Transistores MOS

Transistores MOS
Dispositivos
La estructura bsica del transistor MOS de canal-n, se realiza sobre

un substrato de Si, tipo P
Fuente
Puerta
Drenador
L
tox
n
Fuente
n+
Drenador
Puerta
Si-P
Canal n
El transistor MOS de enriquecimiento necesita una tensin

de puerta-substrato, positiva en el transistor de canal-n y
negativa en el de canal-p, para crear el canal. Los smbolos
que se emplean para estos transistores son
D
G
B
S
Transistor canal-n
Transistor canal-p
Si en el transistor MOS existe un canal entre fuente y

drenador implantado en fbrica, se llaman transistores de
canal implantado o empobrecimiento. Los smbolos que se
emplean para estos transistores son
D
G
B
S
Transistor canal-n
Grupo de Ingeniera Microelectrnica
Departamento de Tecnologa Electrnica,
Ingeniera de Sistemas y Automtica.
UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
D
G
B
S
Transistor canal-p
MOS de Enriquecimiento
Caractersticas
Las ecuaciones de la intensidad de drenador en un transistor nMOS

de enriquecimiento son
Intensidad Drenador
Para
ID = 0
ID
VGS<VT0
VDS
= n (VGS VT0 )VDS
ID =
n
(VGS VT 0 )2
2
donde
W
n = n Cox n ; k'n = n Cox
Ln
C ox =
Si ,ox
VGS>VT0
VDS<VDS,Sat
VGS>VT0
VDS>VDS,Sat
VDS,Sat = VGS VT0

VT 0 = VFB + B + B
(farad / m 2 )
t ox
r
vn
n = r ( m 2 / v.s )
1
2q s N A
Cox
Q'
VFB = MS o
Cox
=
Esto da lugar a las curvas caractersticas del MOS

Transistores MOS
Modelo de Comportamiento Dinmico
La caracterstica de entrada se representa por una fuente de intensidad controlada por

tensin que tenga en cuenta el efecto de la ganancia propia del transistor MOS
En la zona de saturacin, en un primer anlisis, hay una impedancia de salida infinita,

no obstante tomando en consideracin el efecto de la longitud efectiva del canal
aparece una resistencia equivalente de salida finita de valor ro = rds
iD =
i

2
r0 = D
= n (vGS VT 0 )
v DS vGS =Cte 2

n
(vGS VT 0 )2 (1 + v DS )
2
Amplificadores Discretos MOS

Polarizacin en DC
Existen distintas configuraciones para polarizar los amplificadores discretos

MOS, que se basan en utilizar los niveles de tensin adecuados.
VDD
RD
RG1
RG2
VDD
RD
RS
VDD
RG
RG
RS
RD
-VSS
Otros mtodos alternativos de polarizacin se basan en utilizar las intensidades que

necesitan los amplificadores MOS.
Estos mtodos, que son mas propios de la realizacin de amplificadores integrados,
los estudiamos mas detenidamente al final del tema
VDD
RG
RD
VDD
RD
RG
Ibias
-VSS

Ibias
-VSS

Polarizacin en DC/Caracterstica de Entrada
En la primera de las configuraciones de polarizacin basada en niveles de

tensin, hay tres incgnitas (VGS, VDS, ID )
VDD
RG1
RG2
ID
RD
+
VDS
+VGS
- -R
S
Necesitamos tres ecuaciones, para hallar el punto de polarizacin Q

n
2
Ecuacion del MOS saturado : I D = 2 (VGS VT )
R G 2 VDD
R SI D
Curva de polarizacin : VGS = VG R SI D =
+
R
R
G1
G2
Recta de carga : VDD = R D I D + VDS + VS = (R D + R S )I D + VDS
Resolvemos grficamente las dos primeras ecuaciones empleando la ecuacin del

MOS saturado o caracterstica de entrada y la curva de polarizacin
ID
VG
RS
VGSQ
Solucin :
I DQ
Q
IDQ
Pendiente=-1/RS
VT
VGSQ
VG
VGS
Sustituimos las variables conocidas en la tercera ecuacin, recta de carga del circuito
VDSQ = VDD (R D + R S )I DQ Solucin : VDSQ

