RESUMEN

En la siguiente practica se comprobó experimentalmente las polaridades de los transistores como lo

son: polarización fija, polarización estabilizada en emisor y polarización por división de tensión. Se
analizó teóricamente, prácticamente y mediante simulaciones cada circuito, comparando los valores
de voltaje y corriente entregados por el multímetro y por Orcad.

PALABRAS CLAVES: Transistores, polarización, punto de trabajo, colector, emisor y base.

INTRODUCCIÓN

Las redes de polarización son circuitos encargados de aplicar energía al transistor para establecer
ciertos niveles fijos de voltajes y corrientes en aras de determinar un punto de trabajo. Con dicha
polarización se pretende garantizar un adecuado comportamiento a la hora de usar este dispositivo
como amplificador de señales, para lo cual es un referente, las zonas de operación que señala la figura
1. El objetivo es, sin exceder la potencia máxima que puede manejar el transistor, diseñar algunas
redes de polarización que permitirán establecer el funcionamiento del dispositivo en cualquier punto
dentro de la región lineal.

Figura 1. Regiones usuales de operación del BJT.

4.Descripcion de la Practica y Requerimientos de Diseño:

Elija dos Transistores, tanto NPN, como PNP a utilizar y márquelos para que sea el mismo durante
toda la prueba. Utilice por lo menos tres multímetros diferentes y mida el beta de los transistores
escogidos. Repita las mediciones para otros dos transistores de la misma referencia y reporte las
mediciones en la siguiente tabla:

REF TRANSISTOR:
2N3904
BETA HOJA TECNICA:
MULTÍMETRO 30 - 300
Β1 Β2 Β3
Marca: TM 246 225 197
Ref:109
Marca: GOLD 229 183 198
STAR
Ref:DM-332
 Marca: 252 288 185
ZUINSAI
Ref:DT850L
Tabla 1. Valores de β obtenidos con multímetro para un 2N3904

REF TRANSISTOR:2N3906

BETA HOJA TECNICA:

MULTÍMETRO 30 - 300
Β1 Β2 Β3
Marca: TM 143 208 202
Ref:109
Marca: GOLD 239 238 237
STAR
Ref:DM-332
Marca: ZUINSAI 254 261 284
Ref:DT850L

Tabla 2. Valores de β obtenidos con multímetro para un 2N3906.

REF TRANSISTOR: TIP 31c

BETA HOJA TÉCNICA: 10 - 50

MULTÍMETRO
Β1 Β2 Β3
Marca: TM 145 93 47
Ref:109
Marca: GOLD 141 86 26
STAR
Ref:DM-332
Marca: 32 48 11
ZUINSAI
Ref:DT850L
Tabla 3. Valores de β obtenidos con multímetro para un TIP 31.

REF TRANSISTOR:
TIP 32c
 BETA HOJA TÉCNICA:
MULTÍMETRO 10 – 50
Β1 Β2 Β3
Marca: TM 135 147 239
Ref:109
Marca: GOLD 85 83 190
STAR
Ref:DM-332
Marca: 141 195 199
ZUINSAI
Ref:DT850L

Tabla 4. Valores de β obtenidos con multímetro para

un TIP 32.

I. ¿Qué puede observar de los datos obtenidos?

Se observa que las ganancias obtenidas son casi iguales para algunos transistores. En algunos
casos, la ganancia sobrepasaba el valor del datasheet. Esto posiblemente a desperfectos en los
multímetros y a los valores de la corriente colector y corriente base de cada transistor.

II. ¿El beta es el mismo para los diferentes transistores? Justifique.

En ninguno de los transistores fue exactamente el mismo, pero la mayor parte de los valores
diferían en una pequeña cantidad. Esto debido a la utilización de diferentes multimetros y de
transistores.

