BJT: TRANSISTORES BIPOLARES

1. Tipo NPN

2. Tipo PNP

Si queremos que el transistor amplifique entonces:

Diodo BE→ON y Diodo BC→OFF

Ecuaciones Básicas:

IE = IC + IB

IC = Ie + ICBO

IC = IB + ICEO

Sí = T=cte.

1. 𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
2. 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸
3. 𝐼𝐶 = 𝛽 I 𝛽
(1),(2),(3).

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝛽
 𝐼𝐶 𝐼𝐶
= 𝐼𝐶 +
𝛼 𝛽

1 1 
= 1+  =
  1−

1  +1 𝜷
=  𝜶=
  𝜷+𝟏

Los transistores se gobiernan por inyección de corriente de base.

a. Para gran señal.

Vbe
I C = Iss e VT

Vbe = VT

VT = 25.8mV

Iss. Dato de fabrica equivale a la corriente inversa de saturación del diodo (I0)

b. Pequeña señal.
Vbe (t )  VT “por series”

I c (t ) = I ca + g ma Vbe (t )

I SS
g ma =
VT

El análisis primero en continua y luego el altera.

 ➢ Curvas del transistor:

Curvas del Transistor

Polarización: del BJT (DC):

1) Zona Activa : Consiste en:

DBE → ON 


  BJT puede “amplificar”

DBC → off
 VBB = I B R B + V .....................(1)

VCC = I C + VCE ......................(2)

I C = I  Se cumple solo en la zona activa.

2) Zona Saturacion: (ON)

Nota: Si un transitor se encuentra en saturación, se considera como en corto circuito.
Para reconocer si un transitor esta saturado. (los Diodos en “ON”)

potencia =0
saturacion

3) Zona de corte (Off)

Nota: Los circuitos digitales trabajan con el BJT saturado o cortado.
Para corte:

V  Vumbral. (V)

 I base = 0

IC = 0

“Cuando un BJT” se corta.

VCE = VCC

Potencia en corte = 0
Para saturar:
VCC − VCEsat
1. I C sat = (out)
RL
VBB − V
2. I B = (in)
sat R

Nota: Si faltan datos

I Csat
IB 
10
Nota: Para los fabricantes
VCesat = 0.1 V y 0.2V

Nota: Pero para los cálculos (0 V)

CONDICIÓN DE DISEÑO

Amplifica: Q→ zona activa.

 DBE→ON
DBC→OFF
In:
VBB = RB I B + V + RE I E .....()

Pero:
IC =  IE (T=cte)
I E = IC + I B

I E =  IE + I B

I B = I E (1 −  ) .............(1)
1 en (*)
(VBB − VB ) = RB I E (1 −  ) + RE IE
(VBB − V )
I EQ =  I CQ
RB (1 −  ) + RE

 I EQ = I CQ = f ( fuente, juntua termica ,  )

Consideración: (por diseño)

VBB − V
I EQ = I CQ =
RE

 R E  R B (1 −  )

Pero:  =
 +1
Nota: Para fines prácticos:
RE = 10( R )(1 −  )

  
RF = 10 R B 1 − 
  + 1
1
RE = 10 R 
(  + 1)

β +1
Rβ = RE
10
Nota: Esta es la condición que genera estabilidad.
MÁXIMA EXCURSIÓN SIMÉTRICA(M.E.S.)
1. No existe carga CE.

Nota: Procurar que la curva esté lejos de la frontera.

 1 VCC
I CQ =
2 (R E + RC )

VCE  VCC /2

2. Existe carga CE

➢ Análisis en DC.

