperatura ambiente 25°C
T1 = Nuevo nivel de temperatura
 Diodo zener como regulador de tensión

 Mantiene la tensión entre sus terminales constante incluso ante
cambios de corriente
Rlim
VS>VZ
+
VS IS Tensión
Vz Conectar una Resistencia para
constante
limitar la Intensidad por
- debajo de la IZM máxima del
diodo zener
VS  VZ
IS 
Rlim
 Diodo zener ideal

 La zona zener se puede aproximar mediante una recta vertical
 En consecuencia la tensión es constante incluso ante cambios

de corriente.
 Esto significa que un diodo zener ideal se comporta como una

batería
Aproximación ideal para un diodo zener

 Diodo zener real

 Posee una resistencia interna propia del semiconductor.
(resistencia zener)
 Un incremento en la corriente que circula por el diodo, genera un

aumento de la caída de tensión en la resistencia zener (interna).
 Para efectos de diseño de sistemas electrónicos puede ser un

valor a considerar
Aproximación real para un diodo zener

Diodos Especiales FACULTAD DE INGENIERÍA
 Diodo emisor de luz (LED)
 En un LED, en polarización directa los electrones libres atraviesan la unión y

caen en los huecos. Al pasar de niveles energéticos altos a bajos, emiten
energía.
 En los diodos normales ésta energía se disipa en forma de calor, en un LED,

se disipa en forma de Luz.
 Empleando elementos como el galio, arsénico y fósforo, es posible fabricar

LED’s, que irradien luz roja, verde, amarilla, azul, infrarroja (invisible, para
sistemas de alarmas)
 Sustituyen a lámparas incandescentes, por su baja tensión, larga duración y

rápida conmutación
 Diodo emisor de luz (LED)

Copa Reflectora
Semiconductor
IS Hilo Conductor
Voltajes 1.5V a
Típicos 2.5V
Cápsula Plástica
Intensida 10mA a
d Tipica 50mA VS RS
Cátodo
VS  VD
IS 
Anodo
RS
 Fotodiodo
 Un fotodiodo, es un diodo cuya
sensibilidad a la luz es máxima.
 En este tipo de diodos, una ventana Ánodo Cátodo

permite que la luz pase por el
encapsulado hasta la unión (p-n).
 La luz incidente produce electrones libre y

huecos.
En polarización directa se comporta
 Se usa en los lectores de CD, como un diodo convencional.
recuperando la información grabada en el En polarización inversa y al incidir

luz sobre el diodo, se produce una
surco del CD, transformando la luz del circulación de corriente inversa.
haz láser reflejada en el mismo en Mayor Luz, mayor corriente inversa
impulsos eléctricos para ser procesados
por el sistema y obtener como resultado
los datos grabados
 Optoacoplador
 La luz del LED, incide sobre el Fotodiodo, se
genera una Intensidad Inversa en el circuito
de salida. La tensión de la fuente y la R1,
establecen una Intensidad por el LED
 Se produce una caída de tensión en la R2 .La
tensión Vout = V2-VR2
 Si V1 cambia, varía la cantidad de luz, y con
ello la tensión de salida
En polarización directa se comporta
 En consecuencia la Tensión de salida, como un diodo convencional.
cambia con la de ingreso. La principal En polarización inversa y al incidir
ventaja es el aislamiento eléctrico entre el luz sobre el diodo, se produce una
circulación de corriente inversa.
ingreso y la salida
Mayor Luz, mayor corriente inversa
 Se tiene una resistencia de asilamiento de
varios miles de M
 Diodo schottky A K
 Se emplea en aplicaciones de alta frecuencia (orden MHz)
 No presentan un tiempo de recuperación inverso (conmutación rápida)
 Para su fabricación se emplea un metal como el oro, plata o el platino, en un

lado de la unión y silicio dopado (generalmente en en el otro lado)
 La presencia del metal provoca que no almacene cargas y por lo tanto no

exista un tiempo de recuperación inverso
 Se emplean principalmente en los sistemas electrónicos de un computador
 Elemento clave en la familia TTL de Circuito Integrados

