INSTITUTO TECNOLOGICO

SUPERIOR DE Pnuco
EXTENSION EL HIGO,
Veracruz.

Materia: electricidad y electrnica

industrial.

Tema: clasificacin de los

diodos, scr y triac.

Alumno: Luis salvador Hernndez.

Docente: ing. juan Jess Prez Arteaga.

Fecha: martes 31de mayo de 2016.

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 INDICE
DIODO.4
DIODOS RECTIFICADORES.4
CARACTERSTICAS GENERALES..5
CONSTRUCCIN DE DIODO RECTIFICADOR.5
APLICACIONES DE LOS DIODOS RECTIFICADORES..5
LOS RECTIFICADORES MONOFSICOS CON DIODOS SON DE TRES TIPOS.....5
DIODO LED6
APLICACIONES DEL DIODO LED...7
DIODO ZENER.........7
CARACTERIZACIN DEL ZENER...8
DIODO VARICAP..9

FUNCIONAMIENTO.9
APLICACIN..........10
CURVA CARACTERSTICA Y SIMBOLOGA DEL DIODO VARICAP10
DIODO LASER...........10

CREADORES.............11

FUNCIONAMIENTO..........11
CONSTITUCIN MATERIAL..........12
MATERIALES QUE LOS COMPONEN.....12

VENTAJAS......12

ALGUNAS APLICACIONES....13
DIODO TUNEL....13

DESCUBRIMIENTO..........13

DESCRIPCIN DEL DIODO TUNEL..14

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TUNEL...14

APLICACIONES.15
DIODO SCHOTTKY.......15

DEFINICIONES.......15

FUNCIONAMIENTO.......15

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CARACTERSTICAS....16
DIODO PIN..16

DESCUBRIMIENTO DEL DIODO PIN....17

OPERACIN...17
CARACTERSTICAS.....17

APLICACIONES.18
DIODO GUUN..19

EFECTO GUNN...20
FOTODIODO...21

PRINCIPIO DE OPERACIN...21

COMPOSICIN...22

APLICACIONES..22

SCR...23

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO...23

APLICACIONES..23
EQUIPOS EN QUE SE USA.24

CARACTERSTICAS..24
TRIAC24

ESTRUCTURA.25
APLICACIONES......25
BIBLIOGRAFIA....26

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 DIODO
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que
permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un
solo sentido.1 Este trmino generalmente se usa para referirse
al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta
de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no
se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de
vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.

De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo
de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima
de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir
la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua.

Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que la de
un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del nmero de
electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor
pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los
siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de impurezas
presentes en la sustancia.

Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas termoinicas
constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de
las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en1904 por John Ambrose Fleming,
empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.

DIODOS RECTIFICADORES
La familia de diodos rectificadores est concebida especialmente
para esta aplicacin aunque los de baja potencia tambin pueden ser
empleados como diodos de seal o conmutacin en circuitos de CD
o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran
velocidad muy elevada.

El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que se requiera disipar, para los de baja y
media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 5W. Por encima de este valor
se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altas deber estar la cpsula
preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de calor, por medio de un sistema

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de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas
o polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada Puente;
No obstante, tambin se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente, en algunos
circuitos de alimentacin monofsicos.

CARACTERSTICAS GENERALES

El diodo rectificador es uno de los mecanismos de la familia de los diodos ms sencillos. El nombre
diodo rectificador deriva de su aplicacin, la cual reside en separar los ciclos positivos de una seal
de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos
positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero
durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso
de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres
factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que
pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn.

CONSTRUCCIN DE DIODO RECTIFICADOR

Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este
tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin),
siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. El diodo ms antiguo
y utilizado es el diodo rectificador que conduce en un sentido, pero se opone a la circulacin de
corriente en el sentido opuesto.

APLICACIONES DE LOS DIODOS RECTIFICADORES

Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu,
convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa. Los diodos rectificadores se
usan principalmente en: circuitos rectificadores, circuitos fijadores, circuitos recortadores, diodos
volantes.