Polarizacin en DC/Caracterstica de salida
Si decidimos emplear el mtodo de la resistencia de realimentacin drenador-puerta

VDD
IG=0
RD
RG
+
+
VGS
-
ID
VDS
De nuevo tenemos tres ecuaciones con tres incgnitas (VGS, VDS, ID ), sabiendo ahora
que el MOS est en zona de saturacin
n
=
Ecuacin
del
MOS
saturado
:
I
(VGS VT 0 ) 2
D
Curva de Polarizacin : VGS = VDS

Re cta de c arg a : V = R I + V
DD
D D
DS
Dibujamos la primera y tercera ecuacin, empleando las caractersticas de salida y

resolvemos para el lugar VGS = VDS
Lugar de
VGS=VDS- VT0
Lugar de
VGS=VDS
ID
Cond. Sat.
VDD
RD
VGS4
VGS3
Q
IDQ
VGS2
VGS1
VT0
VDSQ
VDD

VDS
VDSQ
Solucin : I DQ
VGSQ

Amplificador elemental (1)
Un amplificador de una etapa con una polarizacin sencilla permite explicar el

funcionamiento en alterna pequea seal de un amplificador elemental
De una forma grfica se ve el funcionamiento de la conversin de la tensin de
entrada vGS en la intensidad de drenador iD del amplificador
Si expresamos la recta de carga, o la ecuacin de salida del amplificador, para la

seal competa de continua mas alterna (DC+AC), obtenemos
VDD = i D R D + v DS
A) En continua
VDD = I D R D + VDS
B) En alterna
0 = i d R D + vds vds = i d R D
Amplificador MOS
Ganancia en tensin
Normalmente se calcula la ganancia en tensin empleando el circuito equivalente

en alterna para pequea seal del transistor MOS.
VDD
RD
iD
vin
VDS
+
-
VGS
El circuito equivalente es
D
+
vin
+
gmvgs
vgs
r0
RD
+
vo=vds
-
g ds = 1 r0
La tensin de salida es entonces

v o = g m vgs
v o = vds =
ro R D
ro + R D
g R
gmR D
vgs = m D vin
1 + g ds R D
1 + g ds R D
Y la ganancia en tensin
Av =
vo
g R
= m D
v in
1 + g ds R D

Amplificadores discretos MOS

Configuraciones bsicas
Las configuraciones bsicas de amplificadores de una sola etapa, son las que se
muestran a continuacin.
VDD
RD
+
vi
RG
RL
+
vo
-
-VSS
VDD
Fuente comn
RD
RG
-VSS
VDD
Puerta comn
RD
+
vi
-
RG
RL
+
vo
-
-VSS
Drenador comn
RL
+
vi
-
+
vo
-
Amplificador en fuente comn
La configuracin de amplificador en fuente comn se obtiene conectando la fuente a

travs de un condensador a tierra, la seal de entrada se conecta a la puerta a travs de
otro condensador, y la resistencia de carga al drenador a travs de un condensador
tambin.
Estos condensadores se colocan para aislar las seales de la polarizacin de continua.
VDD
RD
+
-
RG
+
RL vo
- VSS
Zin
Zout
Sustituyendo al transistor MOSFET por su modelo de circuito equivalente en pequea

seal, y teniendo en cuenta que los condensadores a frecuencias medias se comportan
como cortocircuitos.
G
+
-
RG
D
+
vgs
-
+
ro
gmvgs
S
Zin
Analizando el circuito vemos que:

Z in = RG
Z out = RD//r o
Av vo = - gm RL//RD//r o
vi
Departamento de TecnologaElectrnica,
Ingeniera de Sistemas y Automtica
RD
R L vo
Zout
Amplificador en puerta comn
La configuracin de amplificador en puerta comn se obtiene conectando la puerta a

travs de un condensador a tierra, la seal de entrada se conecta a la fuente a travs de
otro condensador, y la resistencia de carga al drenador a travs de un condensador
tambin.
V
DD
RD
RG
+
RL v
o
v
- VSS
Zin
+
Zout

seal, y teniendo en cuenta que los condensadores a frecuencias medias se comportan
como cortocircuitos.
G
RG
D
+
vgs
-
+
ro
gmvgs
RD
Zout
v
R L vo
+
-
Zin