 Diodo varactor
 Las region p-n de un diodo son comparables a las placas de un

condensador.
 La zona de agotamiento o barrera de potencial, establece una distancia de

separación entre las zonas anteriores (placas).
 El efecto de una polarización inversa, es el aumento o ensanchamiento de la

barrera de potencial.
 El efecto generado es una variación de la capacidad en función de la tensión.
 Se emplea en sistemas electrónicos de recepción para TV, radio FM y en

general en circuitos de comunicaciones. Se conecta el Varicap en paralelo
con una Inductancia (Circuito Resonante)
 Diodo tunel
 Se lo conoce también como diodo invertido. Se puede considerar como un tipo de

diodo zener cuyo voltaje ruptura o voltaje zener ocurre a los cero voltios
 Presentan un fenómeno conocido como resistencia negativa
 Esto significa que un aumento de la tensión de polarización directa, produce una

disminución en la corriente, por lo menos en una parte de la curva
 Esta característica es útil en algunos circuitos osciladores de alta frecuencia

 Resumen
Dispositivo Idea Clave Aplicación

Diodo Zener Opera en la zona de ruptura Reguladores de Tensión
LED Emite luz no coherente Indicadores
Indicador de 7 segmentos Puede presentar números Instrumentos de medida
Fotodiodo La luz produce portadores Detectores de Luz
Optoacoplador Combina LED y Fotodiodo Aisladores entrada – salida
Diodo Láser Emite Luz coherente Rep CD.,comunicac. Banda ancha
Diodo Schottky No almacena cargas trr=0 Rectificadores de alta f300Mhz
Varicap Actúa como condensador variable Sintonizadores radio y TV
Varistor Ruptura en ambas direcciones Protectores de pico de red
Diodo Regulador de Corriente Mantiene la corriente constante Reguladores de Corriente
Diodo de Recuperación en Escalón Se bloquea durante la conducción Multiplicadores de Frecuencia

inversa
Diodo Opuesto Diodo opuesto Rectificador de señales débiles
Diodo Túnel Diodo Túnel Osciladores de alta frecuencia

Aplicaciones y Circuitos con Diodos FACULTAD DE INGENIERÍA
 El objetivo de los temas que se abordan en ésta sesión, es desarrollar un

conocimiento práctico sobre el diodo en una variedad de configuraciones. Además se
realizará un análisis del comportamiento del diodo en redes de corriente continua cc y
corriente alterna ac. Específicamente
 Análisis Mediante la Recta de Carga
 Configuraciones en Serie, Paralelo y Mixta de Diodos (Con ingresos DC)
 Compuertas AND y OR
 Rectificación de Media Onda
 Rectificación de Onda Completa con puente de Graetz
 Rectificación de Onda Completa con Transformador a Toma Central
 Recortadores
 Cambiadores de Nivel
 Aplicaciones con ingresos senoidales
 Rectificación de Media Onda
 Rectificación de Onda Completa con puente de Graetz
Vi  Vmax Sen( wt )
T
1
Vdc   Vmax Sen( wt )d ( wt )  0
T 0
T
1 Vmax
Vef     0.707Vmax
2
Vmax Sen ( wt ) d ( wt )
T 0 2
 Rectificación de media onda (Diodo ideal)
El diodo se polariza
directamente (Interruptor
cerrado). La salida es una
replica exacta de la señal de
Intervalo t: 0 a T ingreso
2

T
Intervalo t: a T
2
El diodo se polariza
inversamente (Interruptor
abierto).Ausencia de trayectoria
para el flujo de carga V0=0

 El proceso de eliminación de la mitad de la señal, se denomina
rectificación
 Permite establecer una valor dc (valor promedio), en la señal resultante
T
1
Vdc   Vmax Sen( wt )d ( wt )
T 0
T
2
1
2 0
Vdc  Vmax Sen( wt )d ( wt )

V
Vdc  max  Sen( wt )d ( wt )
2 0

Vdc 
Vmax
 Cos( wt )
2 0
Vmax
Vdc  max 1  1
V Vdc   0.318Vmax
2 
 Rectificación de media onda (Diodo VT=0.7V)

 Se requiere un VT=0.7 para encender el diodo
 Para valores de voltaje mayores a VT, V0=Vi -VT

 Rectificación de media onda (Diodo VT=0.7V)
Vmax  VT
Vdc   0.318(Vmax  VT )

