INFORME DE LABORATORIO No 2

Escuela Tecnológica Instituto Técnico Central

Docente: Ing. Yerman Ávila
Integrantes: Kevin Peña – Oscar Rodríguez – Dayana Pedroza – Sergio Perdomo –
Sebastián Vargas

Resumen—En el siguiente documento observamos el
segundo laboratorio, donde encontramos como al juntar
diodos, transistores, multímetro y herramientas como lo son
el osciloscopio y el generador de señales fuente dual vemos
como es su comportamiento en un montaje y cómo mediante
estas herramientas podemos obtener datos que nos sirve
para dar varias conclusiones.
Índice de Términos - Diodo, Simulación, Tensión,
Corriente, transistores, datasheet.
Abstract-- In the following document we observe the
second laboratory, where we find how by putting together
diodes, transistors, multimeter and tools such as the
oscilloscope and the signal generator we see how their
behavior is in a setup and how through these tools we can
obtain data that is useful to us. to give several conclusions.
Terms Index - Diode, Simulation, Voltage, Current,
transitory datasheet.
I. INTRODUCCIÓN
Los diodos y los transistores son componentes electrónicos
fundamentales en el mundo de la electrónica. En este informe,
nos centraremos en el comportamiento de los diodos en tres
configuraciones de circuitos ampliamente utilizadas: circuito de
media onda, onda completa y onda con puente. Además,
explicaremos el funcionamiento de los transistores,
específicamente en relación con sus tres terminales clave: el
emisor, la base y el colector, y analizaremos las curvas de
saturación que describen su comportamiento.
Este informe proporcionará una comprensión en profundidad del
comportamiento de diodos y transistores en estas
configuraciones, junto con su relación con las curvas de
saturación. Se espera que los lectores adquieran una visión más
sólida de estos componentes clave en la electrónica y su
importancia en una amplia variedad de aplicaciones.
II. MARCO TEÓRICO
A. Diodo
Un diodo es un dispositivo semiconductor que actúa
esencialmente como un interruptor unidireccional para la
corriente. Permite que la corriente fluya en una dirección, pero
no permite a la corriente fluir en la dirección opuesta.
Los diodos también se conocen como rectificadores porque
cambian corriente alterna (CA) a corriente continua (CC)
pulsante. Los diodos se clasifican según su tipo, voltaje y
capacidad de corriente.
Los diodos tienen una polaridad determinada por un ánodo
(terminal positivo) y un cátodo (terminal negativo). La mayoría
de los diodos permiten que la corriente fluya solo cuando se
aplica tensión al ánodo positivo. En este gráfico se muestran
varias configuraciones de los diodos.

Los diodos, elementos unidireccionales de conducción

eléctrica, son vitales en la rectificación de señales, permitiendo
la conversión de corriente alterna en corriente continua.
Estudiaremos su funcionamiento en configuraciones de media
onda, onda completa y puente, y examinaremos cómo influyen
en la forma de las señales y la eficiencia de rectificación.
Fig. 1. Diodo 1N4001
Por otro lado, los transistores, amplificadores y conmutadores
electrónicos, dependen en gran medida de la corriente que fluye
entre el emisor, la base y el colector. Investigaremos su B. Tipos de Transistor y sus funciones
operación en detalle y analizaremos las curvas de saturación,
que representan su comportamiento en diversas condiciones de Los transistores NPN y PNP son dos tipos de transistores
operación. Comprender cómo un transistor entra en saturación o bipolares de unión (BJT) que se utilizan comúnmente en
corte es esencial para su aplicación en la amplificación y electrónica para amplificar señales, conmutar cargas y realizar
conmutación de señales. diversas funciones en circuitos electrónicos. La principal
diferencia entre ellos radica en la polaridad de sus uniones y la

