“Año del Buen Servicio al Ciudadano”

APELLIDOS Y NOMBRES: MARTHA JAZMIN GRAJEDA PARI

ESPECIALIDAD: INGENIERIA ELECTRICA

CURSO: SEMICONDUCTORES Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

DOCENTE:

SEMESTRE: V

Huancayo – Perú
2017
 INDICE

PRESENTACION............................................................................................................................3
MARCO TEORICO.........................................................................................................................4
1. EL DIODO.............................................................................................................................4
1.1 TIPOS DE DIODO.......................................................................................................5
1.2 POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA................................................................11
1.3 CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO..............................................................14
1.4 Aplicaciones Diodos de señal (pequeña corriente)...............................................15
CONCLUSIONES..........................................................................................................................18
BIBLIOGRAFIA.............................................................................................................................19

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 PRESENTACION
El actual trabajo presenta el tema sobre el diodo que implica la explicación todo lo
concerniente a dispositivo electrónico pequeño pero de gran importancia para
todo tipo de circuito lógico, es un dispositivo semiconductor que permite el paso de
la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un
interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta
de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como
un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un corto circuito con
muy pequeña resistencia eléctrica. Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una
corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado
en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran válvulas grandes
en chips o tubos de vacío, también llamadas válvulas termoiónicas constituidas
por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar
al de las lámparas incandescentes.

El invento fue realizado en 1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa

Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.- Al
igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el
cátodo) a través del que circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El
filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al calentarse emite
electrones al vacío circundante; electrones que son conducidos
electrostáticamente hacia una placa característica curvada por un muelle doble
cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción.
Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa
razón los circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que
las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban
con mucha facilidad.

Un diodo es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando

se le induce una corriente eléctrica a través de él, pero depende de las
características de esta corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento
que nos sea útil.
La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede
encontrar dependiendo de la corriente eléctrica que este fluyendo en él,
al poder tener estos dos estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la
opción de ser usados en elementos electrónicos en los que estos facilitan
el trabajo.
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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 MARCO TEORICO
1. EL DIODO
Es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar,
prácticamente en cualquier circuito electrónico, es un dispositivo
semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única
dirección con características similares a un interruptor
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de
germanio.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,
separados por una juntura llamada barrera o unión.
Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el germanio y de 0.6 voltios
aproximadamente en el diodo de silicio.

Símbolo del diodo ( A - ánodo,  K - cátodo)

1.1 TIPOS DE DIODO

DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL

Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de
contacto puntual, están hechos de germanio y se caracterizan por
poseer una unión PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas
frecuencias y con señales pequeñas. Se emplea por ejemplo, en
receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia
(portadora) de la componente de baja frecuencia (información audible).
Esta operación se denomina detección.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores
que solo conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en
polarización inversa no conducen. Estas características son las que
permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el
voltaje en inverso que pueden soportar.

Los diodos, en
general se identifican mediante una referencia. En el sistema
americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de
serie, por ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un
semiconductor, el “1” indica el número de uniones PN y el “4004” las
características o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema
europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo:
BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el tipo
(rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias
referencias, por ejemplo: ECG581.

DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad
de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se
encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como
elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta
50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo
normal, su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo:
1N3828 ó BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener
nominal (VZ) y la potencia máxima que pueden absorber en forma
segura sin destruirse (PZ)
DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de
sintonía. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado
inversamente y actúan como condensadores variables controlados por
voltaje. Esta característica los hace muy útiles como elementos de
sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy
empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores
de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos
son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y
microondas.

DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje.
Cuando esto sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones
cerca de la unión NP; si este se ha polarizado directamente la luz que
emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su
composición.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz
emitida, la caída de voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR),
la máxima corriente directa (IF) y la intensidad luminosa. Típicamente
VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con valores de IF
desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde
menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de 4000 mcd. Entre mayor
sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF
depende del color, siendo mínimo para LED’s rojos y máximo para
LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para
limitar la corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF
máxima.
También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un
voltaje inverso superior a 5V causa generalmente su destrucción
inmediata del LED.
DIODO LÁSER
Los diodos láser, también conocidos como láseres de inyección o ILD’s.
Son LED’s que emiten una luz monocromática, generalmente roja o
infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son
muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer
discos compactos (CD’s) que contienen datos, música, películas, etc.,
así como en sistemas de comunicaciones para enviar información a
través de cables de fibra óptica. También se emplean en marcadores
luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.