Vmax
Para Vmax>>VT Vdc   0.318Vmax

 Voltaje inverso máximo (PIV)
 Factor fundamental en el diseño de rectificadores.
 En la etapa de no conducción el voltaje de ingreso aparece en los

extremos del diodo.
 PIV  Vmax
 Un valor de Vmax, superior al PIV, ocasiona que el diodo ingrese a la zona

avalancha y por lo tanto su destrucción
 Aplicaciones y Circuitos con Diodos

▫ Rectificador de onda completa con puente de graetz
▫ Rectificador de onda completa con transformador a toma
central
▫ Recortadores
▫ Cambiadores de nivel
Formatos de encapsulados para puentes rectificadores (puente de graetz)

 Rectificación de Onda Completa con Puente de Diodos (Graetz)

(Diodos Ideales)
Incrementa al 100% el nivel dc rectificado


(Diodos Ideales)
Intervalo de 0 a T/2
APAGADO
ENCENDIDO
D1
D2
D3
D4
ENCENDIDO
APAGADO
En el semiciclo +, solo dos diodos(D2 y D3), se encuentran en

polarización directa

(Diodos Ideales)
Intervalo de 0 a T/2

(Diodos Ideales)
Intervalo de T/2 a T
En el semiciclo negativo se polarizan directamente los diodos D1 y D4

La polaridad debido a la caída de tensión se mantiene en la resistencia

(Diodos Ideales)
Valor promedio dc está dado por:
T
2
Vdc   Vmax Sen( wt )d ( wt )
T 0
T
2
1
Vdc 
  V
0
max Sen( wt )d ( wt )

Vmax
Vdc 
  Sen(wt )d (wt )
0
 2Vmax
Vdc 
Vmax
 Cos( wt ) Vdc   0.636Vmax
 0 
Vdc 
Vmax
1  1


(Diodos VT=0.7)
Considerando que en cada semiciclo

conducen dos diodos se tiene:
2(Vmax  2VT )
Vdc   0.636(Vmax  2VT )

Sin embargo en caso que Vmax>>VT
2Vmax
Vdc   0.636

 Voltaje Inverso Máximo
Cuando los diodos no coducen, el voltaje en sus extremos es

el voltaje a través de R, en consecuencia
 PIV  Vmax
En un Transformador a TC, los voltajes están desfasados 180°

Durante el periodo 0 a T/2 de la señal de ingreso
D1 ENCENDIDO
D2 APAGADO
Durante el periodo T/2 a T de la señal de ingreso
D1 APAGADO
D2 ENCENDIDO
 Voltaje Inverso Máximo

Cuando los diodos no coducen, el voltaje en sus extremos es
el voltaje atraves de R más el voltaje de la toma central, en
consecuencia
 PIV  2Vmax
 Circuitos Recortadores
 Red de diodos que tiene la capacidad de recortar o eliminar una porción

de la señal de ingreso, sin distorsionar la parte restante de la señal
 Un sistema rectificador de media onda, es un ejemplo básico de un

rectificador
 Existen dos categorías de recortadores, en serie y en paralelo, en función

si el diodo se encuentra en serie o en paralelo a la carga, respectivamente
 Recortadores en Serie
 La configuración de un recortador serie, es básicamente la de un
rectificador de media onda. Se extiende la configuración para una
variedad de señales alternas sin ninguna limitación
Señal de Ingreso Señal de Salida Señal de Ingreso Señal de Salida

 Análisis de recortadores en serie
No existe un procedimiento general para analizar una red de

recortadores, sin embargo las siguientes consideraciones son de
utilidad

 Hacer un dibujo mental de la respuesta de la red basándose en la
dirección del diodo y en los niveles de voltaje aplicados
Se deduce que un voltaje positivo encenderá el diodo y que para

el semiciclo negativo el diodo se encuentra en circuito abierto

 Determinar el nivel de voltaje (voltaje de transición), que causará un
cambio en el estado del diodo (Se analizará considerando un diodo ideal,
VT=0V)
Vi=V
Para un voltaje instantáneo > a V, el diodo se encuentra

encendido, para valores menores a V, el diodo está apagado

 El voltaje de salida V0, se puede determinar mediante la aplicación de
leyes de Kirchoff
Vi  V  V0  0
V0  Vi  V

 Realizar un diagrama de las señales de ingreso y salida y acotar valores
instantáneos
Para Vi=V, el diodo cambia de estado

 Recortadores en paralelo
 En la figura se presenta un diagrama de la configuración mas simple de
un recortador en paralelo. Su análisis es similar a un recortador serie
Señal de Ingreso Señal de Salida Señal de Ingreso Señal de Salida