1
dirección de la corriente.
Transistor NPN:
- En un transistor NPN, las capas de semiconductor están
dispuestas en el siguiente orden: una capa de material tipo N
(negativa) entre dos capas de material tipo P (positivo).
- La corriente fluye desde la capa tipo N (emisor) hacia la capa
tipo P (colector) cuando se polariza adecuadamente con una
corriente de base.
- El símbolo es un triángulo con una flecha que apunta hacia
afuera desde la base, indicando la dirección de la corriente de
base.
Fig. 2. Transistor NPN
Transistor PNP:
- En un transistor PNP, las capas de semiconductor están
dispuestas en el siguiente orden: una capa de material tipo P
(positiva) entre dos capas de material tipo N (negativa).
- La corriente fluye desde la capa tipo P (emisor) hacia la capa
tipo N (colector) cuando se polariza adecuadamente con una
corriente de base.
- El símbolo es un triángulo con una flecha que apunta hacia
adentro hacia la base, indicando la dirección de la corriente de
base.
Ambos tipos de transistores se utilizan para controlar corrientes
más grandes a través de sus terminales colector y emisor
mediante una corriente mucho más pequeña en la terminal base.
Esto permite la amplificación de señales y la conmutación de
cargas en circuitos electrónicos.
Cuando un transistor NPN se satura (está encendido), la
corriente fluye del emisor al colector, mientras que en un
transistor PNP, la corriente fluye del emisor al colector cuando
el transistor está saturado.
La elección entre un transistor NPN y un transistor PNP depende
de la aplicación y los requisitos del circuito. Ambos tipos de
transistores tienen usos específicos, y seleccionar el tipo
correcto es fundamental para un diseño exitoso.
Fig. 3. Transistor PNP
2
Ecuación de funcionamiento: El comportamiento de un
transistor bipolar se describe mediante la ecuación de las
corrientes en sus terminales:
Transistor NPN: Corriente de emisor (Ie) = Corriente de base
(Ib) + Corriente de colector (Ic)
Ie = Ib + Ic
Transistor PNP: Corriente de emisor (Ie) = Corriente de base
(Ib) + Corriente de colector (Ic)
Ie = Ib + Ic
Configuraciones: Existen tres configuraciones principales en
las que se pueden utilizar los transistores bipolares: Emisor
Común (EC), Colector Común (CC) y Base Común (BC). Cada
una de estas configuraciones tiene sus propias características y
aplicaciones específicas. Aquí hay una breve descripción de
cada una: Emisor Común (EC): En esta configuración, el
terminal del emisor se conecta a tierra, y la señal de entrada se
aplica al terminal de la base. La señal de salida se toma del
terminal del colector. Esta configuración proporciona una
ganancia de voltaje alta y una ganancia de corriente media.
Colector Común (CC): En esta configuración, el terminal del
colector se conecta a tierra, y la señal de entrada se aplica al
terminal de la base. La señal de salida se toma del terminal del
emisor. La configuración de Colector Común se utiliza para
amplificar corriente y proporciona una ganancia de corriente
alta. Base Común (BC): En esta configuración, el terminal de la
base se conecta a tierra, y la señal de entrada se aplica al terminal
del emisor. La señal de salida se toma del terminal del colector.
La configuración de Base Común se utiliza para amplificar la
tensión y proporciona una ganancia de voltaje alta .
Regiones de funcionamiento: Los transistores bipolares
operan en tres regiones principales: corte (off), activa y
saturación. Corte (off): En esta región, no fluye corriente desde
el colector hacia el emisor. El transistor se encuentra en estado
de apagado. Activa: En esta región, el transistor opera de
manera lineal y controlada. La corriente fluye desde el colector
hacia el emisor, y el transistor amplifica la señal de entrada.
Saturación: En esta región, el transistor permite una corriente
máxima desde el colector hacia el emisor. Se utiliza en
aplicaciones de conmutación.
Un transistor de unión bipolar (BJT) consta de tres partes
principales:
Emisor (E): El emisor es la región del transistor desde la cual
fluyen los portadores de carga (electrones en un BJT NPN o
huecos en un BJT PNP) hacia la región de la base. El emisor es
la terminal de entrada de corriente en el transistor.
Base (B): La base es la región del transistor que controla el flujo
de portadores de carga entre el emisor y el colector. La corriente
que fluye desde el emisor hacia la base controla la corriente que
fluye desde el colector hacia el emisor. La base es la terminal de
control del transistor.
Colector (C): El colector es la región del transistor donde se
recogen los portadores de carga que atraviesan el dispositivo. La
corriente fluye desde el emisor hacia el colector y constituye la
corriente de salida del transistor.
Polarización Fija: La polarización fija implica la configuración
de resistencias en la base y el emisor del BJT de manera que el
punto de funcionamiento sea constante y no varíe con cambios
en la temperatura o en las características del transistor. Esta
polarización es sencilla pero no es muy flexible, ya que no se
adapta a cambios en las condiciones de funcionamiento.
Polarización Estabilizada en Emisor: En esta configuración,
se utiliza una resistencia de emisor para estabilizar la
polarización del BJT. La corriente de emisor se utiliza como
referencia, lo que hace que el punto de funcionamiento sea
menos sensible a cambios en la ganancia de corriente del
transistor. Es una configuración más robusta que la polarización
fija.
Polarización por Realimentación de Colector: Esta técnica
utiliza una resistencia de colector para realimentar parte de la
corriente de colector a la base. Esto estabiliza la polarización y
reduce la sensibilidad a las variaciones del transistor. Es una
configuración común en amplificadores.
Polarización de Divisor de Voltaje: En esta configuración, se
utiliza un divisor de voltaje compuesto por dos resistencias (una
entre la base y el voltaje de referencia y otra entre el voltaje de
referencia y el emisor). Esto permite ajustar la corriente de base
y, por lo tanto, el punto de funcionamiento del BJT. Es una
polarización flexible y común.
Aplicaciones del transistor de unión bipolar BJT: Los BJT se
utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo:
Amplificadores de señal: Los BJT se utilizan en amplificadores
para aumentar la amplitud de señales eléctricas, como en
amplificadores de audio.
Conmutadores: Los BJT pueden actuar como interruptores
electrónicos, controlando el flujo de corriente en función de una
señal de entrada.
Osciladores: Los BJT se utilizan en circuitos osciladores para
generar señales de alta frecuencia, como en radios y
transmisores.
Reguladores de voltaje: Los BJT se utilizan en circuitos
reguladores de voltaje para mantener una salida de voltaje
constante.
3
Circuitos de lógica: Aunque los BJT se utilizan menos
comúnmente que los transistores de efecto de campo (FET), se
han utilizado en circuitos de lógica digital.
C. TRANSISTOR 2N3904
Transistores son componentes o semiconductores activos que
sirven para entregar una señal de salida en respuesta de una señal
de entrada, también son utilizados como amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. Existen diferentes tipos de
transistores que pueden variar de acuerdo a su aplicación,
tamaño, encapsulado, capacidad de voltaje, corriente y potencia
que pueden soportar.
Funciona en tres regiones semiconductoras, las cuales son:
corte, saturación y amplificación. Se puede aplicar una pequeña
corriente en la región base, para controlar una corriente mayor
que fluirá entre las regiones (emisor y colector). Este transistor
es de bajo costo, práctico para conectarlo a un protoboard o
soldar a cualquier PCB y suficientemente robusto para ser usado
en experimentos electrónicos. Lo puedes aplicar en tus
proyectos como interruptor electrónico, amplificador de señales
o como conmutador de baja potencia, como ejemplo lo puedes
usar para controlar un motor, accionar un revelador y producir
sonidos en una bocina.
Fig. 4. Transistor 2n3904
D. Osciloscopio
Un osciloscopio es un instrumento de medición para la
electrónica. Representa una gráfica de amplitud en el eje vertical
y tiempo en el eje horizontal. Es muy usado por estudiantes,
diseñadores, ingenieros en el campo de la electrónica.
Frecuentemente se complementa con un multímetro, una fuente
de alimentación y un generador de funciones o arbitrario.
Últimamente, con la explosión de dispositivos con tecnologías
de radiofrecuencia como Wifi o Bluetooth, el banco de trabajo
se complementa con un analizador de espectro.
El osciloscopio presenta los valores de las señales eléctricas en
forma de coordenadas en una pantalla, en la que normalmente el
eje X (horizontal) representa tiempos y el eje Y (vertical)
representa tensiones. La imagen así obtenida se denomina
oscilograma. En osciloscopios análogos o de fósforo digital se
suele incluir otra entrada o control, llamado "eje Z" que controla
la luminosidad del haz, permitiendo resaltar o apagar algunos
segmentos de la traza dependiendo de su frecuencia de
repetición o velocidad de transmisión en tiempo.

