TRANSISTORES BJT,

DARLINGTON, MOSFET,
IGBT
Ponce Wong Luis Andrei
Transistores BJT:

 Dispositivo electrónico de estado sólido que permite controlar el paso de la

corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
 Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
- Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
- Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
- Colector, de extensión mucho mayor.
Transistores MOSFET:

 Son un dispositivo unipolar, ya que la corriente

existe tanto en forma de electrones como de
huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe
a electrones, mientras que en un FET de canal p, se
debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan
por una tensión entre la compuerta y la fuente.
Diferencias entre FET y BJT

 La independencia de entrada de los FET es

considerablemente mayor que la de los BJT.
 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
 Los FET son más estables con la temperatura que los
BJT.
 Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que
los BJT, pues suelen requerir menos pasos de
enmascaramiento y difusiones.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite
almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su
utilización como elementos de almacenamiento, a
contrario de los BJT.
Transistores Darlington:
 Dispositivo semiconductor que combina dos
transistores bipolares en un tándem (a veces llamado
par Darlington) en un único dispositivo, tiene una alta
ganancia de corriente.
 Este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que
la de un transistor corriente, pues aprovecha la
ganancia de los dos transistores. (las ganancias se
multiplican).
Transistores IGBT:
 El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del
inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un
dispositivo semiconductor que posee las
características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta
corriente y voltaje de baja saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son
como las del BJT.
 Aplicaciones:

 Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se

usan generalmente en electrónica analógica aunque también en
algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL
o BICMOS.
 El transistor MOSFET es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial están basados en él.
 Los transistores Darlington se utilizan ampliamente en circuitos en
donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy
pequeñas.
 El transistor IGBT generalmente se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia, también han
permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los
Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas
eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada
día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes
de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor,
electrodoméstico, televisión, domótica, Sistemas de Alimentación
 Valores comparativos:

Corrientes (A) Voltajes (v) Frecuencias

BJT 15A Hasta 1200v 25Khz
Darlington 5A Hasta 1200v 50Khz
MOSFET 5A Hasta 1000v 300Khz - 400Khz
IGBT 60A Hasta 2000v 75Khz