 Análisis de recortadores en paralelo

 Determine V0, para la red de la figura
La polaridad de la fuente dc y la dirección del diodo, sugieren

que se encontrará encendido para valores negativos de la señal
de ingreso
 Análisis de recortadores en paralelo

 El valor de tensión para la transición se puede determinar, mediante la
siguiente figura (Se considera un diodo ideal, VT=0V)
Para valores de Vi, menores a V, el

diodo se polariza directamente.
(encendido).
Para valores de Vi, mayores a V el
diodo está apagado (circuito abierto)
 Modificadores de Nivel
 Modifica el nivel de una señal dc
 Incluye Capacitor, Diodo, Resistencia y puede incluir una fuente dc adicional

 Modificadores de nivel: Análisis de una red

Intervalo 0-T/2
El diodo se encuentra en estado encendido

El tiempo de carga del condensador R*C, es muy baja (R se cortocircuita
por el encendido del diodo.
En consecuencia V0=0
 Modificadores de nivel: Análisis de una red
Intervalo T/2-T
 V  V  V0  0
V0  2V
Se obtiene el valor de la tensión de salida mediante el análisis de Kirchhoff

para voltajes
 Aplicaciones y Circuitos con Diodos

▫ Aplicaciones con ingresos dc
 La Recta de Carga
 Configuraciones en Serie, Paralelo y Mixta de Diodos
 Compuertas AND y OR
Para el circuito de la figura, la carga R,

 La recta de carga aplicada tendrá un efecto importante sobre
el punto de operación o trabajo del diodo.
El punto de trabajo (Q), queda determinado
por la intersección de la recta de carga y la
curva característica del diodo.
Para el circuito aplicando la ley de voltajes
de Kirchhoff, se tiene:
E  VD  VR  0
E  VD  I D R
Estableciendo condiciones VD=0; ID=0,
podemos encontrar dos puntos que
permitan graficar la recta de carga sobre la
curva
 La recta de carga
E  VD  VR  0
E  VD  I D R
E
ID  paraVD  0
R
VD  E paraI D  0
Característica Diodo
E/R
Punto Q
IDQ
Recta de Carga (Red)
VDQ E
 Configuraciones de diodos en serie

 Para el análisis de una red (circuito), que incluyan diodos en serie, es posible
considerar lo siguiente:
 Se puede reemplazar mentalmente el diodo, por una resistencia.
 Si la Intensidad generada por la fuente del circuito, coincide con la flecha del
símbolo del diodo, en consecuencia el diodo está polarizado directamente.
 Con la condición anterior y verificando que la tensión E de la fuente sea mayor

que el voltaje de umbral VT. Se puede acotar una caída de tensión ideal en el
diodo de 0.7V (Si) y 0.3V (Ge).
0.7V

Determine VD,VR, ID,
VD  0.7V
VR  E  VD  8V  0.7V  7.3V
VR 7.3V
ID  IR    3.32 mA
R 2.2 K

E  VD  VR  0
VD  E  VR  E  0  E  8V
 ID  0
VR  0

ID  0A
VR  I R R  I D R  0 A  1.2 K  0V
VD  E  0.5V
Determine VO, ID,

V0  E  VT 1  VT 2  12V  0.7V  0.3V  11V
VR V0 11V
I D  I R    1.96mA
R R 5.6 K
Determine ID,VD2 V0,
V0  I R R  I D R  0 A  R  0V
VD 2  Vcircuitoabierto  E  12V

Determine I, V1, V2, V0,
E1  VR1  0.7V  VR 2  E2  0
10  IR1  0.7  IR2  5  0
14.3  I ( R1  R2 )  0
14.3 14.3
I   2.07mA
R1  R2 4700  2200
VR1  IR1  2.07mA  4.7 K  9,73V
VR 2  IR2  2.07mA  2.2 K  4,55V
 E2  V2  V0  0
V0  4.55  5  0.45V
 Configuraciones de diodos en paralelo y en serie-paralelo

 Los análisis anteriores se pueden aplicar para una red que incluya diodos en
paralelo o en configuración mixta
Determine I1, ID1, ID2, V0,
VR E  VD 10V  0.7V
I1     28.18mA
R R 0.33K
I1 28.18mA
I D1  I D 2    14.09mA
2 2
(Considerando Diodos de igual características)
Diodos en Paralelo: Permite distribuir la