LOS RECTIFICADORES MONOFSICOS CON DIODOS SON DE TRES TIPOS:

De media onda: Cuando slo se utiliza uno de los semiciclos de la corriente. Es el tipo ms
bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda constituido por un nico
diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.
De onda completa y punto medio: Donde ambos semiciclos son aprovechados. Un
rectificador de onda completa convierte la totalidad de la forma de onda de entrada en una
polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la inversin de las porciones
(semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda de entrada. Las porciones positivas

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 (o negativas) se combinan con las inversas de las negativas (positivas) para producir una
forma de onda parcialmente positiva (negativa).
De puente de Graetz: Se trata de un rectificador de onda completa en el que, a diferencia
del anterior, slo es necesario utilizar transformador si la tensin de salida debe tener un
valor distinto de la tensin de entrada.

DIODO LED

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja

como un diodo comn, pero que al ser atravesado
por la corriente elctrica, emite luz. Existen diodos
LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron construidos.
Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros.

Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio. Si se pasa
una corriente a travs del diodo semiconductor, se inyectan electrones y huecos en las regiones
P y N, respectivamente. Dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los
portadores de carga (electrones y huecos). Hay un tipo de recombinaciones que se llaman
recombinaciones radiantes (aqu la emisin de luz).

La relacin entre las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del material
semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP, y GaP). Dependiendo del material de que est hecho el LED,
ser la emisin de la longitud de onda y por ende el color.

El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la gama de
corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color
rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDS.

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 APLICACIONES DEL DIODO LED
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin especfica de
funcionamiento.

Ejemplos

Se utilizan para desplegar contadores

Para indicar la polaridad de una fuente de alimentacin de corriente continua.

Para indicar la actividad de una fuente de alimentacin de corriente alterna.

En dispositivos de alarma, etc.

Las desventajas del diodo LED son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es invisible
bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30 y 60. Este ltimo
problema se corrige con cubiertas difusoras de luz. Con los ltimos adelantos, en los diodos LED de
alta luminosidad, este problema prcticamente ha quedado en el pasado.

DIODO ZENER
El diodo zener basa su funcionamiento en el efecto zener, de
ah su nombre. Recordaremos que, en polarizacin inversa y
alcanzada esta zona, a pequeos aumentos de tensin
corresponden grandes aumentos de corriente.

Este componente es capaz de trabajar en dicha regin cuando

las condiciones de polarizacin lo determinen y una vez hayan
desaparecido stas, recupera sus propiedades como diodo
normal, no llegando por este fenmeno a su destruccin salvo que se alcance la corriente mxima
de zener Imx indicada por el fabricante.

Lgicamente la geometra de construccin es diferente al resto de los diodos, estribando su principal

diferencia en la delgadez de la zona de unin entre los materiales tipo P y tipo N, as como de
la densidad de dopado de los cristales bsicos.

Sus parmetros principales son:

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Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por l, llamada
corriente de saturacin IS, esta corriente permanece relativamente constante mientras aumentamos
la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza VZ, llamada tensin Zener (que no es la tensin
de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente empieza a
incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.

En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de corriente. El diodo zener
mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de corriente
inversa. Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.

CARACTERIZACIN DEL ZENER

El diodo zener viene caracterizado por:

Tensin Zener Vz.
Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: 5%)
Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz.
Mxima potencia disipada 5. Mxima temperatura de operacin del zener.

Una de las aplicaciones ms usuales de los diodos zener es su utilizacin como reguladores de
tensin.

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 DIODO VARICAP

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo

de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que
hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin
PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus
extremos.

FUNCIONAMIENTO

El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo

de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace
que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN
vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus
extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de
esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este
modo se obtiene un condensado variable controlado por
tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.

La capacidad formada en extremos de la unin PN puede

resultar de suma utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca
precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual est situado el diodo.

Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas de la
capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que
conforma un condensador de elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido
inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se
pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de
polarizacin inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se
asemeje a una disminucin de la capacidad del hipottico condensador (similar al efecto producido
al distanciar las placas de un condensador estndar).

La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin aplicada al diodo aumenta la

capacitancia disminuye, Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta.

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 APLICACIN
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suelen ser la de sustituir a complejos sistemas
mecnicos de condensador variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos de emisin y
recepcin.

CURVA CARACTERSTICA Y SIMBOLOGA DEL DIODO VARICAP.

Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento
est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una
regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de
agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin
carga se determina mediante:

CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la

unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.

Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de

agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con
el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para [diodo] varicap se limita
aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin
se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n

Dnde:

K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin.

VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin.
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado.
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin.

DIODO LASER

Estos dispositivos tambin se les denominan diodos lser de

inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD.

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 CREADORES
El diodo lser fue inventado en tres laboratorios de investigacin en USA de modo independiente.
Los investigadores consiguieron radiacin electromagntica
coherente de un diodo de unin p-n en base al
material semiconductor GaAs - Arsenuro de Galio.

FUNCIONAMIENTO

Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona p se mueven
hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas
constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos estn en la misma regin,
pueden recombinarse cayendo el electrn al hueco y emitiendo un fotn con la energa
correspondiente a la banda prohibida.

Esta emisin espontnea se produce normalmente en los diodos semiconductores, pero slo es
visible en algunos de ellos (como los LEDS), que tienen una disposicin constructiva especial con el
propsito de evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y habitualmente una
energa de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible; en otros diodos,
la energa se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta.

En condiciones apropiadas, el electrn y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de
nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por
casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada, es decir, al producirse
la recombinacin el fotn emitido tendr igual frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn.

En los diodos lser, para favorecer la emisin estimulada y generacin de luz lser, el cristal
semiconductor del diodo puede tener la forma de una lmina delgada con un lado totalmente
reflectante y otro slo reflectante de forma parcial (aunque muy reflectante tambin), logrndose as
una unin PN de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y
reflectantes. Es importante aclarar que las dimensiones de la unin PN guardan una estrecha
relacin con la longitud de onda a emitir.

Este conjunto forma una gua de onda similar a un resonador de tipo Fabry-Perot. En ella, los fotones
emitidos en la direccin adecuada se reflejarn repetidamente en dichas caras reflectantes (en una
totalmente y en la otra slo parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisin de ms fotones
estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz
(mientras dure el bombeo derivado de la circulacin de corriente por el diodo).

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Parte de estos fotones saldrn del diodo lser a travs de la cara parcialmente transparente (la que
es slo reflectante de forma parcial). Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser
coherente en su mayor parte (debido a la emisin estimulada), posee una gran pureza espectral. Por
tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de tipo lser, a estos diodos se los conoce por
el mismo nombre.

CONSTITUCIN MATERIAL
Todos los lseres de diodo estn construidos con materiales semiconductores, y tienen las
propiedades caractersticas de los diodos elctricos.

MATERIALES QUE LOS COMPONEN:

Lseres de diodo - ya que se componen de uniones p-n como un diodo.

Lseres de inyeccin - ya que los electrones son inyectados en la unin por el voltaje
aplicado.

La utilizacin tanto en I+D como comercial de los lseres de diodo ha cambiado dramticamente en
los ltimos 20 aos. Hoy en da el nmero de lseres de diodo vendidos en unos aos se mide en
millones, mientras que todos los dems tipos de lser juntos se miden en millares.

