TRANSISTOR

MOSFET
 QU ES ?

Su nombre significa Metal -Oxido -Semiconductor - FET

Es un dispositivo de cuatro terminales: el drenador (D) la puerta (G) el surtidor o
fuente (S) y el sustrato (B); utilizado para amplificar o
conmutarsealeselectrnicas.
Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos
analgicos o digitales. Prcticamente la totalidad de
losmicroprocesadorescomerciales estn basados en transistores MOSFET.
 ESTRUCTURA MOS
La estructura MOS se compone de dos terminales y tres capas: Un SUBSTRATO de silicio, puro o poco
dopado p o n, sobre esta se coloca una capa de METAL (Aluminio o poli silicio), que posee
caractersticas conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto hmico, como se muestra a
continuacin.

La estructura MOS acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B son las
placas y el xido el aislante. De este modo:
La figura muestra la estructura de dos transistores MOS, tipo N y P respectivamente.
As, para un transistor tipo N (electrones en conduccin) el dopaje del sustrato es tipo P.
Mientras que en el transistor tipo P (huecos en conduccin) el dopaje es tipo N.
 MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO
El MOSFET tipo empobrecimiento, es el que se estudiar, ya que sus caractersticas
son parecidas a las de un JFET entre las condiciones de corte y saturacin con IDSS y
tambin adicionalmente tiene las caractersticas que se extienden hasta la regin de
polaridad
opuesta de VGS.
 MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO
TIPO N
CONSTRUCCIN BSICA
 La resistencia de entrada de un MOSFET es ms que la de un JFET
tpico, aun cuando la impedancia de entrada de la mayora de los JFET
es suficientemente alta en la mayora de las aplicaciones.
Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de
compuerta IG es en esencia de 0 A para configuraciones polarizadas de
cd.
La capa aislante entre la compuerta y el canal dio origen a otro
nombre para el dispositivo FET: compuerta aislada, o IGFET, aunque
esta designacin cada vez se utiliza menos en la literatura.
OPERACIN Y CARACTERSTICAS BSICAS
CURVAS DE DRENAJE Y
TRANSFERENCIA
 A menudo se le conoce como regin de enriquecimiento, y a la regin entre
los niveles de corte y saturacin de IDSS como regin de empobrecimiento.
Es particularmente interesante y conveniente que la ecuacin de Shockley
contine siendo aplicable en el caso de las caractersticas de los MOSFET tipo
empobrecimiento tanto en la regin de empobrecimiento como en la de
enriquecimiento. Para ambas regiones, slo se requiere incluir el signo
apropiado con VGS en la ecuacin y que el signo se monitoree con cuidado
en las operaciones matemticas.
 MOSFET TIPO
EMPOBRECIMIENTO DE CANAL P
 El sustrato es de tipo n y el canal de tipo p
Las terminales no cambian, pero las polaridades del voltaje y las direcciones
de corrientes se invierten.
 Las polaridades de VGS tienen las polaridades opuestas como se muestra en
la figura
 La corriente de drenaje se incrementara desde el valor de corte VGS=Vp en la
region positiva de VGS hasta IDSS.
Continuara incrementndose con los valores negativos crecientes de VGS
 EJERCICIO

Trace las caractersticas para un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con

IDSS = 10 mA y Vp = 4 V.
 APLICACIONES DEL MOSFET

Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensin,
baja potencia como:
fuentes de alimentacin conmutadas
motores sin escobillas
robtica
CNC y electrodomsticos
Mezcladores de frecuencia