DIODO ESTABILIZADOR
Está formado por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una
caída de tensión correspondiente a su tensión umbral.
Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo valores
similares a lo que hacen los diodos Zéner.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se
caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente
delgada y tener en su curva una región de resistencia negativa donde la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta última
propiedad los hace muy útiles como detectores, amplificadores,
osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta
frecuencia.

DIODO PIN
Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y
N(material N). Los diodos PIN se emplean principalmente como
resistencias variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como
osciladores. También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA,
etc.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy
elevadas, donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes está
limitada por su tiempo de tránsito, es decir el tiempo que tardan los
portadores de carga en atravesar la unión PN. Los más conocidos son
los diodos Gunn, PIN e IMPATT.

DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una
zona de resistencia negativa similar a las de los diodos túnel.

DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o
de portadores calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por
poseer una caída de voltaje directa muy pequeña, del orden de 0.25 V o
menos, y ser muy rápidos. Se emplean en fuentes de potencia,
sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.
Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un
voltaje de conducción prácticamente igual a cero, pero también un
voltaje inverso de ruptura muy bajo, lo cual limita su uso a aplicaciones
muy especiales.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya
corriente inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la
cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unión PN. A
mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa
producida por que se genera un mayor número de portadores
minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en
fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas de
seguridad, receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.

1.2 POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA

UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR La situación de partida es la del

cristal semiconductor, es decir, tenemos un semiconductor con una
zona tipo p junta a una zona tipo n. Suponemos que todas las
impurezas están totalmente ionizadas y que los portadores que
tenemos en cada una de las zonas provienen de las propias impurezas,
es decir, prescindimos de momento de los pares e- - h+ que se forman
por agitación térmica. Como ya se ha comentado en el capítulo anterior,
en la zona n cada átomo de impureza donadora (átomos con 5 e- de
valencia) al introducirse en la estructura cristalina del silicio, produce un
e- libre, quedando, por tanto, el átomo cargado positivamente. Así,
podemos representar un semiconductor tipo n. De manera similar, en la
zona p cada átomo de impureza aceptadora (impurezas con 3 e- de
valencia) al introducirse en la estructura cristalina del silicio, deja un
enlace sin completar, con lo que tienden a captar una e- para satisfacer
dicho enlace. O lo que es lo mismo tienden a ceder un hueco. El átomo
de impureza aceptadora, al captar un e queda cargado cediendo un h+

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 (carga positiva), de manera que podemos observar como el cristal sigue
siendo eléctricamente neutro.

POLARIZACIÓN INVERSA DE UNA UNIÓN p-n Consiste en poner una

tensión positiva del lado de la zona n y negativa del lado de la zona p.
Para polarizar inversamente una unión p-n colocamos una tensión
continua con el lado negativo de la misma en la zona p y el lado positivo
de la tensión en la zona n. La polaridad aplicada de esta manera es tal
que tiende alejar a los h+ de la zona p y a los e - de la zona n de la
unión. De esta manera, la zona de cargas fijas negativas se extenderá
hacia el interior de la zona p y de forma análoga la zona de cargas
positivas tenderá a penetrar en la zona n.

A medida que aumentamos la polarización inversa aumenta la anchura

de la zona de carga zona dipolar Al aumentar la zona de deplexión
aumentará el potencial de la barrera. Este aumento continuará hasta
que el potencial que aparece en la zona de carga espacial se iguale con
la tensión aplicada. La distancia que la zona de carga espacial penetre

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 en cada una de las zonas dependerá del nivel de dopado de las
mismas. Cuanto más dopada esté una zona menos se adentrará en la
misma la zona de deplexión.

En la figura se aprecia como la zona de carga (área sombreada)

penetra más en la zona n (menos dopada) que en la zona p (más
dopada). Por lo tanto, en principio resultará una corriente nula. Sin
embargo, debemos de tener en cuenta a los portadores minoritarios (e-
en la zona p y h+ en la zona n provenientes de la formación de pares e-
- h+ debida a la rotura térmica de enlaces). Así, el campo eléctrico
aplicado tenderá a llevar a la e- de la zona p hacia la zona n y a los
huecos de la zona n hacia la zona p. Esto supone una corriente
resultante que se denomina corriente inversa de saturación o corriente
de fugas. Esta corriente depende de la temperatura y no de pende de la
tensión inversa aplicada.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 POLARIZACIÓN DIRECTA DE LA UNIÓN p-n. La zona dipolar es más
estrecha que la que aparece en la unión sin polarizar. A medida que la

tensión exterior aplicada aumenta y superamos el valor de la barrera de

potencial, los portadores mayoritarios atravesarán la unión. Los h+ de la
zona p se verán arrastrados hacia la zona n y los e- de la zona n hacia
la zona p creándose una corriente grande (debida a los mayoritarios) en
el sentido de la zona p hacia la zona n.