VENTAJAS
Son muy eficientes.
Son muy fiables.
Tienen tiempos medios de vida muy largos.
Son econmicos.
Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida, pudindose modular a dcimas
de Gigahercio.
Su volumen y peso son pequeos.
El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo.
Su consumo de energa es reducido (comparado con otras fuentes de luz)
El ancho de banda de su espectro de emisin es angosto (puede llegar a ser de slo
algunos kHz)

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 ALGUNAS APLICACIONES
Comunicaciones de datos por fibra ptica.
Lectores de CD, DVD, Blue-ray, HD-DVD, entre otros.
Interconexiones pticas entre circuitos integrados.
Impresoras lser.
Escneres o digitalizadores.
Sensores.
Armas lser.

DIODO TUNEL

Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se

produce el efecto tnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica
corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa
permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).

DESCUBRIMIENTO
Este diodo fue inventado en 1958 por el fsico japons Leo Esaki, por lo cual recibi un Premio
Nobel en 1973. Descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de
contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una caracterstica
tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la
tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta.

A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir
y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo
aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms
rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera.

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 DESCRIPCIN DEL DIODO TUNEL
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto
tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica
corriente-tensin. Los diodos Tnel son generalmente fabricados en Germanio, pero tambin en
silicio y arseniuro de galio.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en
un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la
corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como
amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja
potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos
de la radiacin.

Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr

que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se
conocen como diodos tnel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa;
esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin
de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno
de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores,
los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de
alimentacin.

Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente,
cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TUNEL

Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la corriente empieza a
fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del
cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de
un "valle" y despus volver a incrementarse. Esta ocasin la corriente continuar aumentando
conforme aumenta la tensin.

Los diodos tnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente,
cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.

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 APLICACIONES
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de fuga
muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran aplicaciones
reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.

DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del
orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia,
circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de
recuperacin rpida (Fast recovery) o de portadores calientes.

DEFINICIONES
El diodo Schottky o diodo de
barrera Schottky, llamado as en
honor del fsico alemn Walter
H. Schottky, es un
dispositivo semiconductor que
proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de
conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos
pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral
(tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se
refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).

La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como
conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando
ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar
polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.

FUNCIONAMIENTO
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la polarizacin cambia de
directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar
a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo Schottky est constituido por una unin
metal semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P
semiconductor N utilizada por los diodos normales.

As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto

significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con impurezas tipo N, solamente los
portadores tipo N (electrones mviles) desempearn un papel significativo en la operacin del diodo

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y no se realizar la recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los
diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho ms rpida.

CARACTERSTICAS
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas frecuencias y eliminar
excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos convencionales
de silicio, que tienen una tensin umbral valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo
conduce de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con bateras
de plomo cido.

La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas

relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky
encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde
se necesiten grandes velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo
permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores de alta gama para
que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el transistor del freno y este no
pierda sus facultades.

El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo los tipos ALS
y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores sean mucho menores puesto
que son ms superficiales y de menor tamao por lo que se da una mejora en la relacin
velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que
las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.

DIODO PIN
Diodo PIN es una estructura de tres capas, siendo el intermedio
semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra
tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en
la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo
P de alta resistividad () o bien por una capa n de
alta resistividad (). La regin intrnseca amplia es en contraste
con un diodo PN ordinaria. La regin intrnseca amplia hace que
el diodo PIN un rectificador inferiores, pero hace que el diodo PIN
adecuado para atenuadores, interruptores rpidos, foto
detectores, y aplicaciones de electrnica de potencia de
alta tensin.

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 DESCUBRIMIENTO DEL DIODO PIN
En 1971 C.A. Burrus desarrolla un nuevo tipo de emisor de luz, el LED, de pequea superficie
radiante, idnea para el acoplamiento en F.O. Por lo que se refiere a los fotos detectores, los diodos
PIN y los de avalancha a base de Si, fueron desarrollados sin dificultades y ofrecan buenas
caractersticas. Sin embargo, no podan aplicarse en longitud de onda > 1100 nm. El Ge era un buen
candidato a ser utilizado para trabajar entre 1100 y 1600 nm, y ya en 1966 se dispona de ellos con
elevadas prestaciones elctricas. Sin embargo, la corriente de oscuridad (ruido) del Ge es elevada
y da motivo a ensayos con fotodiodos con materiales como InGaAsP (arseniuro fosfuro de indio y
galio). El primer PIN de InGaAs (arseniuro de indio y galio) se realiza en 1977.