Intensidad y con ello evitar sobrecargas en los
diodos
Determine I, para la red de la figura
E1  E2  VD
I
R
20V  4V  0.7V
I  6.95mA
2.2 K
Determine V0, para la red de la figura
V0  12V  0.3V
V 0 11.7V
Determine I1, I2,ID2, para la red de la figura

VT 2 0.7V
I1    0.212mA
R1 3.3K
 V2  E  VT 1  VT 2  0
V2  E  VT 1  VT 2
V2  20  0.7  0.7  18.6V
V2 18.6V
I2    3.32mA
R2 5.6 K
I D 2  I 2  I1
I D 2  3.32mA  0.212mA
I D 2  3.1mA
 Compuertas lógicas con diodos: Compuerta OR
E  VD 10V  0.7V A 10 0 10
I   9.3mA
R 1K B 0 10 10
V0 9.3 9.3 9.3

 Compuertas lógicas con diodos: Compuerta AND
E  VD 10V  0.7V A 10 0 10
I   9.3mA
R 1K B 0 10 10
V0 0.7 0.7 10

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FACULTAD DE INGENIERÍA

Escuelas: Ingeniería Eléctrica

 Explicación del sílabo y metodología

“An expert is a person who has made all the mistakes

Explicación del Sílabo y Metodología FACULTAD DE INGENIERÍA

 Diseñar, implementar, evaluar y optimizar los circuitos electrónicos que

Explicación del Sílabo y Metodología FACULTAD DE INGENIERÍA

CAPÍTULO 1. Física de los semiconductores 6 12.0 h

CAPÍTULO 2. Fuentes de alimentación reguladas 2 4.0 h

CAPÍTULO 3. El transistor bipolar de unión (BJT). Análisis en CC 7 14.0 h

CAPÍTULO 4. Transistor de efecto de campo (FET). Análisis en CC. 7 14.0 h

CAPÍTULO 5. Análisis en CA de transistores BJT 3 6.0 h

CAPÍTULO 6. Amplificadores Operacionales 5 10.0 h

BIBLIOGRAFÍA FACULTAD DE INGENIERÍA

» BOYLESTAD R. 2009. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México. PEARSON

Software para Simulación de Circuitos Electrónicos

Explicación del Sílabo y Metodología FACULTAD DE INGENIERÍA

 Descripción detallada de la asignatura y material

▫ Nombre: Electrónica Analógica (Sep 2017 – Feb 2018)

Conceptos Básicos de la Física de

 Tipo de materiales: Conductividad

 Conductor: Material que soporta un flujo generoso de carga, cuando una

 Aislante: Material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad, bajo la

 Semiconductor: Material que ofrece un nivel de conductividad sobre

Conceptos Básicos de la Física de

 Tipo de materiales: Resistividad

 Un análisis similar de los tipos de materiales, se lo puede realizar

Valores Típicos de Resistividad

Conductor Semiconductor Aislante

=0.46 m (Germanio, Ge)

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 Modelo atómico de Bohr

 Modelo cuantizado del átomo

 Este modelo planetario es un

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 El núcleo positivo atrae a los electrones orbitales

 Estos no caen hacia el núcleo debido a la fuerza centrífuga (hacia

 Orbita estable: equilibrio entre fuerza centrífuga y fuerza de atracción del

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 El núcleo y los electrones de

 El estudio se centra en la órbita

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 Capa de valencia en semiconductores

 Los semiconductores poseen 4 electrones en su capa de valencia

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 Germanio (Ge): Material semiconductor. La distribución atómica es la

 Silicio (Si): Material semiconductor más empleado, tiene 14 protones, 2

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 Niveles de energía: Estructuras

 La energía asociada con cada electrón se mide en electron volts

 Donde Q, es la carga (propiedad intrínseca), asociada a un electrón = 1.6

1eV  1.6  10 19 J

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 La combinación de átomos de silicio, forman una estructura ordenada

 Cuando un átomo posee 8 electrones en su capa de valencia se vuelve

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 Niveles de energía: Estructuras

 Átomo aislado: Electrones con niveles discretos de energía

El Átomo de Bohr, Bandas de Energía FACULTAD DE INGENIERÍA

 Niveles de energía: Estructuras

Eg>5eV B.Prohibida Eg1eV B.Prohibida

AISLANTE SEMICONDUCTOR CONDUCTOR 17