Transistores FET y

MOSFET
Fsica de Semiconductores
Integrantes:

Carlos Alberto Bernal Lpez

Christian Jess Cano Gonzales

Angel Hernndez Contreras

Transistor de efecto de campo

(FET)
ElFETes

un dispositivo semiconductor que

controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo elctrico
perpendicular a la trayectoria de la corriente.

 Esta

formado por una barra de semiconductor N

o P que se llama el canal, tiene un cinturn o
estrechamiento del otro tipo de semiconductor,
los extremos del canal se unen a terminales
D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente),
el cinturn se une al terminal G (Gate,
compuerta).

Funcionamiento.
Al

aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una

corriente IDque depende de la resistencia del
canal, si se aplica un voltaje VGSnegativo (G = -,
S = +) el diodo formado por el cinturn y el
canal queda en inverso y no hay corriente de
compuerta (IG= 0) pero el voltaje negativo es G
repele las cargas negativas que pasan por el
canal que aparece como un aumento de
resistencia y la corriente IDdisminuye, haciendo
mayor o menor la magnitud de VGSharemos que
IDdisminuya o aumente, as se obtiene un
control de ID, siendo la variable de control del
voltaje VGS.

En

el FET la relacin entre IDy VGSest

dada por la ecuacin de Schotkley:
ID= IDSS(1 - (VGS/VP))

IDSSy VPson
constantes
caractersticas de
cada tipo o
referencia de
transistor, se
obtienen en las
hojas de
especificaciones
del fabricante.

MOSFET.

La estructura de un MOSFET (Metal Oxido Semiconductor

FET), consta de cuatro terminales:

Drenador (D), Fuente (S), Puerta (G) y Sustrato (B).

En los NMOS (MOSFET de canal N), el sustrato es un
semiconductor tipo p. Generalmente, el sustrato se
conecta a la fuente.

Curva Caracterstica
MOSFET

Circuitos amplificadores.