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TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

Juan Carlos Cruz Jiménez, Gustavo Hernán Paz Macías
Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones
Universidad del Cauca

Resumen: En este documento se presentan las simulaciones

requeridas para realizar el laboratorio correspondiente a las
aplicaciones del transistor efecto de campo, usando el simulador
LTspice para poder visualizar la curva de barrido DC (DC
Sweep), el estado transitorio de un circuito y el punto de operación
de un dispositivo en particular.

Palabras Clave:
Transformador, Multímetro, Señal DC, Capacitor, Resistencia,
Transistor Efecto De Campo, Circuito Integrado, Señal
Triangular, Señal Cuadrada.
Fig. 2. Montaje correspondiente a la curva característica del transistor
I. INTRODUCCIÓN MOSFET tipo N.

Los transistores bjt tratados anteriormente presentan

La resistencia 𝑅𝐶 es de 1kΩ, se configuro al voltaje 𝑉𝐷 para
inconvenientes con la capacidad de corriente que pueden
que variara desde 0.2 hasta 5V, además se configuró la fuente
manejar, y también con la temperatura a la que puedan estar
de voltaje 𝑉𝐺 de forma que varíe desde 2.5V hasta 3.5V, de
sometidos estos dispositivos. Los transistores MOSFET en
forma que en una misma simulación se pudieran observar los
partículas son usados en demasiadas aplicaciones industriales,
cambios de curvas características del transistor MOSFET tipo
en particular para objetivos de baja tensión baja potencia y
N para 3 diferentes valores de voltaje en la compuerta:
conmutación resistiva en altas frecuencias. En esta práctica de
laboratorio trazaremos su curva característica por medio del
simulador LTspice. Realizaremos osciladores, los cuales son
sistemas que producen cambios periódicos en un medio.

II. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

1) Curva Característica Del Transistor MOSFET Tipo N.

El circuito usado para determinar la curva fue: Fig. 3. Simulación correspondiente a la curva característica del transistor
MOSFET tipo N.

2) Inversor CMOS.

Fig. 1. Circuito Usado Para Determinar La Curva Característica.

La fuente 𝑉𝐺 se mantiene fija mientras que la fuente 𝑉𝐷 varía
desde 0V hasta 7V, el circuito montado en LTspice queda:
Fig.4. Circuito Inversor CMOS.
En este punto se utilizará un transistor NPMOS y PMOS,
donde se alimentará con dos fuentes, una de señal alterna
(Cuadrada y Triangular), con un capacitor conectado como
carga para visualizar en el osciloscopio la señal de salida del
circuito inversor.
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El circuito montado en LTspice queda: Luego reemplazamos el capacitor de 10nF a otro de 10µF, para
la señal cuadrada se tiene:

Fig.5. Montaje Circuito Inversor CMOS.

La simulación transiente del circuito de la fig. 4 es: Fig.9. Montaje Circuito Inversor CMOS con señal cuadrada.

La simulación queda:

Fig.6. Simulación Circuito Inversor CMOS Con Señal Cuadrada.

Fig.10. Simulación Circuito Inversor CMOS con señal cuadrada.

Como se puede observar la señal azul es el voltaje de salida en
el capacitor, donde la salida fue invertida con respecto al voltaje
Igualmente para la señal triangular queda:
de entrada pulsante.

Ahora reemplazamos la señal de pulso a una señal triangular,

cambiando los parámetros de Trise, Tfall y Ton en la fuente de
voltaje, quedando:

Fig.11. Simulación Circuito Inversor CMOS con señal triangular.

3) Inversor Schmitt Trigger CMOS:

El circuito a realizar es:

Fig.7. Montaje Circuito Inversor CMOS con señal triangular.

La simulación del circuito queda:

Fig.12. Circuito Schmitt Trigger CMOS.

Fig.8. Simulación Circuito Inversor CMOS con señal triangular.

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Luego la simulación es: 4) Oscilador En Anillo CMOS.

Se realizara el diseño del oscilador con el circuito integrado,

Fig.17. Oscilador En anillo CMOS.

Fig.13. Montaje Schmitt Trigger CMOS. El montaje en LTspice es el siguiente:

La Simulación correspondiente a la señal triangular queda:

Fig.14. Simulación Schmitt Trigger CMOS con señal triangular.

Fig.18. Montaje Oscilador En anillo CMOS.

Luego se cambió la señal triangular a una señal sinusoidal de

la misma amplitud y frecuencia quedando:
Luego la simulación de los nodos A, B, C respectivamente
queda:

Fig.15. Montaje Schmitt Trigger CMOS con señal sinusoidal.

Fig.19. Simulación Oscilador En Anillo CMOS.
La simulación queda:
Ahora se implementara el siguiente circuito llamado oscilador
en anillo con buffer:

Fig.16. Simulación Schmitt Trigger CMOS con señal sinusoidal.

Fig.20. Circuito Oscilador En Anillo con buffer.

Ahora se realizará el montaje en LTspice, quedando:

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Fig.21. Montaje Oscilador En Anillo con buffer.

Luego la respuesta transitoria entre los todos C y D:

Fig.22. Simulación Oscilador En Anillo con buffer.

CONCLUSIÓN
Los transistores MOSFET tipo N y tipo P tienen diversas
aplicaciones, en particular en esta práctica se corroboró la curva
característica de forma que se pudo diferenciar como se
comportaba dependiendo del voltaje aplicado. También se vio
su uso particular para la inversión de señales de entrada alterna,
en nuestro caso se simuló una señal de entrada triangular y
cuadrada, de forma que se pudo observar su inversión en los dos
tipos de arreglos usados. También se vio su uso como oscilador
para una señal de voltaje de entrada DC, también en dos tipos
de arreglos. Se pudo aprender a diferenciar los 3 terminales de
este transistor que en este caso son la compuerta, el drenador y
fuente, a diferencia de los BJT, y además se simuló el circuito
integrado CD4007 que contiene en su interior transistores
CMOS y NMOS.

REFERENCIAS
Ejemplos:
[1] Robert L. Boylestad, “
Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”, Octava Edición,
Editorial Pearson Education, 2003.

[2]Albert Paul Malvino, “Principios de Electrónica”, Sexta Edición, 2000.