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República bolivariana de Venezuela

Instituto universitario politécnico


“Santiago Mariño”
Barcelona
Escuela: ing. sistema

Profesor: Bachiller:

Velásquez Elías Oriannys Rodríguez 27.838.703

Barcelona 02/11/2020
Introducción:

El transistor, inventado en 1948, ha reemplazado casi completamente al tubo de vacío


en la mayoría de sus aplicaciones. Al incorporar un conjunto de materiales semiconductores
y contactos eléctricos, el transistor permite las mismas funciones que el tubo de vacío, pero
con un coste, peso y potencia más bajos, y una mayor fiabilidad. El desarrollo de los circuitos
integrados ha revolucionado los campos de las comunicaciones, el control de procesos, la
gestión de la información y la informática. Los circuitos integrados han permitido reducir el
tamaño de los dispositivos con el consiguiente descenso de los costes de fabricación y de
mantenimiento de los sistemas. Al mismo tiempo, ofrecen mayor velocidad y fiabilidad. Los
relojes digitales, las computadoras portátiles y los juegos electrónicos son sistemas basados
en microprocesadores.

A continuación, en el siguiente trabajo se estará desarrollando todos los conceptos básicos


de transistores, diodo zener y familias lógicas.
1. Diodo zener
(El diodo Zener tiene un voltaje de ruptura inversa bien definido, en el cual comienza
a conducir corriente y continúa operando continuamente en el modo de polarización inversa
sin dañarse.

1.1 simbología

1.2 Estructura interna:


Un diodo es un componente electrónico (semiconductor) que permite el paso de la
corriente "solo en un sentido".
1.3 Características de un diodo:

El diodo Zener es un dispositivo de unión PN de silicio que difiere del diodo


Rectificador en que está diseñado para operar en la región de ruptura inversa.

Sus dos características más importantes son su Tensión Zener y la máxima Potencia
que pueden disipar = Pz (potencia zener).

1.4 Tipo de material:

El diodo zener es de un material de silicio fuertemente dopado que se ha construido


para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor Clarence
Melvin Zener.

1.5 Aplicación en fuentes de alimentación en DC:

En un circuito de DC (corriente continua o directa), el diodo Zener se puede utilizar


como regulador de tensión o como referencia de tensión.

La función principal del Zener radica en el hecho de que la tensión a través de un


diodo Zener permanece constante, aunque haya un cambio importante de corriente. Esto
permite utilizar un diodo Zener como dispositivo de tensión constante. Un circuito simple,
donde se quiera hacer uso de un Zener como regulador, requiere de una resistencia de bajo
valor conectada en serie con la fuente de tensión de entrada.

El valor bajo es necesario para permitir el máximo flujo de corriente a través del diodo
(se conecta en paralelo).
2. Transistores BJT

El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) es el más común de los


transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos casos el
dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base
(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.

2.1 Transistores tipo PNP:

El PNP es otro tipo de transistores de unión bipolar (BJT). Los transistores PNP
contienen dos materiales semiconductores de tipo p y están separados por una capa delgada
de semiconductor de tipo n. La mayoría de los portadores de carga en los transistores PNP
son agujeros y los electrones son portadores de carga minoritaria. La flecha en el terminal
emisor del transistor indica el flujo de corriente convencional. En el transistor PNP, la
corriente fluye de Emisor a Colector.
2.2 FET (transistor de efecto de campo)

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo
P. El transistor de efecto de campo (FET) es otro tipo de transistores. Básicamente, los
transistores FET tienen tres terminales: puerta (G), drenaje (D) y fuente (S). Los transistores
FET se clasifican en transistores de efecto de campo de unión (JFET) y transistores de FET
de puerta aislada (IG-FET) o MOSFET.

Los transistores FET tienen control sobre el tamaño y la forma de un canal entre la
fuente y el drenaje creado por la tensión aplicada. Los transistores FET son transistores
unipolares porque realizan operaciones de un solo canal donde los transistores BJT son
transistores de unión bipolar. Los transistores FET tienen una ganancia de corriente alta que
los transistores BJT.
2.3 JFET (transistor de efecto de campo de unión)

El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es el tipo más antiguo y simple de


transistores FET. Estos JFET se usan como interruptores, amplificadores y resistencias. Este
transistor es un dispositivo controlado por voltaje. No necesita ninguna corriente de
polarización. El voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla el flujo de corriente
eléctrica entre la fuente y el drenaje de un transistor. Los transistores JFET están disponibles
en ambos tipos, N-channel y P-channel.