Fig. 5. Osciloscopio
E. Generadores de señal
El generador de señal no es el encargado de medir la señal que
entrega, aun cuando pueda indicarla, sino que son utilizados
como instrumentos industriales de alimentación o prueba de
circuitos eléctricos o actuadores, tanto en su desarrollo como en
la verificación de su funcionamiento.
Fig. 7. Fuente DC
G. Rectificador de media onda
Un rectificador de media onda, también conocido como
rectificador de media onda, es un circuito electrónico que se
utiliza para convertir una señal de corriente alterna (CA) en una
señal de corriente continua (CC) pero solo aprovechando la
mitad de los ciclos de la onda sinusoidal de entrada. En otras
palabras, este tipo de rectificador solo rectifica una de las dos
semiondas de la señal CA.

En concreto, un generador de señales se utiliza para obtener

señales periódicas, en las que la tensión varía periódicamente
en el tiempo, controlando su período, reconocido como el
tiempo en el que se realiza una oscilación completa, y su
amplitud, el máximo valor que toma la tensión de la señal.
Fig. 8. Rectificador de media onda

Acoplamiento por transformador Como ya se vio, a menudo

se utiliza un transformador para acoplar el voltaje de entrada de
CA proveniente de la fuente al rectificador, El acoplamiento por
transformador ofrece dos ventajas: primera, permite que la
fuente de voltaje se reduzca como sea necesario; segunda, la
fuente de CA se aísla eléctricamente del rectificador, con lo que
se evita el peligro de choques eléctricos en el circuito del
secundario.

