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ANÁLISIS AC Y DC DE UN TRANSISTOR BIPOLAR


DE JUNTURA EN CONFIGURACIÓN EMISOR
COMÚN, BASE COMÚN Y COLECTOR COMÚN.
Díaz, Diana; Moreno, María; Torres, Mateo
Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Laboratorio de Dispositivos Electrónicos, Escuela Politécnica Nacional, GR-9
Quito, Ecuador
diana.diaz@epn.edu.ec
maria.moreno@epn.edu.ec
adrian.torres@epn.edu.ec

Resumen — El análisis en continua es la que B. Consultar el funcionamiento y cálculos necesarios


corresponde a la preparación del circuito de polarización para que un TBJ funcione como un Switch.
con el cual se ha obtenido el punto de operación del TBJ
en la zona activa. Para el análisis del TBJ en alterna es En principio tenemos que establecer un circuito
necesario que ya se cuente con un circuito previamente emisor común, la Ibase necesita un valor para lograr
polarizado en continua, si no le llega una señal alterna al que el transistor entre en zona de corte y otra para que
circuito el punto de operación no se verá afectado, la señal entre en zona de saturación, cuando este en corte existe
alterna no tiene que afectar de otra forma al circuito. una Ic mínima semejante a cero y un Voltaje Colector
Emisor máximo. Un transistor cuando entra en
saturación tiene una Ic máxima y un Voltaje Colector
Objetivos: Emisor casi nulo.

 Analizar del comportamiento de un TBJ en C. Consultar sobre el datasheet del transistor 3904 y
configuración Emisor Común, Base Común y Colector 3906.
Común.
 Identificar los parámetros de operación en base a los
resultados obtenidos en la medición de voltajes y
corrientes.

I. DESARROLLO DE CONTENIDOS

A. Dibujar la curva de trabajo del transistor en papel


milimetrado.

Fig 2. Transistor 2N3904.

Fig 1. Curva de Trabajo del Transistor.


Fig 3. Tipo NPN.
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Fig 8. Tipo PNP.

Fig 4. Diagrama de Mercado de 2N3904.

Fig 9. Diagrama de Mercado de 2N3906.

Fig 5. Características Máximas de Datasheet del Transistor


2N3904.

Fig 6. Características Térmicas de Datasheet del Transistor


2N3904.

Fig 10. Características Máximas de Datasheet del Transistor 2N3906.

Fig 11. Características Térmicas de Datasheet del Transistor 2N3906.

D. Representar el circuito Emisor Común, Base Común y


Colector Común mediante el modelo de parámetros
“r” y “π”.
Fig 7. Transistor 2N3906.
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IC
Ai = =β
IB

VCE
Av =
VBE

VBE
Zin = = (β + 1)re
IB

Fig 12. Circuito equivalente re en emisor común. VCE


Zo =
IC

 Colector Común

IC
Ai = =∝= 1
IE

VCB
Av =
Fig 13. Circuito equivalente re en base común. VEB

VEB
Zin = = −re
IE

VCB
Zo =
IC

 Base Común

IE
Fig 14. Circuito equivalente re en base común. Ai = =β+1
IB

VBC
Av =
VEC

VCB
Zin =
IC

VEC IE ∗ re
Zo = =− = −re
Fig 15. Circuito equivalente de AC de señal pequeña de IE IE
transistor Giacolleto (o pi híbrido) de alta frecuencia.

El modelo pi híbrido, el cual incluye parámetros que no F. Para los circuitos de la Figura 1, Figura 2, Figura 3
aparecen en los otros dos modelos, ante todo para y Figura 4 determinar los siguientes puntos:
proporcionar un modelo más preciso de los efectos de alta
frecuencia. a. Voltajes y corrientes de polarización (Divisor de
tensión y Thevenin)
b. Ganancia de voltaje, ganancia de corriente,
E. Partiendo del modelo anterior, deducir las ecuaciones impedancia de entrada e impedancia de salida.
de ganancia de voltaje, ganancia de corriente,
impedancia de entrada e impedancia de salida.

 Emisor Común

Para calcular la impedancia de entrada en el


transistor, esta se define como:
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27kΩ
Vth = −25V ∗ = −8.13V
27kΩ + 56kΩ
Rth = 27kΩ ∥ 56kΩ = 18.22k Ω

−8.13V = IbRth + Vbe + IeRe


Ie
−8.13V = (18.22kΩ) − 0.7V + Ie(680Ω)
161
Ie = −9.37 mA

26mV
re = = 2.77Ω
|Ie|

1kΩ ∥ 2.2kΩ
Fig 16. Circuito Emisor común TBJ 3904. Av = =1
682.77Ω
Ai = β = 160
2.7kΩ
Vth = 25V ∗ = 5.31 V
2.7kΩ + 10kΩ Zint = (161)(re + 680Ω) = 109.93k Ω
Rb = Rth
Rth = 2.7kΩ ∥ 10kΩ = 2.12kΩ
Zin = 18.22kΩ ∥ 109.93kΩ = 15.63KΩ
5.31V = IbRth + Vbe + IeRe
Ie
5.31V = (2.2kΩ) + 0.7V + Ie(303Ω) Zo = 1kΩ ∥ 2.2kΩ = 687.5 Ω
160 + 1
Ie = 14.58 mA

26 mV
re = = 1.78Ω
Ie
860Ω ∥ 1.2kΩ
Av = = 14.4
34.78Ω
Ai = β = 160
Zint = (161)(re + 33) = 5.6kΩ

Rb = Rth

Zin = 2.12kΩ ∥ 5.6kΩ = 1.53kΩ

Zo = 860Ω ∥ 1.2kΩ = 500.97 Ω Fig 18. Circuito Base común TBJ 3904.

