EL JFET

Junction Field-Effect Transistor

(transistor de efecto de campo)
CONCEPTOS BASICOS:
¿Qué es un FET?
Es un dispositivo controlado por voltaje en
comparación con un transistor BJT que es
controlado por corriente

¿Qué es un JFET?
Es un tipo de dispositivo electrónico de tres
terminales que puede ser usado como interruptor
electrónicamente controlado, amplificador o
resistencia controlada por voltaje.

En pocas palabras el JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el

paso de una cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea
principal.
Existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p
La diferencia entre estos dos son los sentidos de las corrientes y las tensiones.
FUNCIONAMIENTO
Lo que hace el JFET es controlar la cantidad de corriente que circula entre el drenaje y
la fuente, esa corriente se controla mediante la tensión que exista entre la compuerta y
la fuente.
CARACTERISTICAS FUNDAMENTALES
Excede por mucho los niveles de resistencia de un
BJT
No son tan sensibles ante los cambios de señal
con los BJT
Es más estable a la temperatura
Hay dos tipos: NPN y el PNP
Posee tres terminales, comúnmente llamados:
Drenaje (D)
Puerta o compuerta (G)
Fuente (S).

Tiene una gran impedancia de entrada con un nivel de 1 y hasta varios cientos de
Megaohms muchos más que un BJT.
A continuación, se muestra como están distribuidos los materiales semiconductores para el
canal n y el canal p, y sus conexiones:

POLARIZACION:
En la figura anterior se puede ver que para el JFET de canal n, al material
semiconductor tipo n se le han conectado en extremos opuestos el drenador(D) y la
fuente(S), mientras el material tipo p se conecta a la compuerta(G), se observa que
hay un paso o un canal entre el drenador y la fuente, formado por el semiconductor
tipo n de allí el nombre de canal n, el cual está rodeado por el material semiconductor
tipo p, entre la compuerta y la fuente se forma un diodo, en el transistor JFET lo que se
hace es polarizar en inversa este diodo, para el caso del JFET de canal n la tensión de
polarización de dicho diodo tiene que ser negativa y a lo mucho igual a cero, se la
representa como VGS (tensión compuerta fuente), lo que se logra al hacer esto es
que la región de agotamiento del diodo se puede controlar variando la tensión VGS,
cuando la VGS=0 la región de agotamiento del diodo será mínima y el canal n será lo
más ancho que pueda; si poco a poco la tensión VGS se hace negativa, esta hará que
la región de agotamiento del diodo crezca, ya que el diodo se polariza en inversa, esto
a su vez hace que el canal semiconductor se angoste, llegará un momento que la VGS
sea lo suficientemente negativa que hará que la región de agotamiento sea tan grande
como para que el canal semiconductor desaparezca o se cierre; a esa tensión se le
conoce como tensión compuerta fuente de apagado o de corte del JFET y se
representa como VGSoff.
Para polarizar un JFET de canal n, de la batería o fuente de alimentación VGG que se
use entre la compuerta y la fuente se conectará su polo negativo hacia la
compuerta(G) y hacia la fuente(S) su polo positivo; la batería o fuente de
alimentación VDD que se conecta entre el drenaje y la fuente, es la encargada de
suministrar la corriente que se controla con la VGS, VDD se conecta con su polo
positivo en el drenaje(D) y el negativo a la fuente(S); si el JFET es de canal p las
conexiones de las alimentaciones se invierten, tal como se ve en la imagen siguiente:

De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la compuerta y
la fuente en inversa, la corriente que se aparece a través de la compuerta IG es muy
pequeña, del orden de los nA, por eso se considera que IG=0, también es por este
motivo que se dice que el JFET tiene una alta impedancia de entrada, propiedad que
se aprovecha en los amplificadores basados en el JFET; la corriente que circula entre
el drenaje y la fuente se conoce como corriente de drenaje ID, el valor de esta
corriente depende del valor de la tensión VGS
Al hacer variar la VGS se logra que la región de agotamiento aumente o disminuya, lo
que hace que el canal por el que circula la corriente de drenaje ID disminuya o
aumente, al disminuir o aumentar el canal se controla la cantidad de ID que circula por
el JFET; esta es la forma que se controla la corriente por tensión con el
transistor JFET.
OBSERVACION:
Cuando VGS=0 la región de agotamiento será mínima, en este caso si la tensión entre
el drenaje y la fuente VDS se aumenta la corriente de drenaje ID aumentará también,
pero llegará un momento que la corriente ID deje de aumentar por más que se
aumente la VDS, en ese momento se dice que el JFET se ha saturado (en un JFET la
VDS tiene un límite que si se sobrepasa el JFET se dañará, ese valor máximo para
VDS se encuentra en su hoja de datos), a esa corriente ID que ya no aumenta más se
la conoce como corriente de drenaje fuente de saturación la cual se simboliza
como IDSS, es un dato muy importante característico de los JFET que se encontrará
en su hoja de datos; cuando la VGS=VGSoff la corriente ID=0, como se puede ver la
ID variará desde un mínimo de 0A hasta un máximo de IDSS y todo esto controlado
por la VGS.
REPRESENTACION SIMBOLICA DEL JFET

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN

APLICACIONES: