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Portadores en exceso fuera de equilibrio en el semiconductor. Seccin 6.1.

Generacin y Recombinacin de portadores:

a)

b)

Una vez que ya sabemos cuales la energa de cada fotn que produce un par electrn hueco, si la potencia que incide es 1w=1J/s, esto nos indica que cada segundo, llega energa equivalente a un Joule, entonces tenemos 3.17x1018fotones/s; como cada fotn genera un par electrn hueco, si Volumen=(1)(0.1)=0.1cm3 entonces g=3.17x1018/0.1; g=3.17x1019pares e-h/cm3s. b) Sabemos que ( )

6.5.- Derivar la ecu. 6.27 de las ecuaciones 6.18 y 6.20. ( ( ) )

El flujo de huecos lo obtenernos al dividir la densidad de corriente de huecos por la carga

Asumiendo que la movilidad de los huecos es invariante en el espacio y derivando respecto a x la ecuacin anterior: Sustituyendo en la ecuacin 6.18

Desarrollando la derivada del producto pE ( )

6.3.-

Una muestra de silicio contiene una concentracin de donadores de Nd=

. El

tiempo de portadores minoritarios es de . (a) Cual es tiempo de vida de los portadores mayoritarios? (b) determinar la razn de generacin de electrones y huecos en este material. (c) Determine la razn de recombinacin en equilibrio trmico de electrones y huecos en este material? Sol. Tenemos que y

Como se trata de un semiconductor tipo n, entonces Si adems suponemos que hay bajo nivel de inyeccin ( ( ) los huecos minoritarios ocurre con un tiempo constante

) entonces el decaimiento de ( )

Por lo cual la constante de proporcionalidad es; Si ahora suponemos que el semiconductor esta a temperatura ambiente (T=300K) sabemos que , y entonces a) el tiempo de vida de los portadores mayoritarios ser:

b) y c) en el equilibrio, la velocidad de generacin de electrones y huecos es igual a la velocidad de recombinacin de los electrones y de los huecos:

Seccin 6.2. Anlisis matemtico de exceso de portadores.

6.6.-

Considere un flujo de huecos unidimensional como se muestra en la figura 6.4. Si la razn de generacin de huecos en este diferencial de volumen es y razn de recombinacin es , cual debera ser el gradiente en la densidad de corriente de partculas, para mantener la concentracin en estado estacionario.

Solucin: Tenemos que de la ecuacin 6.18 conocida como la ecuacin de continuidad para huecos. ( ) entonces

En donde el flujo esta dado en #e/cm2-s. Para el caso estacionario sabemos que tenemos:

Si

Seccin 6.3. Transporte Ambipolar.


6.19. En x=0 de una barra semi-infinita de silicio con una concentracin Na= (x0) es mantenida a T=300 K es atacada con un digestor de portadores minoritarios el cual hace en x=0 ( es la concentracin de portadores minoritarios en un semiconductor tipo p). El campo elctrico es cero. A) determine los valores de en equilibrio trmico. Cul es la concentracin en exceso de portadores minoritarios en x=0?. Derive la expresin para el exceso de portadores minoritarios en estado estacionario como una funcin de x. a) Se trata de silicio.
( )

b) Entonces c)

de las condiciones iniciales

x=0

Derive la expresin para el exceso de portadores minoritarios concentracin de portadores como una funcin de x.

)
( )

Como E=0 se elimina el segundo trmino, como es en estado estacionario

, y no

hay generacin de portadores dado que no hay condicin para que lo hagan, entonces la ecuacin nos queda de la forma.
( ) (

a esta ecuacin la podemos dividir entre el coeficiente de difusin


)

Dn y nos queda:

de aqu tenemos que

que est

definido como la longitud de difusin de portadores minoritarios electrones. Entonces nos queda como
( )

De tablas encontramos la solucin de la siguiente manera La solucin de la ecuacin general es de la forma:


Sustituyendo nos queda

( )

Podemos evaluar condiciones de frontera Para sustituimos en la ecuacin y observamos que el primer termino se ( ) y para que esto suceda

vuelve despreciable y solo queda Para

sustituimos en la ecuacin y observamos que el segundo termino ( ) y para que esto suceda

se vuelve despreciable y solo queda Para ( )

6.24.-Suponga que un semiconductor tipo p esta en equilibrio trmico para t<0 y tiene un tiempo
de vida de portadores minoritario infinito. Tambin asuma que el semiconductor es iluminado uniformemente, resultando una razn de generacin, ( ), que esta dado por: () () Donde es una cte. Encuentre el exceso de portadores minoritarios en funcin del tiempo.