2.3.1 N-Channel JFET:


En JFET de canal N, el flujo de corriente se debe a los electrones. Cuando se aplica voltaje
entre la puerta y la fuente, se forma un canal entre la fuente y el drenaje para el flujo de
corriente. Este canal se llama canal N Actualmente, el transistor JFET de canal N es el tipo
más preferible que el JFET de canal P.

2.3.2 JFET de canal P:

En este transistor JFET, el flujo de corriente se debe a los agujeros. El canal entre la
fuente y el drenaje se llama canal P.
2.4 MOSFET

El transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET) es


el tipo más útil de todos los transistores. El nombre en sí mismo indica que contiene un
terminal de puerta de metal.

El MOSFET tiene cuatro terminales de drenaje, fuente, puerta y cuerpo o sustrato (B).
MOSFET tiene muchas ventajas sobre BJT y JFET, principalmente ofrece alta impedancia
de entrada y baja impedancia de salida. Se utiliza en circuitos de baja potencia principalmente
en tecnologías de diseño de chips.

Los transistores MOSFET están disponibles en tipos de reducción y mejora. Además,


los tipos de agotamiento y mejora se clasifican en tipos de N-channel y P-channel.

2.4.1 N-MOSFET de canal:

El MOSFET que tiene una región de canal N entre la fuente y el drenaje se denomina
MOSFET de canal N. El voltaje de compuerta controla el flujo de corriente en el circuito. El
MOSFET de canal N es más preferible que el MOSFET de canal P porque la movilidad de
los electrones es mayor que la movilidad de los agujeros.

2.4.2 P-Channel MOSFET:

El MOSFET que tiene P-ch La región de Channel entre la fuente y el drenaje se denomina
MOSFET de canal P. Aquí los terminales de fuente y drenaje están fuertemente dopados con
material de tipo P y el sustrato está dopado con material de tipo N. El flujo de corriente entre
la fuente y el drenaje se debe a la concentración de agujeros.
3. Familias lógicas digitales
una familia lógica de dispositivos circuitos integrados digitales monolíticos, es un
grupo de puertas lógicas (o compuertas) construidas usando uno de varios diseños diferentes,
usualmente con niveles lógicos compatibles y características de fuente de poder dentro de
una familia.

3.1 Clasificación de las familias

Los circuitos integrados se clasifican en dos categorías generales:


• Lineales
Operan con señales continuas para producir funciones electrónicas
(eje. Amplificadores, moduladores)
• Digitales
Operan con señales binarias y se hacen compuertas digitales
Interconectadas.
3.2 Características de las familias lógicas

3.2.1 Familia TTL:

La familia de circuitos integrados TTL consiste de varias subfamilias o series.

• Serie TTL Prefijo Negador con 6 compuertas

• Standard TTL 74 7404

• Schottky TTL 74S 74S04

• Low-Power Schottky TTL 74LS 74LS04

• Advanced Schottky TTL 74AS 74AS04

• Advanced Low-Power Schottky TTL 74ALS 74ALS04

Características

 Su tensión de alimentación característica se halla comprendida entre los


4,75V y los 5,25V. Normalmente TTL trabaja con 5V.
 Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida
entre 0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,2V y Vcc para el estado H
(alto).
 La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base, si
bien esta característica le hace aumentar su consumo siendo su mayor
enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL
como FAST, LS, S, etc. y últimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS.
 Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten a
través de circuitos adicionales de transmisión
3.2.2 Familia RTL (Resistor-transistor logic)

• El bloque NOR es la base de la familia RTL.


• Los circuitos integrados RTL siempre se destacaron por ser una
familia de componentes muy resistentes a cualquier tipo de falla.
• Las puertas NOR- RTL permiten cableado lógico, uniendo entre sí
las salidas de dos o más puertas.
• Se asume que este tipo de compuertas se interconectan entre
ellas, siendo natural que una salida de una compuerta RTL se
conecte a una entrada de una compuerta RTL.

3.2.3 Familia DTL (Diode-transistor logic)


DTL es una categoría de circuitos digitales inmediatamente anterior a la TT L(lógica
transistor-transistor).
• Disipación de potencia 12mW
• Tiempo de retardo 30 ns a 80 ns
• Margen de ruido cercano a 1v
• Fan out 12mA

3.2.4 Diode-transistor logic (DTL)

Cuando cualquiera de sus entradas está en nivel bajo el transistor de salida pasa al corte y la
tensión de su colector pasa a nivel alto. Sólo cuando todas las entradas están a nivel alto,
conducirá el transistor y la tensión de su colector será baja. Esta puerta realiza la función
NAND en lógica positiva, y la NOR en lógica negativa.
3.2.5 Emitter-coupled logic (ECL)

La familia ECL, Lógica Acoplada en Emisor (emmiter-coupled logic) son unos


circuitos integrados digitales los cuales usan transistores bipolares, pero a diferencia de los
TTL en los ECL se evita la saturación de los transistores, esto da lugar a un incremento en la
velocidad total de conmutación.