Fig. 6. Generador de señales

F. Fuente de voltaje DC
Las fuentes de alimentación DC son dispositivos que a partir de
la tensión de red son capaces de proporcionarnos una señal de
tensión continua para alimentar al circuito al que se conecta.
Fig. 9. Rectificador de media onda con acoplamiento por transformador.

4
H. Rectificador de onda completa
Un rectificador de onda completa permite corriente
unidireccional (en un sentido) a través de la carga durante los
360° del ciclo de entrada, mientras que un rectificador de media
onda permite corriente a través de la carga sólo durante la mitad
del ciclo. El resultado de la rectificación de onda completa es un
voltaje de salida con una frecuencia del doble de la frecuencia
de entrada y que pulsa cada semiciclo de la entrada, como lo
muestra la figura.
Fig. 10. Rectificador de onda completa.
Rectificador de onda completa con derivación central Un
rectificador con derivación central es un tipo de rectificador de
onda completa que utiliza dos diodos conectados al secundario
de un transformador con derivación central, El voltaje de entrada
se acopla a través del transformador al secundario con
derivación central. La mitad del voltaje secundario total aparece
entre la derivación central y cada extremo del devanado
secundario.
Fig. 11. Rectificador de onda completa con derivación central.
I. Rectificador de onda completa con puente de diodos
Este rectificador es uno de los más usados en las fuentes de
alimentación, tanto si está formado por cuatro diodos
individuales como su versión integrada. Estos últimos son más
fáciles de manejar, puesto que disponen de cuatro patillas, dos
para su conexión al transformador, y otras dos para la conexión
hacia la carga.
Fig. 12. Rectificador de onda completa con puente de diodos.
5
J. Amplificador común con transistor bipolar.
Fig. 13. Amplificador en emisor común FLOYD, THOMAS Dispositivos
electrónicos Octava edición
Un amplificador en emisor común es un tipo de configuración
de transistor bipolar que se utiliza para amplificar señales
electrónicas. En esta configuración, el transistor se coloca de tal
manera que la señal de entrada se aplica a la base del transistor,
la señal de salida se toma en el colector y la señal amplificada se
obtiene en el emisor.
El amplificador en emisor común proporciona una ganancia
de voltaje, lo que significa que la señal de salida es mayor que
la señal de entrada esto lo hace útil para amplificar señales
débiles y la señal de salida suele estar en fase invertida en
comparación con la señal de entrada esto significa que cuando
la señal de entrada sube, la señal de salida baja y viceversa,
también encontramos baja impedancia la entrada de un
amplificador en emisor común tiene una baja impedancia, lo que
significa que es capaz de aceptar señales de baja amplitud sin
afectar significativamente la señal de entrada y alta impedancia
de salida de un amplificador en emisor común tiene una alta
impedancia, lo que facilita la conexión a cargas externas sin
afectar significativamente la señal de salida para que un
amplificador en emisor común funcione correctamente, el
transistor debe estar polarizado en el punto de funcionamiento
adecuado, lo que implica la aplicación de tensiones y corrientes
específicas a sus terminales.
 Fig. 14 Circuito amplificador de tensión con BJT
https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-5-teoria.pdf.
Datos clave para el análisis.
Tensión de alimentación (Vcc): La tensión de alimentación es la
tensión aplicada a la fuente de alimentación del amplificador.
Tensión de polarización de base (Vb): La tensión de
polarización de la base es la tensión aplicada a la base del
transistor para establecer su punto de funcionamiento.
Corriente de polarización de base (Ib.): La corriente de
polarización de base es la corriente que fluye desde la base del
transistor.
Ganancia de corriente del transistor (β): La ganancia de corriente
del transistor, también conocida como beta (β), es una
característica específica del transistor que relaciona la corriente
de colector con la corriente de base (Ic/Ib).
Fórmulas básicas:
Cálculo de la resistencia de base (Rb):
Rb = (Vb - Vbe) / Ib.
Donde:
Vbe es la tensión de polarización de la unión base-emisor
(alrededor de 0.7 V para transistores de silicio).
Ib. es la corriente de polarización de base que se determina según
tus necesidades de amplificación y el valor de β.
Cálculo de la resistencia de colector (Rc):
Rc = (Vcc - Vceq) / Ic
Donde:
Vceq es la tensión de colector-emisor en el punto de
funcionamiento.
Ic es la corriente de colector que se desea.
Cálculo de la ganancia de voltaje (Av):
Av = -Rc / Rb
Cálculo de la resistencia de carga (Re):
Re = (Vcc - Vceq) / Ic
Cálculo del punto de polarización (Q-point):
En el punto de polarización, la tensión de colector (Vceq) y la
corriente de colector (Ic) se determinan. Asegúrate de que se
6
encuentren en la región activa del transistor (no saturación ni
corte).
K. curvas de saturación(BJT)
Las curvas de saturación de un transistor bipolar de unión (BJT)
son una representación gráfica que muestra el comportamiento
de un BJT cuando está saturado. La saturación es uno de los
modos de operación de un BJT y ocurre cuando el transistor está
completamente encendido, lo que significa que la corriente fluye
libremente a través de él. En esta región, tanto el colector como
el emisor del transistor están polarizados de manera directa.
Las curvas de saturación de un BJT suelen representarse en un
gráfico que muestra la relación entre la corriente de base (IB) y
la corriente de colector (IC) para un voltaje constante entre el
colector y el emisor (VCE). Aquí hay algunas características
clave de las curvas de saturación:
Región de saturación: En esta región, el transistor está en su
estado más activo y conduce corriente en su máxima capacidad.
Las curvas de saturación suelen mostrar un comportamiento casi
lineal en esta región, lo que significa que pequeños cambios en
la corriente de base resultan en grandes cambios en la corriente
de colector. Esto se debe a que el transistor está completamente
encendido.
Polarización directa: Tanto la unión colector-base (CB) como
la unión base-emisor (BE) están polarizadas directamente. Esto
permite que la corriente fluya libremente desde el colector hacia
el emisor.
VCE constante: En las curvas de saturación, el voltaje VCE se
mantiene constante, lo que significa que la tensión entre el
colector y el emisor no cambia.
Corriente de base y colector: Las curvas muestran cómo varía
la corriente de colector en función de la corriente de base,
manteniendo el voltaje VCE constante.
Saturación completa: Cuando la corriente de base alcanza un
cierto valor, el transistor entra en saturación completa y la
corriente de colector alcanza su máximo valor. Más allá de este
punto, aumentar la corriente de base no aumentará la corriente
de colector.
En las curvas características de salida en base común se
representa:
 Fig. 15. Curvas características de salida en Base común en un BJT