15kΩ
Vth = 25V ∗ = 8.92V = VB
15kΩ + 27kΩ
Rth = 15kΩ ∥ 27kΩ = 9.64k Ω
Vth = IbRth + Vbe + IeRe
Ie
8.92V = (9.64kΩ) + 0.7V + Ie(616Ω)
161
Ie = 12.16 mA

Ie 12.16mA
Ib = = = 75.56µA
161 161

Ic = (160) ∗ (75.56µA) = 12.08mA

VCE = VCC − Ic(Rc + R E )


VCE = 25 − (12.08mA)(820Ω + 616Ω) = 7.65V

Fig 17. Circuito Emisor común TBJ 3906. VE = VB − VBE = 8.92 − 0.7 = 8.22V
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VC = VCC − VRC = 25 − (12.08mA)(820Ω) = 15.09V

VCB = VC − VB = 15.09V − 8.92V = 6.17V

26mV 26mV
re = = = 2.14Ω
Ie 12.16mA

RL′ 820Ω ∥ 1.8kΩ


Av = = = 9.7
re + RE1 2.14Ω + 56Ω
Ai = β = 160
Zint = re = 2.14 Ω

Zin = RE2||(RE1 + Zint) Fig 20. Simulación de la figura 1 en QUCS.


Zin = 560Ω ∥ (56Ω + 2.14Ω)
Zin = 56.67Ω

Zo = 820Ω ∥ 1.8kΩ = 563.36Ω

Fig 21. Forma de onda de la figura 1 en QUCS.

Fig 19. Circuito Colector común TBJ 3904.

18K
VTH = 25 ∗ = 11.25 V
18K + 22K
R TH = 22K||18K = 9.9 KΩ
VTH = VBE + IE ∗ 820
11.25 = 0.7 + IB 101 ∗ 820
IB = 0.127 mA
IE = 101 ∗ 0.127mA = 12.83mA
VB = 11.25 V
VE = 12.83mA ∗ 820 = 10.52 V
VC = 25 V Fig 22. Simulación de la figura 1 en PROTEUS.
VCE = 25 − 10.52 = 14.48 V
VCB = 25 − 11.25 = 13.75 V
26 mA
re = = 2.03 Ω
12.83 mA
Vo 820||470
AV = = = 0.993
Vin 2.03 + 820||470
Ai = β + 1 = 101
ZinT = 101 ∗ (2.03 + 820||470) = 30.38KΩ
Zin = R B ||ZinT = 7.47KΩ
Zo = 470||820 = 298.76Ω

G. Simular tanto en Proteus como en QUCS los


cuatro circuitos. Fig 23. Forma de onda de la figura 1 en PROTEUS.
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Fig 24. Simulación de la figura 2 en QUCS. Fig 27. Forma de onda de la figura 2 en PROTEUS.

Fig 25. Forma de onda de la figura 2 en QUCS.

Fig 28. Simulación de la figura 3 en QUCS.

Fig 26. Simulación de la figura 2 en PROTEU

Fig 29. Simulación de la figura 3 en PROTEUS.


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Fig 31. Señal de entrada y salida de la figura 2.

Fig 30. Simulación de la figura 4 en QUCS.


Fig 32. Señal de entrada y salida de la figura 3.

Fig 29. Simulación de la figura 4 en PROTEUS. Fig 33. Señal de entrada y salida de la figura 4.

H. Dibujar la señal de entrada y de salida en una misma I. Determinar el voltaje de entrada máximo, para que no
gráfica de todos los circuitos (Papel milimetrado). exista recorte en la salida.

Fig 30. Señal de entrada y salida de la figura 1.


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Fig 34. Grafica de zonas de recortes.

Existen recortes si en los siguientes casos:

Vop > IC R L ′ (Semiciclo positivo)


Vinp + Vop > VCE (Ambos semiciclos)
Vinp > IE R E1 (Semiciclo negativo)

II. REFERENCIAS

[1] FLOYD., (2015). Dispositivos Electrónicos.


Octava Edicón. «Análisis AC del TBJ».

[2] MourseElectronics, (2007). «Bipolar Transistors


BTJ 2N3904». [Online]. Available at:
https://www.mouser.ec/Semiconductors/Discrete-
Semiconductors/Transistors/Bipolar-Transistors-
BJT/Datasheets/_/N-5gcb?keyword=2n3904.
[Último acceso: 13-12-2018].

[3] MourseElectronics. (2010). « Bipolar Transistors


BTJ 2N3906». [Online]. Available at:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3906-
D.PDF. [Último acceso: 13-11-2018].

[4] R. BOYLESTAD, L. NASHELSKY, Electronic


devices and circuit theory, eleventh edition =, 10th
ed. Pearson education, 2009.

[5] REYES A., (2018). «Cátedra de Dispositivos


Electrónicos». EPN.