RDC = Rc + RE

VCC = ( RC + RE ) I C + VCE ......." "

1
m DC = = tg
RC + RE

➢ Análisis en AC.
  RAC = RC

RC iC + VCE = 0
𝟏
𝒎𝑨𝑪 = = 𝒕𝒈 𝝋
𝑹𝑪
Nota: (𝝋 >)

En “”
VCC = ( RC + RE ) I CQ + RC I CQ

VCC
I CQ =
( RC + RE ) + RE

VCC
I CQ =
RDC + R AC

1 I CQ
tg  = =
R C VCEQ

VCEQ = R AC I CQ
𝟏 𝑰
tg 𝝋 = 𝑹 = 𝑽 𝑪𝑸
𝑪 𝑪𝑪𝑸

VCEQ = RC ICQ

VCEQ = R AC I CQ

VCC = ( RC + RE ) I CQ + RC I CQ

VCC
 I CQ =
( RC + RE ) + RC

VCC
 I CQ =
RDC + R AC
3. Existe CE ,CB ,CC.
➢ Análisis en DC

RDC = RC +RE

➢ Análisis en AC

Ro = RC//RL

RAC = Ro
VCC
 ICQ =
( RC + RE ) + R0

VCEQ = R0 . I CQ
 ESTABILIDAD TERMICA EN DC

In:
V = R I  + V + RE I E ......(*)

Pero:
I C =  IE + I C 0

I C − I C 0
IE = ..................(1)

 
I C =  I  + I C + I C 0

I C =  I B +  IC + I CB 0

I C (1 −  ) =  I B + I CB 0

I C (1 −  ) + I CB 0
 IB = ..............(2)

(1) y (2) en (*)
 I (1 −  ) − I CB 0   I − I CB 0 
VBB = RB  C  + V + RE  C 
     
 (VBB − V ) = I C RB (1 −  ) + RE  − I CB 0 ( RB + RE )

 (VBB − V ) + I CB 0 ( RB + RE )
I CQ =
RB (1 −  ) + RE
 ICQ = f(fuente DC, juntura, ICB0, , T)

Factores térmicos:

 ICQ RB + RE
1. SI = ; SI =
 ICB0 RB (1 −  ) + RE
Pero: REE >>> RB (1-) (por diseño)

RB + RE R
 Sí  = 1+ B
RE RE

1 < SI < 15

 IC −
2. Sv = ; Sr =
 V RB (1 −  ) + RE
Pero: RE  RB (1-)

− −1
 S v =  Sr =
RE RE

V = 0.2V → Ge

V = 0.6 → Si

 V = K1 T

K1 = −2,5 mV
C

K 2 T
I CB 02 = I CB 0 e

I CB 0 : a 25C

I CB 02 e K 2 T
= T = T2 − T1
I CB 01 1

(I CB 02 − I CB 01 ) e K 2T − 1  I CB0
=  = e K 2 T − 1
I CB 01 1 I CB01
 T
 I CB0 = I CB 0 (e K 2 − 1)

 IC  IC
SI =   I C = S I  ICB0
 ICB0  ICB0

 IC  IL
Sv =    I C = S v  V
 V  V

 IC = S I .  I CB0 + SV  V

( )
 IC = S I I CB 0 e K 2 T + SV ( K1T )

K2 = 0.07/°C

ESPEJOS DE CORRIENTE
1. Convencional
Q1 = Q2  1 =  2 = 

VCC − V
I1 =
R
I1 = I 2

“Por efecto de amplificación asumo =100”

2. Cuadrática
Q1 = Q2 =Q3 = 
 VCC − 2 V
I1 =
R

2 I
I1 =  I  + ...............(1)

I1 =  I  ..........................(2)

I1  + 2 / 
=
I2 
I1
I2
(
= 1+ 2/  2 )
Pero 2 /  2  0  I1  I 2
3. Logarítmica (widsar)

V 1 = V 2 + RI 2

Donde: V 1  V 2
I1 = I SS eV / VT .........................(1)

I 2 = I SS eV 2 / VT ......................(2)

I1
(1) entre (2)  = e(V 1 −V 2 ) / VT
I2

I1  V − V 1 
 = e ( RI 2 ) / VT ; I1 =  CC 
I2  RC 

 I  RI
Ln 1  = 2
 I 2  VT
 Parámetros Híbridos h

Objetivo: Modelar transistores cuando las excitaciones son débiles o pequeña señal.

Procesamiento de pequeña señal:

“Circuitos Lineales con BJT”
𝑽𝑨 : Voltaje Early.