Zin 1
gm
Z out = RD//r o
Av vo gm RL//RD
vi
Amplificador en drenador comn o Seguidor fuente
La configuracin de amplificador en drenador comn se obtiene conectando el

drenador a travs de un condensador a tierra, la seal de entrada se conecta a la puerta
a travs de otro condensador, y la resistencia de carga a la fuente a travs de un
condensador tambin.
VDD
RD
+
-
RG
+
R L vo
- V SS
Zin
Zout

seal.
G
+
-
RG
Zin
D
+
vgs
-
gmvgs
S
RD
ro
+
R L vo
Zout

Zin= RG
Zout = 1 //r o 1
gm
gm
RL//gd
Av vo =
vi R //r + 1
L o
gm
Amplificadores MOS Integrados

Cargas NMOS
Existen dos tecnologias de circuitos integrados MOS: NMOS y CMOS.
La tecnologa NMOS se refiere a circuitos integrados MOS formados unicamente por MOS
canal-n, mientras que la tecnologa CMOS se basa en utilizar dispositivos MOS de canal-n
y canal-p. Ambas tecnologas y sobre todo la tecnologa CMOS se utiliza en el diseo de
circuitos VLSI (Very Large Scale Integration).
En tecnologa NMOS se utilizan dos tipos de elementos de carga:
a) el MOS de enriquecimiento con el drenador conectado a la puerta
i
+
v
-
Vt
Notar que el MOS opera siempre en zona de saturacin, por lo que:
2
2
i = (VGS - Vt ) =
(v - Vt )
b) el MOS de empobrecimiento con la puerta conectada a la fuente.

i
- Vt
( VGS - Vt ) 2 =
( Vt ) 2
Zona Saturacin
2
2
2
2
[2(VGS Vt )VDS VDS] = (-2Vt v v ) Zona de conduccin
i =
2
2
i =

Amplificadores NMOS
carga de enriquecimiento
VDD
vo
M1 Sat
VDD - VT2
M1 OFF
M1 Cond.
iD1 = iD2
+
+
vin
vo
VOL
VT1
VIH
vin
Este circuito representa la forma mas simple de implementar un amplificador y un inversor

lgico en tecnologa nMOS.
En la curva de transferencia se observan tres regiones bien definidas
En la regin I con Vin<VT1, entonces M1 est OFF. Sin embargo M2 est en zona de
saturacin por lo que la tensin de salida es Vout=VDD-VT2
En la regin II, a medida que vamos aumentando la tensin de entrada llega un momento
en que Vin>VT1 y que VDS1>VGS1-VT1 por lo que M1 est en zona de saturacin. Esta
regin es muy util para la zona de amplificacin.
Finalmente en la regin III llega un momento en que VDS1<VGS1-VT1 por lo que
entramos en la zona de conduccin.
Vamos a calcular la relacin Vo/Vin para la zona II
Vamos a suponer que los dos dispositvos M1 y M2 tienen la misma tensin umbral
VT1=VT2, pero distinta .
1
=
(VGS1 Vt )2
i
D1
Con M1 sat tenemos

2
i D = 1 (Vin - Vt ) 2
Como iD1=iD2=iD y VGS1=Vin, tenemos

Amplificadores NMOS
carga de enriquecimiento(cont.)
M2 est siempre en zona sat por lo que
i D = 2 (V GS2 - Vt ) 2
2
como V GS2 = VDD - Vo
entonces i D =
2
2
(V DD - Vo - Vt ) 2
Por lo tanto la relacin entre la tensin de salida y la tensin de entrada para

la zona II es:
1
1
VT ) V
Vo = (VDD - VT +
2
2 in
Vamos ahora a estudiar el analisis de pequea seal de este circuito amplificador,
asumiendo que el circuito est polarizado de forma que opera en la regin II
de la curva de transferencia
+
vgs1
+
vin
gm1 vgs1
r01
vgs2
+
gm2 vgs2 r02
vo
-
vo = - gm1 vgs1 [(1/gm2) || r01 || r02]