• Son los circuitos más veloces y pueden alcanzar tiempos de demora


de hasta 1ns.
• No existen picos de corrientes en los transistores.
• Se dispone de salidas complementadas, lo que le brinda mayor
versatilidad.
• Buen factor de carga N= 15

2.3.6 Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)

Es un dispositivo electrónico formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual


se hace crecer una capa de óxido (SiO2 ). Los elementos se contactan con dos terminales
metálicas llamadas sustrato y compuerta. La estructura se compara con un condensador de
placas paralelas, en donde se reemplaza una de las placas por el silicio semiconductor del
sustrato, y la otra por un metal, aunque en la práctica se usa poli silicio, es decir, un poli
cristal de silicio.

• La estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de estado sólido


pues forma los transistores MOSFET, base de la electrónica digital actual. Pero, además, es
el pilar fundamental de los dispositivos de carga acoplada, CCD, tan comunes en fotografía.
Así mismo, funcionando como condensador es responsable de almacenar la carga
correspondiente a los bits de las memorias dinámicas.

• También se utilizan como condensadores de precisión en electrónica analógica y


microondas.
2.3.7 Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)

Su principal característica consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo


pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de
energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base.

• El bajo consumo de potencia estática, gracias a la alta impedancia de entrada de los


transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS sólo
experimentará corrientes parásitas. Gracias a su carácter regenerativo, los circuitos CMOS
son robustos frente a ruido o degradación de señal debido a la impedancia del metal de
interconexión.

• Los circuitos CMOS son sencillos de diseñar.

• La tecnología de fabricación está muy desarrollada, y es posible conseguir


densidades de integración muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologías.

2.3.8 Bipolar-Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor (BiCMOS)

BiCMOS es el nombre de una tecnología de fabricación de circuitos integrados que combina


las ventajas de las tecnologías bipolar y CMOS integrándolas juntas en un mismo wafer. Se
usa en analógica para la fabricación de amplificadores y en digital para algunos componentes
discretos.
Cuadro comparativo de familias lógicas
FAMILIAS DEFINICION BREVE COMPARACION
Es una de las familias lógicas • Es una familia –“saturante”
TTL de uso mas caracterizada fundamentalmente por Su
Lógica transistor extendido, en particular para rapidez.
aplicaciones • La mayor parte de los transistores que
que requieran pequeña y la forman trabajan en corte-
mediana escala saturación.
integración (SSI y MS). • Estos transistores conducen tan pronto
como la corriente de base,
suficiente para hacer que la intensidad
colectora sea la de saturada.
• Normalmente, un transistor con
ganancia en corriente elevada requiere
una considerable corriente de base lo
que favorece la entrada en
saturación del transistor
• Cuando el transistor pase al corte, el
exceso de carga acumulada
en la base tarda en desalojarse, lo que
contribuye a que los
tiempos conmutación del transistor sean
mayores.
• Utilizan transistor de entrada
multiemisor que favorece el paso del
estado de saturación
de al de corte, retirando la carga la
carga almacenada en la base del
transistor durante la saturación.

ECL Las familias ECL son las más • La familia ECL tiene unas ideales; en
Lógica De rápidas que características en
Emisores existen, llegando sus retardos cuanto a la disipación de potencia.
acoplados a sobrepasar • Es la familia más también es la familia
en muchas ocasiones un más rápida también es la familia que más
nanosegundo por puerta y la potencia disipa.
frecuencia de reloj suele ser Su tensión de alimentación es negativa,
de 50 MHz, pudiendo llegar a no es una familia tan apetecible
las cercanías del GHz. Esto como en un principio parecía, no sólo
las hace recomendables en consume mucho, sino que los niveles
contadores,comunicaciones lógicos que proporciona no son lo que los
digitales de alta velocidad, problemas en la interconexión con otras
sistemas de cálculo alta familias lógicas. Son muchos.
velocidad, entre otros.

