INTRODUCCION

En el presente informe conoceremos un poco más sobre el

semiconductor transistor bipolar de puerta aislada, dándonos a
conocer su símbolo, características de trabajo como conmutador, así
mismo ventajas y desventajas del mismo.
Además de conocer sus diferencias con un MOSFET y un BJT, pues
como se sabe la industria evoluciona el mercado para mejorar la vida
cotidiana, es por esto que se consideró construir un semiconductor que
cumpla con las características de un BJT y MOSFET al mismo tiempo.
CARACTERISTICAS
 Un IGBT tiene alta impedancia de entrada como los MOSFET
 Un IGBT tiene un rendimiento parecido a un BJT
 Los IGBT tiene 2 estructuras:
 DE PERFORACIÓN: el tiempo de conmutación se reduce usando una
capa de acoplamiento n muy dopada
 DE NO PERFORACIÓN
 La especificación de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta:
 1200 v
 400 a
 La frecuencia de conmutación:
 puede ser hasta de 20khz
 Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión

VENTAJAS
 Requiere un Circuito de control muy simple
 Tiene bajas pérdidas de conducción
 La velocidad de conmutación y de conducción de los IGBT es mayor que la
de los BJT

DESVENTAJAS
 La velocidad de conmutación de los IGBT es menor que la de los MOSFET
 Tiene altas pérdidas de conmutación
 APLICACIONES DEL IGBT
(Transistor Bipolar de Puerta Aislada)

El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los
variadores de frecuencia, así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y
convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos
particularmente conscientes de eso.

Aplicaciones:

• Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura,

iluminación de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia. Están presentes en la
circuitería de los automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos, pero también
de los electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que
controlan los motores eléctricos.

• Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrónica

realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta 20KHz. Los IGBTs han
estado todo momento con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de
potencia.

• Algunos fabricantes de tecnología de consumo ya están utilizando para mejorar sus

dispositivos o darles nuevas capacidades. Por ejemplo, estos transistores han permitidos
ser integrados en teléfonos móviles para dotar cámaras de un flash de xenón realmente
potente.

• Otro ejemplo de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los pixeles en
las pantallas táctiles de nueva generación, sistemas de iluminación de edificios o centrales
de conmutación telefónica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que incorporan
IGBTs.
 EJERCICIOS RESUELTOS

Ejemplo 1:

Dato: IGBT Datasheet

Diseñar un circuito de excitación para un IGBT, que mantenga una corriente de puerta de
40A cuando este activado y tenga un pico de 100A en el paso a conducción. La tensión
Vi soporta una tensión de 100V con un ciclo de trabajo del 50% y una frecuencia de
conmutación 1000kHz. Suponemos que V_GE es de 20V cuando el transistor esta en
conducción.

Solución:

El valor de R1 viene determinado por la necesidad del pico inicial de corriente.

Despejando R1 en la siguiente fórmula:

𝑉𝑖 − 𝑉𝐺𝐸
𝑅1 =
𝐼𝐺1

100 − 20
𝑅1 =
100

𝑅1 = 9.8 Ω

La corriente de puerta en conducción en régimen permanente determina el valor de R2:

𝑉𝑖 − 𝑉𝐺𝐸
𝑅2 = − 𝑅1 = 14.7Ω
𝐼𝐺2

El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo necesaria. Para un ciclo de

trabajo del 50% a 1000 kHz, el transistor conduce durante 0,5μs. Haciendo que el tiempo
de conducción del transistor sea cinco veces la constante de tiempo, t=0,1μs:

𝑅1 × 𝑅2
𝑇 = 𝑅𝐸 × 𝐶 = × 𝐶 = (5.88)𝐶 = 0.1𝜇𝐹
𝑅1 + 𝑅2

Ejemplo 2:
El proceso de manufacturación de los IGBTs produce dos tipos diferentes que son los
siguientes:

Considerando un ciclo de trabajo del 50% para un sistema de CC, ¿a qué frecuencia darán
la misma pérdida de potencia los dos IGBTs? Compara las pérdidas de potencia de los
dos IGBTs a 5kHz y 10kHz.

Solución:

Ignorando las pérdidas de encendido, y estados de conducción y no conducción, podemos

afirmar:

Potencia perdida

𝑃1 = 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 (𝑉𝑓 ). 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎(𝐼𝑓 ). 𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜

+ 𝑓𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎. 𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔í𝑎 𝑝𝑒𝑟𝑑𝑖𝑑𝑎 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜

IGBT lento:

𝑓 × 1000 × 10
𝑃1 = 1.2 × 80 × 0.5 + = 48 + 10 × 𝑓
1000

IGBT rápido:

𝑓 × 1000 × 5
𝑃1 = 2.1 × 80 × 0.5 + = 84 + 5 × 𝑓
1000

La potencia perdida en el IGBT lento y en el rápido será igual a la frecuencia f(kHz)

obtenida en la siguiente igualdad:

48 + 10 × 𝑓 = 84 + 5 × 𝑓

Cuando f=7.2 kHz las pérdidas obtenidas son las mismas en los dos tipos. Procedemos a
comparar las pérdidas obtenidas frente a distintas frecuencias:
 Cuando la frecuencia son 5 kHz:

IGBT lento:

𝑓 × 1000 × 10
𝑃1 = 1.2 × 80 × 0.5 + = 98 𝑊
1000

IGBT rápido:

𝑓 × 1000 × 5
𝑃1 = 2.1 × 80 × 0.5 + = 109 𝑊
1000

 Cuando la frecuencia son 10 kHz:

IGBT lento:

𝑓 × 1000 × 10
𝑃1 = 1.2 × 80 × 0.5 + = 148 𝑊
1000

IGBT rápido:

𝑓 × 1000 × 5
𝑃1 = 2.1 × 80 × 0.5 + = 134 𝑊
1000

Así concluimos que a 5 kHz el IGBT lento es superior, dando unas pérdidas más pequeñas
(98 W), mientras que el IGBT rápido da unas pérdidas mayores (109W). Según vamos
aumentando la frecuencia, vemos que el IGBT lento comienza a darnos unas pérdidas
mayores (148 W) frente a las pérdidas del IGBT rápido (134 W). En conclusión, vemos
que, para frecuencias de conmutación bajas, los IGBTs lentos son más eficaces, puesto
que nos dan unas pérdidas menores, mientras que para frecuencias altas será más eficaz
el IGBT rápido.
 RECOMENDACIONES

 El IGBT tiene menor caída de tensión, pero el problema es que posee un coeficiente
de temperatura negativo. Se sabe que, a mayor temperatura, menor caída de tensión
por lo que conduce más corriente y se calienta más. Esto es un problema para
paralelizar IGBTs, por lo que se debe tener en cuenta al momento de usarlos.

 Se debe usar en condiciones de:

·Bajo ciclo de trabajo
·Aplicaciones de alta tensión (>1000V)
·Alta potencia (>5kW)
 BIBLIOGRAFÍA

 MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE

 ccpot.galeon.com
 https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par%C3
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 https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Problema
s_de_dise%C3%B1o