TIPOS DE MOSFET

SEGÚN EL TIPO DE PORTADORES DEL CANAL:

* CANAL-N

Para activar un MOSFET de canal P en adelante, se aplica una tensión negativa a la

compuerta. Este voltaje es negativo con respecto a tierra.
En un circuito, se conecta el terminal del canal surtidor del MOSFET P a una fuente de
tensión positiva y el drenador a una resistencia conectada a tierra, además la
resistencia limitará la corriente que fluye a través del transistor. El diagrama del circuito
para un MOSFET de canal P tiene una flecha apuntando hacia la parte exterior de la
compuerta.

* CANAL-P

Un MOSFET de canal N se enciende cuando aplicas un voltaje positivo en el terminal

de la compuerta.
El voltaje será mayor que el suministro de tensión positivo en el terminal drenador,
mientras que la resistencia entre el extremo positivo y el drenador limitará la corriente.
Para este tipo de MOSFET, el terminal surtidor deberá conectarse a tierra y el símbolo
esquemático para el mismo tendrá una flecha apuntando hacia la compuerta del
dispositivo.
SEGÚN EL MODO DE FORMACIÓN DEL CANAL

* ACUMULACIÓN O ENRIQUECIMIENTO

Como podemos ver en la Figura en la que aparece representada la estructura básica para un
MOSFET de canal n, partimos de una zona de material semiconductor tipo p en la que
aparecen dos zonas tipo n+ con contactos metálicos a los terminales de drenador y fuente. La
zona roja representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso óxido de
silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona
metálica (correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y una zona de
semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de dónde le viene el nombre al
dispositivo de Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este dispositivo tendría un
cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente éste se encuentra
conectado a la fuente.

Es preciso que notemos una característica fundamental de este dispositivo y es que la puerta
está aislada eléctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexión eléctrica entre la puerta y
el sustrato.

Estructura básica del mosfet de acumulación canal N

* DEPLEXIÓN O EMPOBRECIMIENTO

la estructura básica para un MOSFET de deplexión es similar al caso del de acumulación, con la
importante diferencia de que en este caso disponemos de un canal inicial realizado en el
proceso de fabricación del dispositivo.
 Estructura básica del mosfet de deplexión canal N

SEGÚN LAS DIVERSAS GEOMETRÍAS USADAS EN LA IMPLEMENTACIÓN:

* VDMOS

* V-GROOVE ó TRENCH
* LATERAL POWER MOS

https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf

http://www3.fi.mdp.edu.ar/pep/apuntes/mosfet_2.pdf