OPERACIN
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyeccin de alto nivel. En otras palabras, la
regin intrnseca "i" se inunda con los portadores de carga de las regiones de "n", "p" y. Su funcin
se puede comparar a llenar un cubo de agua con un agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza
el nivel del agujero en el que comenzar a derramar. Del mismo modo, el diodo conducir la corriente
una vez que los electrones y los huecos inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el nmero
de electrones es igual al nmero de agujeros en la regin intrnseca. Cuando el diodo est polarizado
hacia adelante, la concentracin de portadores inyectada es tpicamente varios rdenes
de magnitud ms alta que la concentracin de portadores nivel intrnseco. Debido a esta inyeccin
de alto nivel, que a su vez se debe al proceso de agotamiento, el campo elctrico se extiende
profundamente en la regin. Este campo elctrico ayuda en la aceleracin del transporte de
portadores de carga desde la P a la regin N, que se traduce en un funcionamiento ms rpido del
diodo, por lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de alta frecuencia.

CARACTERSTICAS
Un diodo PIN obedece a la ecuacin del diodo estndar para seales de baja frecuencia. A
frecuencias ms altas, el diodo se parece a una resistencia casi perfecta. Hay una gran cantidad de
carga almacenada en la regin intrnseca. A bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo se
apaga. A frecuencias ms altas, no hay tiempo suficiente para retirar la acusacin, por lo que el diodo
no se apaga nunca. El diodo PIN tiene un mal tiempo de recuperacin inverso.

La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente continua de polarizacin

a travs del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgado, por lo tanto, acta como una resistencia
variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio intervalo.

La regin intrnseca amplia tambin significa que el diodo tendr una capacitancia baja polarizado
inversamente.

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En un diodo PIN, la regin de agotamiento existe casi por completo dentro de la regin intrnseca.
Esta regin de agotamiento es mucho ms grande que en un diodo PN, y casi constante de tamao,
independiente de la polarizacin inversa aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que los
pares electrn-hueco pueden ser generados por un fotn incidente. Algunos dispositivos foto
detectores, tales como fotodiodos PIN y fototransistores, utilizan una unin pin en su construccin.

El diseo de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseo. El aumento de las dimensiones
de la regin intrnseca permite que el diodo se vea como una resistencia a frecuencias ms bajas.
Se afecta negativamente el tiempo necesario para apagar el diodo y su capacitancia en derivacin.
Diodos PIN se adaptarn para un uso particular.

APLICACIONES
Los diodos PIN son utilizados como:

conmutador de RF
resistencia variable
protector de sobretensiones
foto detector
atenuadores

Interruptores de RF y microondas Bajo el sesgo cero o inversa, un diodo PIN tiene una
capacidad baja. La baja capacidad no va a pasar mucho de una seal de RF. En virtud
de un sesgo hacia adelante de 1 mA, un diodo PIN tpico tendr
una resistencia de RF de aproximadamente 1 ohmio, por lo que es un
buen conductor de RF. En consecuencia, el diodo PIN hacen un buen interruptor de RF.
Aunque los rels de RF se pueden utilizar como interruptores, cambian muy lentamente.
Un interruptor de diodo PIN puede cambiar mucho ms rpidamente.