Sustituyendo VGS1=Vin, calculamos la ganancia en tensin
Av =
vo
-g m1
-g m1
=
v in
g m2 + 1/r01 + 1/r 02
g m2
Zi =
1
Z o =
g m2
1
// rds1 // rds 2
g m2

Si r01 y r02>>1/gm2
Amplificadores NMOS
carga de empobrecimiento
VDD
M2
iD1 = iD2
+
+
vin
M1
vo
VDD
VDD - |VtD|
II
III
IV
vo
-
VOL
VT1
VIH
vin
En esta curva de transferencia observamos cuatro regiones bien definidas

Zona I: Vin<VT1, entonces M1OFF y M2 est en la zona de conduccin por lo
que V0=VDD.
Zona II: Si Vin>VT1 entonces M1 entra en zona de saturacin y M2 permanece
en la zona de conduccin hasta que Vo pasa por debajo de V - |V |
DD
tD
En ese punto el amplificador entra en la zona III de la curva de transferencia

donde ambos MOS estan en zona de saturacin. Esta regin es la mas interesante
desde el punto de vista de amplificacin.
Finalmente llega un momento en que M1 entra en zona de conduccin y M2
sigue en zona de saturacin. Esta es la zona IV de operacin.
Amplificadores NMOS
carga de empobrecimiento(cont.)
Vamos a estudiar el anlisis de pequea seal de este circuito amplificador ,
asumiendo que el circuito est polarizado de forma que opera en la regin III de
la curva de transferencia.
Tener en cuenta que vgs2=0 y que vgs1=vin
+
+
vin
vgs1
gm1 vgs1
r01
r02
Av =
vo
-
vo
= - g m1 [r 01 || r02 ]
v in
Zi =
Z o = rds1 // rds 2 =
rds1 rds 2
rds1 + rds 2

Etapa Cascodo
VDD
Q3
Q2
VGG
+
vo
En esta etapa Q2 aisla los nudos de entrada y

de salida.
Para hacer el anlisis en pequea seal vamos
a despreciar los valores de las resistencias
de salida de cada dispositivo MOS
+
Q1
vin
gm2 v1
v1
+
vin
vgs1
gm1 vgs1
r01
gm3 vgs3 r03
vo
-
g m1 v in = - g m2 v1 = - g m3 v out
g
v1 - m1 v in
g m2
vout
r02
g m2
g
v1 m1 v in
g m3
gm 3

Espejo de Corriente
Fundamentos
El circuito bsico espejo de intensidad MOS es el que se muestra en la figura
Iref
I0
Q2
Q1
+
VGS
-
+
vDS
-VSS
Este circuito tiene dos transistores Q1 y Q2 que tienen igual tensin umbral, pero a menudo
distinta relacin entre su anchura y longitud de canal.
I ref =
n1
(VGS VT ) 2
2
Como Q2 est conectado en paralelo con Q1 y tiene la misma VGS entonces

I0 =
n 2
( VGS VT ) 2
2
Combinando las ecuaciones anteriores tenemos

I0 = I ref
n 2
n1
O lo que es lo mismo
I 0 = I ref
W

WL
L 2
= I ref 2 1
W1L 2
W

L 1

Espejo de Corriente
Impedancia de Salida
Un parmetro importante en el circuito de espejo de intensidad es su impedancia

de salida que determina la calidad del mismo.
Io
Iref
Q2
Q1
+
-
Vo
vDS2
-
VGS
-VSS
El circuito equivalente para pequea seal es

io
+
+
gds1
gm1
vD1
gm2vD1
Z out =
vo
gds2
-
vo
io
=
v D1 = 0
1
g ds 2
= rds2
VD1=0
Existen tcnicas para mejorar este parmetro y entre ellas cabe destacar los
espejos de intensidad cascodo o Willson
IOut
IOut
Iref
+
Iref
M3
M4
M3
VOut
VOut
M1
+
+
VGS2 V
GS1
-
M2
M1
M2
-
-VSS