Fig. 17. Chanel # 1

III. DESARROLLO EXPERIMENTAL
CÁLCULOS CHANEL 2
Primeramente, se muestran los circuitos a estudiar (calcular,
simular, realizar montaje y medición) 𝑉𝑝
VRMS: → (16.60
√2/2
)= 5.86V
√2
PRÁCTICA DE ONDAS
IRMS: 5.86mA
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.
𝑉𝑝 16.60
VDC: → = 5.28mA
𝜋 𝜋

IDC: 5.28mA

Fig. 16. circuito a realizar # 1 Media onda.

CÁLCULOS CHANEL 1

𝑉𝑝
VRMS: → (√20
2/2
)= 7.07V Fig. 18. Chanel # 2
√2

IRMS: 7.07mA

𝑉𝑝 20
VDC: → = 6.36mA
𝜋 𝜋

IDC: 6.36mA

7
 R. ONDA COMPLETA PUENTE DE DIODOS.

Fig. 19. Simulación de media onda

Fig. 22. circuito a realizar # 3 onda completa con puente

RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA

CÁLCULOS

Vp: 6(√2) = 8.48𝑉

Fig. 20. circuito a realizar # 2 Onda completa

CÁLCULOS

Vp:120 (√2) = 169𝑉 Fig. 23. Simulación de onda completa con puente

PRÁCTICA TRANSISTOR BJT (BIPOLAR JUNCTION

TRANSISTOR)

Desarrollo práctico.

Primer circuito transistor.

𝛽 = 𝟐𝟏𝟒

Transistor en el punto de corte

5𝑉−0.07𝑉
𝐼𝐵 = = 4.30 x 10−5A
10000
𝐼𝐶 = 210 ∗ 4.30 𝑥 10−5 = 9.03 𝑥 10−3
𝐼𝐸 = (210 + 1)4.30 𝑥 10−5 = 9.073 𝑥 10−3
𝑉𝐶𝐸 = 12𝑉 − (210)(4.30 𝑥 10−5 )220 = 10.0134𝑉
VALOR MEDIDO VCE 9.62V
Fig. 21. Simulación de onda completa

8
 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐵
𝑉𝐶𝐵 = 10.0134 − 5𝑉 = 5.0134𝑉
VALOR MEDIDO VCB= 4.53V

Saturación.

𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 0 ∗ 𝐼 SAT =
𝑅𝐶
214
VCE=
210
= 102𝑚𝐴
𝐷𝐶 = 21.87 𝐼𝐵

Segundo circuito (Amplificador).