La capacitancia de un diodo PIN fuera discreta podra ser 1 pF. A 320 MHz, la reactancia de 1 pF
trata-J500 ohm. Como un elemento de la serie en un sistema de 50 ohmios, la atenuacin de estado
desactivado sera -20 veces la base 10 de registro de la relacin de la impedancia de carga a la
suma de la carga, el diodo y la fuente de impedancias, o ms o menos 20 dB, lo que no puede ser
adecuada. En aplicaciones donde se necesita un mayor aislamiento, tanto la derivacin y elementos
de las series se pueden utilizar, con los diodos de derivacin sesgadas de manera complementaria
a los elementos de la serie. Adicin de elementos de derivacin reduce de manera efectiva la fuente
e impedancias de carga, la reduccin de la relacin de impedancia y el aumento de la atenuacin
del estado de desactivacin. Sin embargo, adems de la complejidad aadida, la atenuacin en
estado de encendido se incrementa debido a la resistencia en serie del elemento de bloqueo en
estado de encendido y la capacitancia de los elementos de derivacin en estado desactivado.

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Interruptores de diodos PIN se utilizan no slo para la seleccin de la seal, tambin se utilizan para
la seleccin de componentes. Por ejemplo, algunos osciladores de bajo ruido de fase utilizan diodos
PIN de inductores gama de interruptores.

RF y microondas atenuadores variables Al cambiar la corriente de polarizacin a travs de

un diodo PIN, es posible cambiar rpidamente la resistencia RF.

A altas frecuencias, el diodo PIN aparece como un resistor cuya resistencia es una funcin inversa
de la corriente directa. En consecuencia, el diodo PIN se puede utilizar en algunos diseos atenuador
variable como moduladores de amplitud o circuitos de nivelacin de salida. Diodos PIN pueden ser
utilizados, por ejemplo, como el puente y las resistencias en derivacin en un puente-T atenuador.
Otro enfoque comn es utilizar diodos PIN como terminaciones conectadas a los 0 grados y -90
grados puertos de un hbrido en cuadratura. La seal a ser atenuada se aplica al puerto de entrada,
y el resultado se toma atenuada desde el puerto aislamiento.

DIODO GUUN
Es una Modelo de diodo usado en la Electrnica de alta frecuencia. A
diferencia de los Diodos ordinarios construidos con regiones de
dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que
impropiamente se le conoce como Diodo. Existen en este dispositivo
tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente
dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente
dopado. Cuando se aplica un Voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia
el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto
significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.

La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es

determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona
intermedia del Diodo, pero tambin puede ser ajustada
exteriormente. Los Diodos Gunn son usados para construir
osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10
Giga Hertz y frecuencias an ms altas (hasta Tera Hertz). Este diodo se usa en combinacin con
circuitos resonantes construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (mono
cristal de granate y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en ingls) y la sintonizacin es realizada
mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes
son elctricos.

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Los Diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz,
mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Tera Hertz.

El dispositivo recibe su nombre del cientfico britnico, nacido en Egipto, John Battiscombe Gunn
quien produjo el primero de estos diodos basado en los clculos tericos del profesor y cientfico
britnico Cyril Hilsum.

EFECTO GUNN

El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la generacin
de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales Semiconductores. Gunn observ
esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fosfuro de Indio (InP).

El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los Semiconductores y no depende de la unin
misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de tensin y corriente y no es afectado
por campos magnticos.

Cuando se aplica una pequea tensin continua a travs de una placa delgada de Arseniuro de Galio
(GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa. Todo esto ocurre bajo la condicin de
que la tensin aplicada a la placa sea mayor a los 3,3 voltios/cm. Si dicha placa es conectada a una
cavidad resonante, se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como oscilador.

Este efecto slo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se
dan slo cuando existe un campo elctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al
tiempo que los electrones necesitan para atravesar la placa de material tipo N cuando se aplica la
tensin continua.

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 FOTODIODO
Es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a
la incidencia de la visible o infrarroja. Para que su
funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo
que se producir una cierta circulacin de corriente cuando
sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los
fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir,
en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea
con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta
corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre
de corriente de oscuridad.

PRINCIPIO DE OPERACIN

Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando una

luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn
dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la
absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a
una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados
de la unin por el campo de la zona de agotamiento,
produciendo una fotocorriente.

Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa.
En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso.
En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso
al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de
manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado
por la luz.

FOTODIODO DE AVALANCHA: Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes
inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga foto generados al ser multiplicados en la
zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del
dispositivo.

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 COMPOSICIN
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta
1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro
material semiconductor.

Material Longitud de onda (nm)

Silicio 1901100

Germanio 8001700

Indio galio arsnico (InGaAs) 8002600

sulfuro de plomo <1000-3500

APLICACIONES

A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y

viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de
respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd
transformando la luz del haz lser reflejado en el mismo en impulsos elctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
Usados en fibra ptica

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 SCR
Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como
dispositivo de control.
El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor
que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro
est en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conduccin
directa).
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conduccin del mismo,
ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no slo cuando la
tensin en sus bornes se hace positiva (tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando
siendo esta tensin positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.
El parmetro principal de los rectificadores controlados es el ngulo de retardo, a.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo durante los
semiciclos positivos de la fuente de carga. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el nodo del
SCR es ms positivo que el ctodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido ms de la
mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad
negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la
carga.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa de luz sobre el disco de silicio. Los pares
electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia
de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente
sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir
con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito puede ser reconocido por la simbologa que
muestra la figura I. Como se observa la misma cuenta con tres terminales Puerta (G), nodo (A),
Ctodo (K) y una ventana transparente por donde entra la luz.

APLICACIONES
Los SRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo, transmisin de cd de alto
voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR). Un
SCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de
conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos
cientos de kilovoltios.

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 EQUIPOS EN QUE SE USA
Alarmas antirrobo.
Detectores de presencia en puertas y ascensores.
Circuitos de control ptico en general.
Relevadores.
Control de fase.
Control de motores.
Y una variedad de aplicaciones en computadoras.

CARACTERSTICAS
La especificacin de voltaje de un SCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia
de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es 250 A/ms y el dv/dt puede ser tan alto
como 2000v/ms. La frecuencia de conmutacin es de hasta 2kHz, estos tiristores normalmente
disponen de conexiones especiales para ser disparados con fibra ptica. Un SCR ofrece total
aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.

TRIAC

TRIAC o Trodo para Corriente Alterna es un

dispositivo semiconductor, de la familia de los transistores. La
diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y
el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente. Su estructura
interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos
SCR en anti paralelo. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso
pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del
TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se
usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce
en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la
polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

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 ESTRUCTURA
La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura, aunque funciona siempre como un
tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a
travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La
complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y
capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios
hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a 1000 (V) de tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son
fabricados para funcionar a frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores.

El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo, este dispositivo es
equivalente a dos "latchs" (transistores conectados con realimentacin positiva, donde la seal de
retorno aumenta el efecto de la seal de entrada). La diferencia ms importante que se encuentra
entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los
dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente, bloquendose cuando
la corriente cambia de polaridad, dando como resultado una conduccin completa de la corriente
alterna.

El TRIAC, sin embargo, se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por
el valor cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para volver de nuevo a
conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada. Esto implica la prdida de un
pequeo ngulo de conduccin, que en el caso de cargas resistivas, en las que la corriente est en
fase con la tensin, no supone ningn problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en
cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no coincide
con la misma situacin de la tensin aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de
tensin entre los dos terminales del componente.

APLICACIONES
Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.
Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre
los interruptores mecnicos convencionales y los rels.
Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.
Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz,
controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control computarizado
de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como
motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el
TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.

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 BIBLIOGRAFIA

http://www.ecured.cu/Diodo_rectificador

http://unicrom.com/Tut_diodo_led.asp

http://www.monografias.com/trabajos96/diodo-zener-resumen/diodo-
zener-resumen.shtml#ixzz493RzCtsQ
http://www.ecured.cu/Diodo_varicap
http://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-
scr/rectificador-controlado-silicio-scr.shtml#ixzz493Z54DiU

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