Electrónica de dispositivos Dr. C.

Reig 05/06

Tema 4: Fenómenos de transporte de carga

Cap. 2: Sze, Cap. 4: K. Kano

+ Arrastre de portadores
• movilidad
• resistividad
movimiento de densidades
• efecto Hall
las cargas de corriente
+ Difusión de portadores
• Proceso de difusión
• Relación de Einstein

+ Inyección de portadores ¡ desequilibrio !

+ Generación-recombinación estado
de portadores estacionario

= ECUACIÓN DE CONTINUIDAD = descripción global

> Aplicaciones
• Inyección lateral en estado estacionario
• Experimento de Haynes-Shockley

Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 1/11

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Movilidad
En un cristal semiconductor, sin fuerzas externas, los portadores de carga se mueven, como
partículas cuasi-libres, considerando su masa efectiva. Así:
1 ∗ 2 1
m v th = 3 ⋅ kT
2 2
m*: masa efectiva El movimiento aleatorio
vth: velocidad térmica media (~107 cm/s) provoca que el desplazamiento
τc: tiempo libre medio (~10-12 s) neto sea nulo
vth τc:recorrido libre medio (~10-5 s)

⎛ qτ ⎞
Si aplicamos un campo eléctrico ... − q Eτ c = m n ⋅ v n ⇒ v n = −⎜⎜ c ⎟⎟ E
⎝ mn ⎠
los electrones: vn: velocidad de arrastre de los electrones

qτ c µn: movilidad de
v n = − µ n E siendo µ n =
mn los electrones

los huecos: vp: velocidad de arrastre de los huecos

qτ c µp: movilidad de
v p = µ p E siendo µ p =
[µ ] = cm
2

V⋅s mp los huecos

Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 2/11

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Resistividad
Consideremos un semiconductor tipo n homogéneo en el seno de un campo eléctrico E:
dE i 1 dE
− q E = −∇E p → −q E = − →E= ⋅ i
dx q dx
El potencial electrostático se define
dψ E
E≡− →ψ = i
dx q

Corrientes de arrastre:
para los electrones:
n
In
J n = = ∑ (− q v i ) = −q n v n = q n µ n E
A i =0
para los huecos: ¡mismo

J = J n + J p = (q n µ n + q p µ p )E
sentido!
Jp = q pv p = q p µp E

Conductividad: σ = σ n + σ p = q n µn + q p µ p
tipo n tipo p Resistencia
1 1
Resistividad: ρ≡ = → ρ= 1 ρ=
1 L
σ q n µn + q p µ p R=ρ
q p µp q p µp A
Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 3/11
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Ejemplo
Una muestra de silicio a 300K con L=2.5cm y A=2mm2 se dopa con 1017cm-3 de fósforo y
9×1016cm-3 de boro. Calcule:
a) Las conductividades de la muestra debidas a huecos y electrones
b) La resistencia de la muestra

a) Las conductividades son: σ n = q n µ n y σ p = q p µp

Para calcular n y p:
p + ND = n + N A y p ⋅ n = ni2
Si resolvemos ambas ecuaciones:
n = 1016 cm −3 y p = 10 4 cm −3
La densidad total de dopantes será: N=NA+ND=1.9×1017cm-3. Si leemos en la gráfica:
µ n ≅ 700 cm2 Vs y µ p ≅ 200 cm2 Vs
Con lo cual:
σ n = (1.6 × 10 −19 )(700 )(1016 ) = 1.12(Ohm ⋅ cm)
−1

σ p = (1.6 × 10 −19 )(200 )(10 4 ) = 3.12 × 10 −13 (Ohm ⋅ cm)

−1

b) La resistividad y la resistencia de la de la muestra serán:

ρ≡
1
=
1
≅
1 L
= 0.893(Ohm ⋅ cm) ⇒ R = ρ = (0.893 )
(2.5) = 134Ohm
σ σ n + σ p (1.12) A (0.02)
Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 4/11
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El efecto Hall
Sea un semiconductor tipo p : F = q (v × B ) q Ey = q v x Bz → Ey = v x Bz
⎛J ⎞ 1
Ey = ⎜⎜ p ⎟⎟ Bz = RH J p Bz ; con RH ≡
⎝q p⎠ qp
RH: coeficiente de Hall
1
Para un semiconductor tipo n: RH ≡ −
qn
Conocidos I, B, W, VH y A:

p=
1 J B
= p z =
(I A )Bz = I Bz W
q RH q Ey q (VH W ) q VH A

Ejemplo
Una muestra de silicio es dopada con 1016cm-3 átomos de P. Encuentre la tensión de Hall en
una muestra con W=500µm, A=2.5×10-3cm2, I=1mA, Bz=10-4Wb/cm2.
1 1
El coeficiente de Hall será: RH = − = = −625cm3 s −1
q n (1.6 × 10 )(10 )
−19 16

con lo que la tensión de Hall será:

⎡ I ⎤ ⎡
VH = E yW = ⎢RH Bz ⎥ W = ⎢(− 625 ) ⋅
(10 − 3 )
⋅ −4 ⎤
(500 × 10 − 4 ) = −1.25mV
⎣ A ⎦ ⎣ (2.5 × 10 ) −3
10 ⎥
⎦

Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 5/11

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Difusión
Difusión: proceso que consiste en el movimiento
de portadores desde regiones de alta
concentración a regiones con baja concentración
Su descripción matemática es:
dP
F = −D
dx x = x1

