DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA

Objetivos
1. Observar el comportamiento de dispositivos semiconductores de
potencia trabajando como interruptores.
2. Realizar modelos matemáticos de su comportamiento en base a
mediciones realizada en el laboratorio.
3. Medir y calcular potencias consumidas en los semiconductores
cuando se comportan como interruptores.

Introducción Teórica

Los circuitos electrónicos de potencia convierten la energía eléctrica

de un tipo en otro utilizando dispositivos electrónicos. Estos circuitos
funcionan utilizando dispositivos semiconductores como
interruptores, para controlar la tensión o la corriente.
Por tanto, los dispositivos semiconductores se modelan
como interruptores ideales:
Dos estados:
Conducción: Los interruptores se modelan
como cortocircuitos. Corte: Los interruptores
se modelan como circuitos abiertos.

Las transiciones entre estos dos estados

son instantáneas. Pérdidas de
conmutación nulas.

Diodos de
potencia
El diodo es el interruptor electrónico más simple. No se puede
controlar, son las tensiones e intensidades del circuito los que
determinan los estados de conducción y corte.

Características
dinámicas del diodo
Una característica dinámica importante de un diodo no ideal es la
corriente de recuperación inversa. Cuando un diodo pasa de conducción
a corte, la corriente en él disminuye y momentáneamente se hace
negativa.

trr = Tiempo de recuperación inversa

Formas de onda de conmutación de

un diodo real:

 Tensión directa VON: Caída de la tensión del diodo en régimen

permanente.
 Tensión de recuperación directa VFP: Máxima tensión durante la
conmutación a ON.
 Tiempo de subida tr≈ t1: Tiempo necesario para que la corriente pase
del 10% al 90% de su valor nominal directo (depende del circuito
externo V=LdI/dt dI/dt=V/L).
 Tiempo de recuperación inversa trr: Tiempo durante el proceso de corte
en el cual la intensidad alcanza su valor máximo (negativo) y retorna al
25% de dicho valor. Es el mayor de los tiempos de conmutación y
responsable de las perdidas.
 Carga almacenada durante trr (Qrr):
 Vrr: Tensión inversa máxima depende de la L en serie con el diodo
V=LdIr/dt
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORS (IGBT)

El IGBT es una conexión integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito

de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT.

Como los MOSFET el IGBT tiene una alta impedancia de entrada en la

puerta (gate) y necesita muy poca energía para conmutarlo. Como los
BJT tiene una caída de voltaje muy pequeña en conducción (alta
capacidad de manejar corriente).
Los IGBTs tienen tiempos de turn-on y turn-off del orden de 1_s y están
disponibles para 1700V y
1200A.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 Khz
y han sustituido al BJT en muchas aplicaciones.

Perdidas de potencia de los conmutadores controlados

Cuando el interruptor está en ON toda la intensidad IO pasa a través del

interruptor y el diodo se encuentra en corte. Cuando el interruptor está en
OFF toda la intensidad IO pasa a través del diodo que se encuentra en
conducción.
Las formas de onda de conmutación representadas son las
aproximaciones lineales. Como se puede ver en la gráfica la energía
disipada en la transición OFF-ON es:

La energía disipada cuando el interruptor está en ON es:

La energía disipada en la transición ON-OFF es:

La potencia media disipada en las transiciones:

La potencia media disipada en ON:

Prepara
ción

Para el desarrollo de esta experiencia el alumno debe tener claro los

conceptos dados en la clase teórica, revisar sus apuntes y afianzar sus
conocimientos con el texto base y la bibliografía del curso

Equipos y
Materiales

01
Osciloscopio
01 Generador de
señales
01 Fuente de
voltaje DC
01 Multímetro
Digital
01 PC con software de
simulación
Procedimiento
Problema: Se requiere determinar la potencia que desarrolla un diodo
durante un ciclo de la tensión de la fuente de alimentación.
PARTE
1:
I. Realice la implementación del siguiente circuito mostrado y tome las
mediciones siguientes: Onda cuadrada de +10/-10V frecuencia 120Hz (Si
no se observa el tiempo de recuperación aumente la frecuencia hasta
poder observarlo – R2 >600 Ohms)

Usando un solo canal del osciloscopio lo colocamos entre los terminales de

R2 en la que observaremos una señal de voltaje que posee la misma
forma que la señal de corriente y cuyo valores los leeremos en forma
indirecta ( I=V/R). En la gráfica vista en el osciloscopio identifique los
parámetros y mídalos.

:……………………....
:………………………

:………………………

:……………………….

:……………………….

:……………………….

:………………………..

Ahora colocamos el Terminal del osciloscopio en los

terminales del diodo y medimos:

:…………………….

:…………………….

:……………………

:…………………….
Conteste las siguientes preguntas:
1. Use los valores medidos y represente en una gráfica el
comportamiento tanto de la corriente como del voltaje en él diodo.
2. Explique usted la importancia de Qrr en el funcionamiento del diodo y
que sucedería si el diodo es usado con un carga inductiva.
3. Realice el cálculo de la potencia disipada por el diodo en un ciclo de
la señal, y muéstrelo en un gráfico.
 Reporte
1. Reporte de
laboratorio
Usando el modelo de reporte de laboratorio, conteste con el mayor detalle
las preguntas de la parte de procedimiento.

2. Aplicación de lo aprendido
Usando Multisim, realice la implementación del siguiente circuito
mostrado y tome las mediciones de amplitud y tiempo

Para la implementación use un transistor IGBT la resistencia RX1 Debe

de ser >20Kohms y RX2 aproximadamente de 1Kohm.

Conecte los canales del osciloscopio como se muestran en el circuito; y

tome las siguientes mediciones frecuencia 20KHz:

Amplitud Vce =…………………….

tr (al 10%)= …………………………

ts (entre el 10% y el 90%) = ………………………..

tc (entre el 10% y el 90%) = ………………………..

Tiempo de conducción = ..…………………

Conecte el osciloscopio de la manera siguiente y realice las

mediciones solicitadas:
Lab. De Electrónica de Potencia

Corriente de conducción = ……………………………………..

Finalmente conecte los terminales del osciloscopio de la manera como

se muestra en la figura y usando la función del osciloscopio Ch1 X Ch2
obtenga la gráfica de la potencia. Medir amplitudes y tiempos.

Cuestio
nario:
1. ¿Es posible calcular la potencia desarrollada por el transistor en un
ciclo de la señal de onda cuadrada? Describa el procedimiento.

2. ¿La grafica de la potencia vista en el osciloscopio nos da el

valor real consumida en el transistor? ¿Qué relación encuentra
entre los cálculos realizados y los criterios de seguridad?

3. Escriba de manera clara sus observaciones y conclusiones respecto

al laboratorio.