Transistores de efecto de campo MOSFET y MESFET

INTRODUCCION
En la clasificacin de los fet , tenemos jfet mosfet y mesfet , y de esta divisin por parte del mosfet
tenemos una subdivisin extra que es de tipo empogbrecimiento yt de tipo enriquecimiento a parte
de ya tener la divisin por tipo n y tipo p , se vera que estos nombres enriquecimiento y
empobrecimiento provienen de sus caracterisitacs, funcionamiento y su principio bsico de
operacin con lo que refiere a aplicaciones ya veremos a continuacin cuales han sido
encontradas .

MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
Al analizar los MOSFET de tipo empobrecimiento veremos que sus caractersticas son parecidas
a las de los JFET , como en las condiciones de corte y saturacin con IDss y tambin
adicionalmente que tienen las caracterisiticas que se extieneden hasta la regin de polaridad
opuesta de VGS.
El MOSFET de empobrecimiento esta conduciendo normalmente cuando VGS es nula.
Tiene curvas de salida y circuitos semejantes al FET. La nica diferencia es que puede funcionar
con tensiones de puerta tanto positivas como negativas

Existen 2 tipos de transistores mosfet empobrecimeinto
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P




CONSTRUCCION BASICA DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO CANAL N
La construccin bsica de un MOSFET de empobrecimineto canal n , consta de una placa base
donde se construye el dispostivo que es de tipo p a partir de una base de silicio conocida como
sustrato.
Se pueden encontrar dispositivos de 4 terminales o simplemente de 3 terminales ya que los
dispositivos de 3 terminales vienen en su parte interna conectada la parte del sustrato a la fuente.
La fuente y el drenaje estan conectados mediante contactos metalicos a metales tipo n dopadas
vinculadas a un canal n , la compuerta tambin se encuentra conectada a una placa metalica solo
que se meantiene aislada del canal n por un recubrimiento de bixido de silicio que es un material
Dielctrico , es decir que mientras este aislante este presente no habr conexin elctrica entre el
terminal de la compuerta y el canal de un MOSFET


CONSTRUCCION BASICA DE UN MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO CANAL P
La construccin de un MOSFET empobrecimiento tipo p es exactamente opuesta a la de un tipo n , las
terminales no cambian, pero las polaridades de voltaje y las direcciones de corriente se invierten, es decir
para las caractersticas de drenaje serian iguales a la de tipo n solo que ahora VDS ser negativo e ID
positivo y la direccin definida esta invertida, adems que VGS tambin estar con las polaridades opuestas
, es decir la corriente de drenaje se incrementara desde el valor de corte con VGS = Vp en la regin positiva
de VGS hasta IDss luego continuara incrementndose con los valores negativos crecientes de VGS . La
ecuacin de Shockley sigue siendo aplicable y solo requiere que se coloque el signo correcto tanto para VGS
como para Vp en la ecuacin.


MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
A diferencia de un JFET , en el MOSFET de enriquecimiento inicialmente no existe canal , por lo cual debe
ser inducido mediante un campo elctrico originado por la tensin VGS aplicada.
Los MOSFET tipo enriquecimiento poseen caractersticas muy diferentes a las vistas hasta ahora por los
otros tipos de MOSFET, la curva de transferencia no esta definida por la ecuacin de Shockley y la ID ahora
es la de corte hasta que el VGS alcance una magnitud especifica entonces ahora a comparacin con los
otros FETS vistos antes, el control de la corriente en un canal n ser mediante VGS positivo.
Existen 2 tipos de transistores MOSFET de enriquecimiento :
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P



CONSTRUCCION BASICA DE UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N
La construccin de un mosfet