4.1 Polarización Fija

Diseñe el circuito de tal forma que el punto de Operación en DC, sea de 0.5. Simule el circuito de la
figura y verifique los valores de voltaje y de corriente estimados. Luego realice la implementación
física del circuito y mida las variables. Posteriormente acérquele un cautín caliente y concluya acerca
de las mediciones obtenidas con el multímetro con y sin cautín.
Grafica 1. Análisis polarización fija.
 Grafica 2. Simulación polarización fija

SIMULACIÓN PRACTICA PRACTICA

CON CAUTÍN
VCC(v) 6 6 6
VCE(v) 7.61 5.97 6,28
VBE(mv) 716.966 829.27 829.27
VBC(v) -6.95 -4,24 -4,29
IC(mA) 7.21 9.8 9.8
IB(uA) 41.66 43.6 44.7

Tabla 1. Valores medidos para el circuito de la gráfica 2.

4.2 Polarización Fija con resistencia en el Emisor

Diseñe el circuito de tal forma que el punto de operación en DC, sea de 0,85. Repita los pasos
anteriores de la polarización fija.
Grafica 2. Análisis polarización fija con resistencia en el emisor.
 Grafica 3. Simulación polarización fija con resistencia en el emisor.

Grafica 4. Simulación de corrientes de polarización fija con resistencia en el emisor.

 Grafica 5. Simulación de voltaje de polarización fija con resistencia en el emisor.

SIMULACIÓN PRACTICA PRACTICA

CON CAUTÍN
VCC(v) -12 -12 -11.90
VCE(v) -10 -10.5 -9.85
VBE(mv) -758.702 -729.27 -729.27
VBC(v) 9.4959 9.54 9.51
IC(mA) -10.20 -11.5 -13.4
IB(uA) 41.11 43.6 44.7

Tabla 1. Valores medidos para el circuito de la gráfica 2.

5.PREGUNTAS DE INVESTIGACIÓN:
1. ¿La resistencia en un dispositivo semiconductor aumenta o disminuye con el
aumento de la temperatura? Explique a que se debe y de un ejemplo.

La resistividad de un material metálico crece al aumentar la temperatura, esto se

debe a que los iones del conductor vibran con mayor amplitud, lo cual hace más
probable que un electrón en movimiento choque con un ión, esto impide el arrastre
de los electrones por el conductor y, por tanto, también la corriente. La resistividad
de las aleaciones es prácticamente independiente de la temperatura. La resistividad
de los no metales disminuye al aumentar la temperatura puesto que, a temperaturas
mayores, más electrones son “arrancados “de los átomos y adquieren movilidad.
Este mismo comportamiento se presenta en los semiconductores. La resistividad es
directamente proporcional a la resistencia del material, la relación entre ambos esta
dad por: R = ρ L / A

2. Tipos de encapsulados para transistores en BJT’S y sus principales características

 Cápsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar
un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en él.
 Cápsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de
tensión en fuentes de alimentación y para tiristores y triacs de baja potencia.
Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si
la potencia que van a disipar es reducida.
  Cápsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta
generalmente necesario colocarles radiador.
 Cápsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequeña señal.
 Cápsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequeña señal. Su cuerpo está formado
por una carcasa metálica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.

3. Tipos de polarizaciones más usados en amplificadores.

 Colector común

No es necesaria RC para la polarización del transistor ni para el buen funcionamiento

del amplificador.

Punto de máxima excursión simétrica

Base común

C3 desacopla R1 y R2 en pequeña señal, del mismo modo que lo hace CE con RE en el

amplificador en emisor común.

Punto de máxima excursión simétrica:

CONCLUSIONES

 Para asegurar una operación en el modo Activo, el voltaje del colector de un transistor
NPN debe mantenerse más alto que el voltaje de base; mientras que, para un transistor
PNP, el voltaje del colector debe ser menor que el de la base.
 Se observó que, en un transistor con polarización fija, con polarización estabilizada en
emisor y con polarización por divisor de tensión el punto Q es inversamente proporcional
a la corriente de colector.
 Para asegurar una operación en el modo Activo, el voltaje del colector de un transistor
NPN debe mantenerse más alto que el voltaje de base; mientras que, para un transistor
PNP, el voltaje del colector debe ser menor que el de la base.