𝛽=210 𝛽=214

Tabla. 2. medición de saturación de curvas 2V

Fig. 24. Simulación transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)

Tabla. 3. medición de saturación de curvas 3V
PRÁCTICA AMPLIFICADOR DE SEÑAL

Tablas de medición de transistores BJT

Tabla. 4. medición de saturación de curvas 4V

Tabla. 1. medición de saturación de curvas 1V

9
 Componentes del circuito

Circuito compuetso
V1 DC 12 V
V2 AC 1,5 mV a 1000 Hz
C1 10 µF
C2 4.7µF
Q1 β 174 A/A
R1 100 KΩ
R2 20 kΩ
R3 10 kΩ
R4 2 kΩ
Tabla. 5. medición de saturación de curvas 5V
R5 100 kΩ
Curvas de saturación
Tabla. 6. componentes del circuito.

Cálculos.

Gráfica. 1. curvas de saturación según tablas de medición

PRACTICA AMPLIFICADOR COMÚN CON TRANSISTOR

BIPOLAR

Desarrollo práctica.

Fig.25 Circuito primera simulación en multisim.

Tabla. 7. cálculos del circuito.

10
 Montaje inicial en protoboard.

Fig. 29. Resultados circuito simulación final.

Fig. 26. Montaje inicial en protoboard.

Fig 30. Circuito simulación final amplificación de onda.

ELEMENTOS A USADOS

● Fuente DC
● Osciloscopio
● Multímetro
Fig 27. Amplificación de onda en el osciloscopio. ● Pinza amperimetrica
● Diodos
● Transistores npn-pnp
● Resistencias
● Protoboard
● Generador de señal
● Simuladores
● Transformador
● Bananas caimán

IV. CONCLUSIONES
● En el desarrollo de las prácticas de laboratorio hemos
observado que en la aplicación de rectificador de media
onda nos permite convertir una señal de corriente
alterna (CA) en una señal de corriente continua (CC)
pulsante durante la mitad positiva del ciclo de la señal
de entrada, la corriente fluye a través del diodo y carga
Fig. 28. Circuito simulación final.
el condensador, mientras que durante la mitad negativa,
el diodo se invierte y la corriente no fluye en el análisis
se validó que el valor medio de la tensión de salida de
un rectificador de media onda, lo que implica que la CC
resultante es menor que la CA de entrada.

11
 ● En la aplicación del rectificador de onda completa nos [2] Fluke (2023,octubre,,19)¿Qué es un diodo?/(Fluke) recopilado de
https://www.fluke.com/es-co/informacion/blog/electrica/que-es-un-diodo
permite convertir una señal de corriente alterna (CA) [3] Distron(2023,octubre ,15)Generador de señal: Características y
en una señal de corriente continua (CC) completa y aplicaciones/(Distron). recuperado de https://distron.es/generador-de-senal/
constante, esto se logra aprovechando tanto la parte [4] Imac01(2023,octubre,15)9Ud08_LA.Electronica_Aplicada.indd/(84
positiva como la negativa de la señal de entrada, lo que 48171624.pdf)recuperado de
https://www.mheducation.es/bcv/guide/capitulo/8448171624.pdf
resulta en una salida más constante en comparación con [5] fluke (2023,octubre,20) Funciones básicas de un osciloscopio
un rectificador de media onda en el análisis se validó /(Fluke) recuperado de https://www.fluke.com/es-
que el rectificador de onda completa es más eficiente co/informacion/blog/osciloscopios/funciones-basicas-de-un-osciloscopio
que el rectificador de media onda, ya que aprovecha [6] Isotest (2023,octubre,25) Fuentes de
alimentación/(Isotest)https://isotest.net/comprar/fuentes-de-alimentacion/
ambas mitades del ciclo de la señal de entrada como
[7] Fernando (2023,octubre,28)Microsoft Word - Tema 4
resultado se obtiene una tensión de salida más cercana bjt.doc/(curvas de saturación)
al valor pico de la señal de entrada. [8] FLOYD, THOMAS Dispositivos electrónicos Octava edición
● En la práctica del puente de diodos de onda completa PEARSON EDUCACIÓN, México, 2008
[9]
se observó que el puente de diodos de onda completa
es una configuración efectiva para convertir una señal
de corriente alterna (CA) en una corriente continua
(CC) constante y completa. Aprovecha tanto la parte
positiva como la negativa de la señal de entrada, lo que
resulta en una salida de CC más estable y constante en
comparación con otros rectificadores, en el análisis se
determinó que el puente de diodos tiene una caída de
voltaje menor en comparación con otros rectificadores,
lo que lo hace más eficiente en la conversión de CA a
CC. Esto se debe a que utiliza dos diodos en serie en
cada dirección de la señal, lo que minimiza las pérdidas
de voltaje,
● En la práctica de trabajo con transistor BJT se observó
el funcionamiento del transistor BJT, se estudiaron los
modos de funcionamiento, comúnmente NPN o PNP, y
se comprendió cómo el transistor controla el flujo de
corriente entre su colector y emisor en función de la
corriente que circula por la base y como puede
amplificar una pequeña corriente de base en una
corriente más grande entre el colector y el emisor se
exploraron los modos de operación del transistor BJT,
revisando y graficando su punto de saturación se
observó cómo los cambios en la corriente de base y el
voltaje de colector-emisor afectan el modo de
funcionamiento.
● En la práctica de amplificación se demostró que el
amplificador común es un circuito útil para amplificar
señales de entrada débiles. Se observó cómo un
pequeño cambio en la señal de entrada puede generar
un cambio mucho más grande en la señal de salida, en
el análisis se determinó la ganancia de voltaje del
amplificador común, que es la relación entre la
amplitud de la señal de salida y la amplitud de la señal
de entrada y la importancia de la polarización adecuada
del transistor BJT para mantener el punto de operación
en la región activa utilizando resistencias de
polarización y condensadores de acoplamiento para
garantizar la estabilidad del circuito.