Solucin. El exceso de portadores tanto de huecos como electrones no se mueve independientemente uno de otro, pero se difunden y arrastran con el mismo coeficiente de difusin y movilidad este fenmeno se llama transporte ambipolar. Al ser un material tipo p los portadores minoritarios son electrones entonces de la ecuacin ambipolar de transporte para semiconductor tipo p ( ) ( ) ( ) (
(

)
) ( )

Como el semiconductor esta siendo iluminado uniformemente esto implica la condicin de la razn generacin uniforme y un semiconductor homogneo es decir as que la ecuacin 6.55 nos queda ( ) ademas

Entonces Para Entonces Si t=0 Entonces ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) as que tenemos que


( )

( )

en donde no hay recombinacin.

Tenemos que

)(

entonces

) (

; ahora, comparando con la relacin de Einstein, es claro que los resultados son consistentes con lo

esperado tericamente.

Seccin 6.4. Niveles de energa cuasi-Fermi .


6.29. Una muestra de silicio tipo n con Nd=1016 cm-3 es iluminada tal que g=1021 cm-3s1. Si . Calcule la pocin del cuasi nivel de fermi para los huecos y electrones con respecto al nivel intrnseco (asuma que ni=1.5X1010 cm-3). Grafique esos niveles en un diagrama de energa. En el equilibrio trmico la razn de generacin es igual a la razn de recombinacin.

Adems

)(

6.30.- Considere un semic. Tipo p a T=300K dopado con

(a) determinar la

posicin del nivel de fermi con respecto al nivel intrnseco. (b) el exceso de portadores son generados tal que la concentracin de portadores en exceso es 10% la concentracin la concentracin de portadores minoritarios en equilibrio trmico. Determine los cuasi niveles de fermi con respecto al nivel intrnseco (c) dibuje el nivel de Fermi y los cuasi niveles de fermi con respecto al nivel intrnseco. Solucin. (a)Tenemos un semic. Tipo p entonces ( ) ( )

(b) como la concentracin de portadores en exceso es 10% la concentracin la concentracin de portadores minoritarios en equilibrio trmico. ( )

Entonces ( ) ( ) ( )

a) Si, como sabemos

( )y

) ; entonces

)=

* *

( (

) )+

( )+; de las (0.01)kT; entonces

condiciones del problema * ( )+ (0.01) ; as que ; entonces concluir que hay baja inyeccin, ya que de baja inyeccin, que para este caso es b) Tenemos que ; entonces masas ; as tenemos ( = ) ; ( ; .

as que podemos as que se cumple la condicin

) y sabemos que

; . De la ley de accin de . Sustituyendo en la

primera ecuacin: = ( );

Seccin 6.5. Tiempo de vida de exceso de portadores.

( )

) ( )

Sustituimos n, p por ni y adems n=p=0


( )

multiplicamos arriba y abajo por

6.37.-Otra vez considere la ecuacin (6.99) y la definiciones de


y (6.104) si inyeccin tal que intrnseco (

dadas en la ecu. (6.103)

tambin . Suponemos baja ), (b) Calcule para un semiconductor que es (a) tipo n ( ), y (c) tipo p ( ).

Solucin. (a) tenemos que: ( ) ) ( ) ( )

Reduciendo trminos por las ecuaciones 6.103 y 6.104. nos queda. ( ( Si y (( ( Si )( ) ) ( entonces ) ) ) ( ( ) ) ( ( ) ) ) ) (

y si despreciamos( Entonces

Tambin si

( ( (a) Para un tipo n . )

) (

(b) Intrnseco (

entonces ) ( )

(c) Para un tipo p Entonces

Tenemos la ec. ambipolar

pero como E=0 y

analizaremos el caso en el que el semiconductor est en el estado estacionario, la ecuacin ambipolar se reduce a

La solucin de esta ec. es de la forma ( En t= tenemos que ) ( ) ( )

entonces B=0, as que

Sabemos que la velocidad de recombinacin en la superficie se relaciona con el gradiente de concentracin en la superficie, tal que
[ ( )]

) ; en x=0 tenemos

entonces

); as que

La concentracin en exceso es entonces [ ( )]

Como

) ( )* ( )+ )+ ( )];

* Entonces, sii) s=0 , iii) s=, ) ) ) ( )=0. [ ( ( )= ; ii) s=0, )] . ; ii) s=2000, [

( )=0.833x