1.3 CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

Con la polarización directa los electrones portadores aumentan su

velocidad y al chocar con los átomos generan calor que hará umentar la
temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conducción en
el diodo.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ): La tensión umbral
(también llamada barrera de potencial) de polarización directa
coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la
tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente máxima (Imax): Es la intensidad de corriente máxima que

puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es
función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is): Es la pequeña corriente que

se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de
pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10º en la temperatura.

Corriente superficial de fugas: Es la pequeña corriente que circula

por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es
función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la
tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr): Es la tensión inversa máxima que el diodo

puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

1.4 Aplicaciones Diodos de señal (pequeña corriente)

Los diodos de señal son usados en los circuitos para procesar

información (señales eléctricas), por lo que solo son requeridos para
pasar pequeñas corrientes de hasta 100 mA. Un diodo de señal de uso
general tal como el 1N4148 está hecho de silicio y tiene una caída de
tensión directa de 0,7 V. Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene
una caída de tensión directa más baja, de 0,2 V, y esto lo hace
conveniente para usar en circuitos de radio como detectores los cuales

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 extraen la señal de audio desde la débil señal de radio. Para uso
general, donde la medida de la caída de tensión directa es menos
importante, los diodos de silicio son mejores porque son menos
fácilmente dañados cuando se sueldan, tienen una más baja resistencia
cuando conducen, y tienen muy baja corriente de pérdida cuando se les
aplica un voltaje en inversa.

Diodo de protección para relés.- Los diodos de señal son también

usados para proteger transistores y circuitos integrados del breve alto
voltaje producido cuando la bobina de un relé es desconectada. El
diagrama muestra cómo un diodo de protección es conectado “al revés”
sobre la bobina del relé. La corriente que fluye a través de la bobina de
un relé crea un campo magnético el cual cae de repente cuando la
corriente deja de circular por ella. Esta caída repentina del campo
magnético induce sobre la bobina un breve pero alto voltaje, el cual es
muy probable que dañe transistores y circuitos integrados. El diodo de
protección permite al voltaje inducido conducir una breve corriente a
través de la bobina (y el diodo) así el campo magnético se desvanece
rápidamente. Esto previene que el voltaje inducido se haga
suficientemente alto como para causar algún daño a los dispositivos.

Diodos rectificadores (grandes corrientes) Los diodos rectificadores

son usados en fuentes de alimentación para convertir la corriente
alterna (AC) a corriente continua (DC), un proceso conocido como
rectificación. También son usados en circuitos en los cuales han de
pasar grandes corrientes a través del diodo. Todos los diodos
rectificadores están hechos de silicio y por lo tanto tienen una caída de
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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 tensión directa de 0,7 V. La tabla muestra la máxima corriente y el
máximo voltaje inverso para algunos diodos rectificadores populares. El
1N4001 es adecuado para circuitos con más bajo voltaje y una corriente
inferior a 1ª.

Puentes rectificadores.- Hay varias maneras de conectar los diodos

para construir un rectificador y convertir la AC en DC. El puente
rectificador es una de ellas y está disponible en encapsulados
especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Los puentes
rectificadores se clasifican por su máxima corriente y máxima tensión
inversa.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 CONCLUSIONES
Concluimos que los diodos son elementos importantes en la electrónica que nos
rodea hoy en día, que para su comprensión hay que estar al tanto de ciertos
conocimientos relativos a su funcionamiento y comportamiento.

Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con
el propósito de resolver algún problema.

Para nosotros uno de los aspectos más importantes del diodo es que no se
quedan en un solo tipo de diodo y más bien sea desarrollado el diodo en formas
que extienden su área de aplicación.

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Semiconductores y dispositivos electrónicos: El Diodo
 BIBLIOGRAFIA

1. Altey y Atowood, Ingeniería electrónica, México, Limusa, 1979.

2. Cemak, jindrich. Merelli a Zkouni Transistoru, SNTL, 1966.
3. Cutler, Philtip, Análisis de circuitos 3. COIl semicondllctores, México,
McGraw-HiII, 1967.
4. Ghausi, M. S., Circuitos electrónicos discretos e integrados, México,
Interamericana, 1987.

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