REFERENCIAS

[1] Unit electronics (2023,octubre,,17) 2N3904 Transistor BJT NPN

40V TO-92/(unit electronics) .recuperado de
https://uelectronics.com/producto/2n3904-transistor-bjt-npn-40v-to-92/

12
 2N3904
NPN Silicon Transistor

Descriptions PIN Connection

• General small signal application
• Switching application C

Features B
• Low collector saturation voltage
• Collector output capacitance

E
B
• Complementary pair with 2N3906

C
E

TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code

2N3904 2N3904 TO-92

Absolute maximum ratings Ta=25°C

Characteristic Symbol Ratings Unit
Collector-Base voltage VCBO 60 V
Collector-Emitter voltage VCEO 40 V
Emitter-base voltage VEBO 6 V
Collector current IC 200 mA
Collector dissipation PC 625 mW
Junction temperature Tj 150 °C
Storage temperature range Tstg -55~150 °C

Electrical Characteristics Ta=25°C

Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
Collector-Base breakdown voltage BVCBO IC=10μA, IE=0 60 - - V
Collector-Emitter breakdown voltage BVCEO IC=1mA, IB=0 40 - - V
Emitter-Base breakdown voltage BVEBO IE=10μA, IC=0 6 - - V
Collector cut-off current ICEX VCE=30V, VEB=3V - - 50 nA
DC current gain hFE VCE=1V, IC=10mA 100 - 300 -
Collector-Emitter saturation voltage VCE(sat) IC=50mA, IB=5mA - - 0.3 V
VCE=20V, IC=10mA,
Transition frequency fT 300 - - MHz
f=100MHz
Collector output capacitance Cob VCB=5V, IE=0, f=1MHz - - 4 pF
Delay time td VCC=3Vdc, VBE(off)=0.5Vdc. - - 35 ns
Rise time tr IC=10mAdc, IB1=1mAdc - - 35 ns
Storage time ts VCC=3Vdc,IC=10mAdc, - - 200 ns
Fall Time tf IB1=IB2=1mAdc - - 50 ns

KSD-T0A033-000 1
 2N3904
Electrical Characteristic Curves

Fig. 1 PC-Ta Fig. 2 hFE-IC

Fig. 3 VCE(sat)-IC

KSD-T0A033-000 2
 2N3904
Outline Dimension

KSD-T0A033-000 3
 2N3904

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spaceship, transportation, combustion control, all types of safety device, etc.). AUK
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KSD-T0A033-000 4
 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2N3906 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

GENERAL PURPOSE
APPLIATION

„ FEATURES
* Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V
* Collector Dissipation: Pc(MAX)=625mW
* Complementary to UTC 2N3904 1

TO-92

„ ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
2N3906L-T92-B 2N3906G-T92-B TO-92 E B C Tape Box
2N3906L-T92-K 2N3906G-T92-K TO-92 E B C Bulk
2N3906L-T92-R 2N3906G-T92-R TO-92 E B C Tape Reel
Note: Pin Assignment: E: EMITTER B: BASE C: COLLECTOR

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Copyright © 2012 Unisonic Technologies Co., LTD QW-R201-028, C
2N3906 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

„ ABSOLUTE MAXIMUM RATING ( TA=25°С, unless otherwise specified )

PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT
Collector-Base Voltage VCBO -40 V
Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V
Emitter-Base Voltage VEBO -5 V
Collector Current IC -200 mA
Base Current IB -50 mA
Collector dissipation PC 625 mW
Junction Temperature TJ 125 °С
Operating Temperature TOPR -20 ~ +85 °С
Storage Temperature TSTG -40 ~ +150 °С
Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
„ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°С, unless otherwise specified)
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
Collector Cut-Off Current ICEX VCE=-30V, VEB=-3V -50 nA
Base Cut-Off Current IBL VCE=-30V, VEB=-3V -50 nA
Collector-Base Breakdown Voltage VCBO IC=-10μA, IE=0 -40 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage VCEO IC=-1mA, IB=0 (Note) -40 V
Emitter-Base Breakdown Voltage VEBO IE=-10μA, IC=0 -6 V
hFE1 VCE=-1V, IC=-0.1mA 60
hFE2 VCE=-1V, IC=-1mA 80
DC Current Gain (Note) hFE3 VCE=-1V, IC=-10mA 100 300
hFE4 VCE=-1V, IC=-50mA 60
hFE5 VCE=-1V, IC=-100mA 30
Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT)1 IC=-10mA, IB=-1mA -0.25
V
(Note) VCE(SAT)2 IC=-50mA, IB=-5mA -0.4
VBE(SAT)1 IC=-10mA, IB=-1mA -0.65 -0.85
Base-Emitter Saturation Voltage V
VBE(SAT)2 IC=-50mA, IB=-5mA -0.95
Transition Voltage fT VCE=-20V, IC=-10mA, f=100MHz 250 MHz
Output Capacitance COB VCB=-5V, IE=0, f=1MHz 4.5 pF
Turn On Time tON VCC=-3V, VBE=-0.5V, IC=-10mA, IB1=-1mA 70 ns
Turn Off Time tOFF IB1=1B2=-1mA 300 ns
Note: Pulse test: PW<=300μs, Duty Cycle<=2%

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2 of 3

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2N3906 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

„ TYPICAL CHARACTERISTICS
Voltage, V(V)

Voltage, V(V)

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exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
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malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
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 1N4001 - 1N4007
1.0A RECTIFIER
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Features
• Diffused Junction
• High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
• Surge Overload Rating to 30A Peak
• Low Reverse Leakage Current
• Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)

Mechanical Data
• Case: DO-41
• Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification
DO-41 Plastic
Rating 94V-0 Dim
Min Max
• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
A 25.40 ⎯
• Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per
B 4.06 5.21
MIL-STD-202, Method 208
C 0.71 0.864
• Polarity: Cathode Band
D 2.00 2.72
• Mounting Position: Any
All Dimensions in mm
• Ordering Information: See Page 2
• Marking: Type Number
• Weight: 0.30 grams (approximate)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic Symbol 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM
Working Peak Reverse Voltage VRWM 50 100 200 400 600 800 1000 V
DC Blocking Voltage VR
RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V
Average Rectified Output Current (Note 1) @ TA = 75°C IO 1.0 A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
IFSM 30 A
single half sine-wave superimposed on rated load
Forward Voltage @ IF = 1.0A VFM 1.0 V
Peak Reverse Current @TA = 25°C 5.0
IRM μA
at Rated DC Blocking Voltage @ TA = 100°C 50
Typical Junction Capacitance (Note 2) Cj 15 8 pF
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 100 K/W
Maximum DC Blocking Voltage Temperature TA +150 °C
Operating and Storage Temperature Range TJ, TSTG -65 to +150 °C
Notes: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.

DS28002 Rev. 8 - 2 1 of 3 1N4001-1N4007

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 I(AV), AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT (A)

IF, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)

1.0 10

0.8

1.0
0.6

0.4
0.1

0.2
Tj, = 25oC
Pulse Width = 300 μs
2% Duty Cycle
0 0.01
40 60 80 100 120 140 160 180 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

TA, AMBIENT TEMPERATURE (ºC) VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 1 Forward Current Derating Curve Fig. 2 Typical Forward Characteristics
50 100
Tj = 25ºC
IFSM, PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)

f = 1MHz

40
Cj, CAPACITANCE (pF)

30
1N4001 - 1N4004

10

20
1N4005 - 1N4007

10

0 1.0
1.0 10 100 1.0 10 100

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz VR, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current Fig. 4 Typical Junction Capacitance

Ordering Information (Note 4)

Device Packaging Shipping
1N4001-B DO-41 Plastic 1K/Bulk
1N4001-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch
1N4002-B DO-41 Plastic 1K/Bulk
1N4002-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch
1N4003-B DO-41 Plastic 1K/Bulk
1N4003-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch
1N4004-B DO-41 Plastic 1K/Bulk
1N4004-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch
1N4005-B DO-41 Plastic 1K/Bulk
1N4005-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch
1N4006-B DO-41 Plastic 1K/Bulk
1N4006-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch
1N4007-B DO-41 Plastic 1K/Bulk
1N4007-T DO-41 Plastic 5K/Tape & Reel, 13-inch
Notes: 4. For packaging details, visit our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf.

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LIFE SUPPORT
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