Ejercicios resueltos de tecnologa electronica.

Tema 3. Transistor bipolar.

29 de abril de 2008
Feb-96. En el circuito de la gura, determinar:
a) Punto de funcionamiento del BJT y valor de V
o
, con el interruptor S en la po-
sicion 1, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suciente para alcanzar las
condiciones nales.
b) Punto de funcionamiento del BJT y valor de V
o
, con el interruptor S en la
posicion 2, si ha permanecido en dicha posicion tiempo suciente para alcanzar las
condiciones nales.
c) Valor de V
o
para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor
S pasa de la posicion 1 a la 2 despues de permanecer elevado tiempo en la 1.
2 1
V
o
R
E
= 1K
V
CC
= +15V
D
Z
C = 1F
R
B
= 2K
D
Z

V
Z
= 4,7V
I
Z min
= 1mA
R
Z
= 0
BJT

= 0,5V
V
BE
= V
BE SAT
= 0,7V
V
CESAT
= 0V
= 200
Solucion:
a) Pto. funcionam
o
con S = 1 y V
o
(Reg. permanente)
QueGrande.org 1 QueGrande.org
V
o
R
E
= 1K
V
CC
= +15V
D
Z
R
B
= 2K
0,7V
V
o
= V
cc
= 15V
I
RB
=
15 4,7
2
= 5,15mA
V
E
= V
B
V
BE
= 4,7 0,7 = 4V
I
E
=
4V
1k
= 4mA
V
CE
= 14 4 = 11V
I
C
I
E

I
B
=
I
C

I
RB
>> I
B
I
RB
I
Z
> 1mA
b) Pto. funcionamiento y V
o
con S = 2 (Reg. est. perm.)
V
o
R
E
= 1K
V
CC
= +15V
R
B
= 2K
0,7V
I
E
I
B
0,7
I
C
= 0; BJT = sat V
CE
= V
CE SAT
= 0V
I
E
= I
B
=
4,7 0,7
1
= 4mA
I
RB
=
15 4,7
2
= 5,15mA
I
Z
= I
RB
I
B
= 5,15 4 = 1,15mA > I
Z min
c) V
o
para t =

1ms
10seg.
, si en t = 0 S pasa de 1 a 2 (reg, est. en 1)
QueGrande.org 2 QueGrande.org
V
o
|
t=10s
= . . . = 4V
V
o
= V
E
+ V
CE
= 4V
Sep-93. En el circuito de la gura y suponiendo T
1
y T
2
transistores de silicio con
1
= 50
y
2
= 20, determinar:
a) Punto de funcionamiento (I
C
, V
CE
) de cada uno de los transistores para V
i
= 10V .
b) Valor mnimo de V
i
que satura a alguno de los transistores y punto de funciona-
miento en este caso de T
1
y T
2
.
V
i
R
1
= 20K
V
o
V
CC
= 30V
R
E
= 10K
R
C
= 10K
R
2
= 80K
T
1
T
2
T
1
=

I
C1
=
1
I
B1
V
BE1
= 0,7V
I
E1
= (1 +
1
)I
B1
T
2
=

I
C2
=
2
I
B2
V
BE2
= 0,7V
I
E2
= (1 +
2
)I
B2
Solucion:
a) Pto. trabajo / V
i
= 10V
Thevenin en la base de T
1
:
R
1
R
2
V
i
V
T
= V
i
R
2
R
1
+R
2
= 10
80
100
= 8V
R
T
= R
1
R
2
=
1600
100
= 16K

QueGrande.org 3 QueGrande.org
V
o
V
CC
= 30V
10K
16
T
2
T
1
I
B1
I
E1
+I
C2
I
C1
= I
B2
I
E2
I
C2
Ecuacion malla base T
1
0,8V
i
= I
B1
R
T
+ V
BE1
+ (I
E1
+ I
C2
)R
C
= I
B1
R
T
+ V
BE1
+ ((1 +
2
)I
B1
+

1
I
B1
)R
C
((Es un montaje Darlington en el sentido de que =
1

2
))
Para V
i
= 10V :
8 = I
B1
16 + 0,7 + (51I
B1
+ 1000I
B1
) 10
I
B1
= 0,693A
I
C1
=
1
I
B1
= 0,0346mA = I
B2
I
C2
=
2
I
B2
= 0,693mA
Malla de colector de T
2
V
CC
= I
E2
R
E
+ V
EC2
+ (I
E1
+ I
C2
) R
C
V
EC2
= . . . = 15,45V Activa.
V
CE1
= V
EC2
= V
EB2
= . . . = 14,75V Activa, suposicion correcta.
b) Valor de V
i
que sature al grupo de los transistores y pto. func.
T
1
SAT

I
C1
= I
B1
V
CE1
= 0,8V
V
BE1
= 0,8V
Malla colector T
1
:
V
CE
= (1 +
2
)
1
I
B1
R
E
+ V
EB2
+ V
CE1
+ [(1 +
1
)I
B1
+
1

2
I
B1
] R
C
30 = 21 50 I
B1
10 + 0,7 + 0,2 + [51I
B1
+ 1000I
B1
] 10
QueGrande.org 4 QueGrande.org
I
B1
= I
B1 SAT
= 1,385A
I
C1 SAT
= I
B1 SAT
= 0,0692mA
I
C2
= I
B2
= 1,385mA
V
CE1
= V
CE SAT 1
= 0,2V
V
EC2
= V
EB2
+ V
CE1
= 0,7 + 0,2 = 0,9V
0,8V
i
= I
B1
R
T
+ V
BE1 SAT
+ (I
B1
+ I
C2
) R
C
V
i
= 19,22V
QueGrande.org 5 QueGrande.org