F: flujo
P: concentración
D: constante de difusión, difusividad

La corriente de difusión de huecos tendrá el mismo sentido que el flujo de huecos. La corriente
de difusión de electrones, sentido contrario (J=q·F).
Corriente de difusión de electrones Corriente de difusión de huecos Relación de Einstein
dn dp kT
J n = q Dn J p = −q Dp D= ⋅µ
dx dx q
Corriente total (suma de corrientes de arrastre y difusión)
Corriente total de electrones Corriente total de huecos
dn dp
J n = q µ n n E + q Dn J p = q µ p p E − q Dp
dx dx
Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 6/11
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Generación-Recombinación. Inyección de portadores

Exceso de portadores

n ⋅ p > ni2 ⇒ n ⋅ p = ni2

X
Generación (G) es el proceso por el que se
crean nuevos portadores, electrones y huecos
Recombinación (R) es es el proceso inverso,
por el cual un electrón y un hueco desaparecen
simultáneamente
(a) situación de equilibrio Mecanismos de inyección de portadores:
(b) bajo nivel de inyección
(c) alto nivel de inyección
• Inyección directa (unión polarizada)
• Excitación óptica
Nivel de inyección:
Expresiones analíticas: Es la magnitud relativa de la
concentración de portadores en exceso
Variación neta de portadores minoritarios:
respecto de la concentración de
Tipo n Tipo p portadores mayoritarios
∂p p − pn 0 ∂n n − np0 Se considerarán siempre bajos niveles de
= Gp − n = Gn − p
∂t τp ∂t τn inyección

Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 7/11

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Ecuación de continuidad
Consideremos los electrones:
∂n ⎡ J ( x ) A J n ( x + dx ) A ⎤
A dx = ⎢ n − ⎥ + (Gn − Rn ) A dx
∂t ⎣ ( − )q ( − )q ⎦
tomando el desarrollo en serie
∂J n
J n ( x + dx ) = J n ( x ) + dx ⋅ + ⋅⋅⋅
∂x

Se obtiene:
∂n 1 ∂J n ( x )
= ⋅ + (Gn − Rn )
∂t q ∂x

Si sustituimos las expresiones de las corrientes:

∂n p ∂ε ∂n p ∂ 2np n p − n po
= np ⋅ µn ⋅ + µn ⋅ ε ⋅ + Dn ⋅ + G −
∂t ∂x ∂x ∂x 2
n
τn
Para un semiconductor tipo n:
∂pn ∂ε ∂pn ∂ 2 pn pn − pno
= ( − )pn ⋅ µ p ⋅ − µp ⋅ ε ⋅ + Dp ⋅ + G −
∂t ∂x ∂x ∂x 2
p
τp
Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 8/11
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Ejemplo: inyección lateral en estado estacionario

Sea un semiconductor de tipo n
En estado estacionario:
∂pn ∂ 2 pn pn − pno
= 0 = Dp ⋅ −
∂t ∂x 2 τp
Las condiciones de contorno serán:
pn ( x = 0) = pn (0) pn ( x → ∞ ) = pno
La solución de la ecuación diferencial será:

pn ( x ) = pno + [pn (0) − pno ] ⋅ e

− x / Lp
con Lp = Dp ⋅ τ p

Si la región semiconductora es finita:

⎡ sinh([W − x ] Lp )⎤
pn ( x ) = pno + [pn (0) − pno ] ⋅ ⎢ ⎥
⎣ sinh(W / Lp ) ⎦
La corriente a la salida será:
∂pn Dp
= q ⋅ [pn (0) − pno ] ⋅
1
J p = −q ⋅ Dp ⋅ ⋅
∂x x =W Lp sinh W
Lp
Experimento de Haynes-Shockley ⇒ http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/semicon/diffusion/diffusion.html
Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 9/11
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Hoja de datos 3.1

Corriente de electrones Corriente huecos

dn dp
J n = q µ n n E + q Dn J p = q µ p p E − q Dp
dx dx
Ecuación de continuidad (huecos)
Efecto Hall ∂pn ∂ε ∂pn ∂ 2 pn pn − pno
Relación de 1 IB W = ( −)pn ⋅ µ p ⋅ − µp ⋅ ε ⋅ + Dp ⋅ + G −
Einstein p= = z ∂t ∂x ∂x ∂x 2
p
τp
q RH q VH A
kT Ecuación de continuidad (electrones)
D= ⋅µ 1 IB W ∂n p ∂n p ∂ 2np n p − n po
q n=− =− z ∂ε
q RH q VH A = np ⋅ µn ⋅ + µn ⋅ ε ⋅ + Dn ⋅ + G −
∂t ∂x ∂x ∂x 2
n
τn
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Tema 5: La unión p-n

K. Kano (§ 5.1 y 5.2), Sze (§ 3.1 y 3.2), Streetman (§ 5.2)

– Formación de la región espacial de carga

– Barrera de potencial y bandas de energía
– Corrientes de arrastre y difusión
– Electrostática de la región espacial de carga
– Constancia del nivel de Fermi
– Potencial de contacto en términos del nivel de Fermi
– Potencial de contacto en términos de las densidades de dopado
– Campo eléctrico y potencial en la región espacial de carga
– Anchura de la región espacial de carga

Tema 4: Fenómenos de transporte de carga 11/11