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ELECTRONICA ANALOGICA.

Practica 8 Circuito de polarizacin del FET .


Objetivo.
El alumno verifica el funcionamiento de un JFET y experimenta con circuitos de polarizacin del JFET
Introduccin.
En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de entrada
que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio).
Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal, los cuales proporcionan
corrientes insignificantes.
Los FETS, bsicamente son de dos tipos:
El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada, tambin conocido como semiconductor de
xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
El JFET est constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo
de silicio tipo P.
Los terminales del canal N son denominados FUENTE (SOURCE) y DRENAJE (DRAIN). El anillo
forma el tercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE).
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula
nicamente desde la fuente al Drenaje sin cruzar la juntura PN.

El control de esta corriente se efecta por medio de la aplicacin de un voltaje de polarizacin


inverso, aplicado entre la compuerta y la fuente (VGS), formando un campo elctrico el cual limita
el paso de la corriente a travs del canal N. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta,
aumenta el campo elctrico, y la corriente de la fuente al Drenaje disminuye.

Tambin se construyen JFETS tipo P y tipo N.


El voltaje aplicado entre el Drenaje y la fuente (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura
(tpicamente 50V) porque destruira el dispositivo.
Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta que
puede destruir el JFET si est no se limita con una resistencia en serie con la compuerta.
VALORES COMERCIALES PARA EL JFET
Voltaje VDS (V)
Potencia (W)

25,30,40,50
0.15,0.3,1.8,30

Se puede comprobar con un multmetro, conectando entre compuerta y fuente o compuerta y


drenaje este debe marcar como si fuera un diodo de silicio; es decir alta resistencia en un sentido y
baja en el inverso.
Entre Drenaje y fuente, el valor en ohms del material del canal. Su valor vara entre 2K y 10K, siendo
el mismo en ambos sentidos.
MATERIAL:
Dos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V.
Un JFET J310.
Un multmetro.
Un LED.
Resistencias a W: de 270 , 470, 33K, 4.7K, 100K, 1.8K, 2K, 1M.
Potencimetro de 10K.
DESARROLLO.
MEDICION DE IDSS Y VP
1.- Arma el siguiente circuito, coloca el multmetro entre el circuito y la fuente de voltaje, enciende
esta y observa tanto el multmetro como el LED, si no pasa corriente (LED apagado, verifica la
polaridad de conexin del LED).
Conectando el divisor de voltaje y el potencimetro a la compuerta (retrala previamente del nivel
de referencia), gira el potencimetro y observa la corriente, con el multmetro mide VGS en el
momento en que ID se hace cero.

V1
10V

XMM1

LED1
R1
Q1
V2
5V

10k
75 %
Key=A
J310

Registra tus resultados en la siguiente tabla:


VALOR MEDIDO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG
De acuerdo a los valores medidos, calcula, IDSS =______ y VP = ________
POLARIZACION FIJA
V2
10V
R1
2k
Q1
R2
1M

V1
0.7V

J310

Arme el siguiente circuito y mide ID y VGS; enciende las fuentes y anota los valores de ID y VGS as
como tambin VDS.
Registra los resultados que se te piden en la tabla, tanto tericos como prcticos:
VALOR MEDIDO

VALOR CALCULADO

VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG
AUTOPOLARIZACION
Arma el siguiente circuito. Conecta adecuadamente el multmetro para medir ID y VGS, enciende la
fuente y anota los valores de ID, VGS y dems valores que se te piden en la tabla.
V1
10V
R2
1.8k
Q1

J310
R1
1M

R3
270

Registra los resultados tanto tericos como prcticos en la siguiente tabla:


VALOR MEDIDO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG

VALOR CALCULADO

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION


Arma el siguiente circuito y mide ID as como los valores que se muestran en la tabla.
V1
10V

R4
100k

R1
270

Q1

J310
R3
33k

R2
1.5k

Registra los resultados tanto tericos como prcticos en la siguiente tabla:


VALOR MEDIDO
VDS
VGS
VGD
IS
ID
IG
Explica con tus palabras el funcionamiento de un JFET?
Qu diferencia y similitudes existen entre el JFET y el BJT?

VALOR CALCULADO