CMOS Es una tecnología para la • Esta familia tiene velocidades más


construcción de cercanas a las de la familia TTL. Como
Complementaria circuitos integrados. Se utiliza ventajas sobre las familias TTL. hay que
de semiconductor en los microprocesadores, destacar su consumo puede
de óxido de metal microcontroladores, RAM ser por miles, incluso millones de veces
estática y otros circuitos inferior, siempre y cuando
lógicos digitales. frecuencias de trabajo sean muy
elevadas.
• En esta familia se disminuye el volumen
de los circuitos, aparte de que
Tiene una gran inmunidad al ruido y
funciona con una amplia gama de
valores de tensiones alimentación.
• Hay que destacar el gran daño que
pueden producir las descargas
electrostáticas en los circuitos CMOS.
• Amplios márgenes de ruido.
• Atto fan-0ut y fan-in,
• Amplios márgenes en la alimentación.

MOS presentó inicialmente grandes • La utilización de transistores MOS


Lógica de dificultades, como resistencias de polarización»
semiconductor de de ser un efecto superficial permite configurar puertas lógicas
oxide de metal que es afectado por cualquier utilizando únicamente transistores y
impureza o reduce considerablemente el área
dislocación en la superficie de integración, al prescindir de
del cristal de resistencias integradas de valores
silicio; fue preciso desarrollar relativamente altos
técnicas de
muy ata limpieza ambiental -suponen un nuevo avance cualitativo
que no estuvieron disponible en la miniaturización de la
hasta mediados de los años electrónica digital, reducción que afecta
70. Sin embargo, una vez que no solamente al tamaño y a la
se dispuso de tales técnicas, de densidad de integración, sino
las extraordinarias tarnbién, y en forma más significativa al
ventajas de los transistores consumo.
MOS (referidas a
autoaislamiento, tamaño y
consumo) determinaron un
rápido desarrollo y difusión de
los circuitos integrados
digitales MOS.

DTL Es una clase de circuitos -La función de la puerta lógica la realiza


Lógica diodo- digitales que es el antepasado una red de los diodos mientras que la
transistor directo de la TTL se llama así función de amplificación es realizada por
porque la función de puerta
lógica se lleva a cabo por una un transistor (esto contrasta con la lógica
red de diodos y la función de RTL y la TTL).
amplificación se lleva a cabo
por un transistor -Ideada en 1962, ya en desuso. Se trata
de un circuito AND de diodos y
resistencias con un conversor a la salida
.
-En cuanto a velocidad y a consumo es
mejor que la RTL, esto es posible
combinando una compuerta “y” de
diodos con una transistor inverso en
emisor común.
RTL Este es un tipo de lógica que -Fue la primera familia lógica en
Lógica resistencia. ya en la práctica no se utiliza, aparecer antes de la tecnología de
transistor sin embargo es muy simple y integración.
además es históricamente la
primera que fue utilizada -Pertenece a la categoría de familias
extensamente. lógicas bipolares, o que implican la
existencia de dos tipos de portadores:
electrones y huecos.

-Este tipo de red, presenta el fenómeno


denominado acaparamiento de corriente
que se produce cuando varios
transistores se acoplan directamente y
sus características de entrada difieren
ligeramente entre si

-Es posible mejorar el tiempo de


propagación añadiendo un condensador
en paralelo con cada una las resistencias
Rc.

-Por otra parte, tiene una inmunidad al


ruido relativamente pobre.
Conclusión:

En la actualidad la utilización de dispositivos electrónicos es más frecuente al pasar


de los tiempos, sin embargo, muchas personas de las cuales hacen uso de ellas no saben cómo
es que realmente funcionan los dispositivos eléctricos. Resistor es el componente electrónico
diseñado para introducir una resistencia eléctrica determinada entre dos puntos de un circuito.
En el propio argot eléctrico y electrónico, son conocidos simplemente como resistencias. En
otros casos, como en las planchas, calentadores.

Los diodos también sirven como circuitos limitadores que son parte fundamental de
osciladores sostenidos; los diodos Zener actúan como reguladores en los circuitos
rectificadores, que a su vez tienen diodos en una configuración llamada puente de diodos que
le saca el valor absoluto.
Bibliografía

Areatecnologia (2016) Diodo zener:


https://www.areatecnologia.com/electronica/diodo-zener.html
Robert Córdova (2017) Características diodo zener
https://www.monografias.com/trabajos96/diodo-zener-resumen/diodo-zener-
resumen.shtml
Wikipedia (2020) Transistores bipolar:
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
Wikipedia (2020) Familias lógicas:
https://es.wikipedia.org/wiki/Familia_l%C3%B3gica#:~:text=En%20ingenier
%C3%ADa%20electr%C3%B3nica%2C%20se%20puede,niveles%20l%C3%
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