+ +
V
- GS1 VGS2 -VSS
Amplificadores Integrados MOS

Configuraciones bsicas
Las configuraciones bsicas de amplificadores integrados de una sola etapa, son las que
se muestran a continuacin.
VDD
VSG +
-
Q3
+
vo
Q1
Iref
Q2
vi
-
-VSS
Fuente comn
VDD
Q2
Q3
Iref
VBIAS
-VSS
Q1
vi
Q3
+
vi
-
Puerta comn
VDD
Iref
Q1
Q2
-VSS
+
vo
-
Drenador comn
+
vo
-
Amplificador CMOS
Fuente Comn en DC
Antes de ver el comportamiento en pequea seal de este amplificador interesa

conocer su caracterstica de transferencia entrada-salida en DC
VDD
VSG +
+
Q2 v
i -
Q3
Q1
Iref
Q2
conducc.
Iref
vo
Pendiente=1/ro2
vi
-
1 v.
-VSS
iD
Q2 en
saturacin
VSG-|VTp|
Q1 en
saturacin
Q1
cond.
vGS1=VIB
Iref
vGS1=VIA
VSG
La curva de polarizacin es
i = i D1
v DS1 = VDD v
VOB
VDDVSG
VDD
vDS1
VDD (VSG-|VTp|)
vo
VDD
II
VDD-(VSG-|VTp|)
Zona I: Q1 OFF
Zona II: Q1 saturado, Q2 conduce
Zona III: Q1 saturado, Q2 saturado
Zona IV: Q1 conduce, Q2 saturado
III
VOB
B
VTn
IV
vi
La zona III es la de mximo inters, ya que la curva de transferencia es casi lineal

Amplificador CMOS
Fuente Comn en AC
Analizamos el comportamiento para las variaciones de pequeas seal suponiendo

el circuito polarizado en la zona III
VDD
VSG +
+
Q2 v
i -
Q3
Q1
+
vi
-
Iref
vo
-VSS
D1,D2
+
vi
-
+
vgs1
gm1vgs1
-
rds1
rds2
vo
-
La ganancia en tensin es
A v = g m1 (rds1 // rds 2 ) = g m1
rds1rds 2
rds1 + rds 2
Las impedancias de entrada y salida son respectivamente

Zi =
Zo = rds1 // rds 2 =
rds1rds 2
rds1 + rds 2

Amplificador CMOS
Puerta Comn en AC
Analizamos el comportamiento de este amplificador para las variaciones de
pequeas seal
VDD
Q2
Q3
Iref
VBIAS
+
vo
Q1
vi
-
-VSS
El circuito equivalente para pequea seal es

+ gm1vgs1
vgs1
vi
ii
S1
+
vo
rds1
rds2
S1
rds1
D1,D2
G1
+
vi
vgs1
-
D1,D2
+
gm1vi
rds2
vo
-
Ri
Ri
g m1vi +
1
vi v o v o
1
1
vi = v o
=
g m1 +
+
rds1
rds 2
r
r
r
ds1
ds1 ds 2
vo
1 rds1rds 2 g m1rds1rds 2
= g m1 +
vi
rds1 rds1 + rds 2 rds1 + rds 2
Las impedancias de entrada y salida son
v
vi
1
=
=
Ri = i =
ii g v + vi v o g + 1 g m1rds 2
m1 i
m1
rds1
rds1 rds1 + rds 2
rds1 (rds1 + rds 2 )
=
(1 + g m1rds1 )(rds1 + rds 2 ) g m1rds 2
vo
rds1rds 2
Ro =
=
i o v =0 rds1 + rds 2
Av =

Amplificador CMOS
Drenador Comn en AC
Al igual que el circuito de seguidor por emisor el seguidor de fuente es un circuito

que se emplea como buffer para adaptar la impedancia, ya que su ganancia es
menor que la unidad
VDD
Iref
Q1
vi
Q3
Q2
-VSS
ii
D1
G1
+ gm1vgs1
vi
+
-
vgs1
S1
rds2
+
rds1
+
vo
-
vi
-
+ vgs1 G1
S1 +
vo
rds2
-
+
vo
-
gm1vgs1
D1
r r
v o = g m1 ds1 ds 2 v gs1 = g m1R S v gs1
rds1 + rds 2
v i = v gs1 + v o = v gs1 + g m1R S v gs1
vo
g m1R S
=
v i 1 + g m1R S
Las impedancias de entrada y salida son respectivamente
Av =
Ri =
R o = (1 g m1 ) // rds1 // rds 2 =
rds1
rds1rds 2
rds1 + rds 2 + g m1rds1rds 2

RS =
rds1rds 2
rds1 + rds 2

Transistores MOS

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Transistores MOS

La estructura bsica del transistor MOS de canal-n, se realiza sobre

El transistor MOS de enriquecimiento necesita una tensin

Si en el transistor MOS existe un canal entre fuente y

Las ecuaciones de la intensidad de drenador en un transistor nMOS

VDS,Sat = VGS VT0

Esto da lugar a las curvas caractersticas del MOS

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

La caracterstica de entrada se representa por una fuente de intensidad controlada por

En la zona de saturacin, en un primer anlisis, hay una impedancia de salida infinita,

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

Amplificadores Discretos MOS

Existen distintas configuraciones para polarizar los amplificadores discretos

Otros mtodos alternativos de polarizacin se basan en utilizar las intensidades que

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

Amplificadores Discretos MOS

En la primera de las configuraciones de polarizacin basada en niveles de

Necesitamos tres ecuaciones, para hallar el punto de polarizacin Q

Recta de carga : VDD = R D I D + VDS + VS = (R D + R S )I D + VDS

Resolvemos grficamente las dos primeras ecuaciones empleando la ecuacin del

Amplificadores Discretos MOS

Si decidimos emplear el mtodo de la resistencia de realimentacin drenador-puerta

Curva de Polarizacin : VGS = VDS

Dibujamos la primera y tercera ecuacin, empleando las caractersticas de salida y

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

Amplificadores Discretos MOS

Un amplificador de una etapa con una polarizacin sencilla permite explicar el

Si expresamos la recta de carga, o la ecuacin de salida del amplificador, para la

Normalmente se calcula la ganancia en tensin empleando el circuito equivalente

La tensin de salida es entonces

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

Amplificadores discretos MOS

Amplificador en fuente comn

La configuracin de amplificador en fuente comn se obtiene conectando la fuente a

Sustituyendo al transistor MOSFET por su modelo de circuito equivalente en pequea

Analizando el circuito vemos que:

Amplificador en puerta comn

La configuracin de amplificador en puerta comn se obtiene conectando la puerta a

Sustituyendo al transistor MOSFET por su modelo de circuito equivalente en pequea

Analizando el circuito vemos que:

Amplificador en drenador comn o Seguidor fuente

La configuracin de amplificador en drenador comn se obtiene conectando el

Sustituyendo al transistor MOSFET por su modelo de circuito equivalente en pequea

Analizando el circuito vemos que:

Amplificadores MOS Integrados

Notar que el MOS opera siempre en zona de saturacin, por lo que:

b) el MOS de empobrecimiento con la puerta conectada a la fuente.

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

Este circuito representa la forma mas simple de implementar un amplificador y un inversor

Con M1 sat tenemos

Como iD1=iD2=iD y VGS1=Vin, tenemos

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

Por lo tanto la relacin entre la tensin de salida y la tensin de entrada para

vo = - gm1 vgs1 [(1/gm2) || r01 || r02]

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

En esta curva de transferencia observamos cuatro regiones bien definidas

En ese punto el amplificador entra en la zona III de la curva de transferencia

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

En esta etapa Q2 aisla los nudos de entrada y

gm3 vgs3 r03

Grupo de Ingeniera Microelectrnica

El circuito bsico espejo de intensidad MOS es el que se muestra en la figura

Como Q2 est conectado en paralelo con Q1 y tiene la misma VGS entonces