𝑽𝑨 𝟏
𝑹𝟎 ≈ = 𝒉.𝒆
𝑰𝑪

𝑽𝒊 = 𝒉𝟏𝟏 i𝟏 + 𝒉𝟏𝟐 V𝟐 ..................(1)

𝒊𝟐 = 𝒉𝟐𝟏 i𝟏 + 𝒉𝟐𝟐 V𝟐 ..................(2)

Por síntesis de circuitos:

Donde:
h11 = hi
h12 = hr
h21 = hf
h22 = ho
Aplicaciones.
1. Emisor Común.

baja señal Vi =Asen(wt)

A  26mV o procura que VBE  26 mV

5Hz  f  40 kHz (para audio.)

V0 = VCE

Vbe = hi e i b + h re V0

iC = h f e i b + h0e V0

En forma diferencial.
 Vbe = hie  ib + h re  Vce .........(1)

 i c = h fe  i b + h oe  ce ..............(2)

 Vbe  Vbe
hie = =
 ib  ib
 Vbe
hie = ib=cte
 Vce
  il
h fe =  Vce=cte
 ib
 ic 1
h0e = = h0 e = gl = ib=cte
 Vce R0
➢ Aplicación: emisor comun

➢ Análisis en AC:
 25.8mV
hie= resistencia dinámica:
I BQ

hre = 10 −4 ,10 −5 ,10 −7 → 0

h fe = 

1
h0e = 10− 7 ,10−10 ,10−12 (mh0 s ) → →
h0
Nota: Para fines prácticos s elimina hoe y hreV0.

Vi = hie i b

V0 − BR0
V0 = − BR0 i b y =
Vi hie
2. Base Común.
 𝑹𝑶 = 𝑹𝑪 // 𝑹𝑳
Modelo híbrido.

Según manual del fabricante:

𝑽𝑻 𝟐𝟓 𝒎𝑽
𝒉𝒊𝒃 = =
𝑰𝑬𝒒 (𝜷 + 𝟏)𝑰𝑩
𝒉𝒊𝒆
𝒉𝒊𝒃 = (𝑩𝒂𝒋𝒐 𝛀)
𝜷+𝟏
𝒉𝒓𝒃 ≅ 𝒉𝒓𝒆 → 𝟎
𝒉𝒇𝒃 = −𝜶
𝒉𝒐𝒆
𝒉𝒐𝒃 = (∗)
𝜷+𝟏
Demostremos (*):
𝒊𝒄
𝒉𝒐𝒃 = |
𝑽𝒄𝒃 𝒊
𝒆 =𝒄𝒕𝒆

Haciendo uso del modelo E-C:

 𝟏
𝑽𝒄𝒃 = [𝒊𝒄 − 𝜷𝒊𝒃 ] − 𝒊𝒃 𝒉𝒊𝒆
𝒉𝒐𝒆
𝒊𝒄 = −𝒊𝒃
𝜷+𝟏 𝜷+𝟏
𝑽𝒄𝒃 = 𝒊𝒄 [ + 𝒉𝒊𝒆 ] ; ≫ 𝒉𝒊𝒆
𝒉𝒐𝒆 𝒉𝒐𝒆
𝜷+𝟏 𝒊𝒄 𝒉𝒐𝒆
𝑽𝒄𝒃 = 𝒊𝒄 [ ]⇒ = = 𝒉𝒐𝒃
𝒉𝒐𝒆 𝑽𝒄𝒃 𝜷 + 𝟏
Modelo Simplificado:

3. Colector Común
Llamado también seguidor emisivo, driver de corriente, acoplador de impedancias,
transformador electrónico, etc.

Modelo Híbrido
Según manual:
𝒉𝒊𝒄 = 𝒉𝒊𝒆
𝒉𝒓𝒄 = 𝜶
𝒉𝒇𝒄 = −(𝜷 + 𝟏)
𝒉𝒐𝒄 = 𝒉𝒐𝒆
Circuito Simplificado:

Aplicamos las ecuaciones correspondientes:

𝑽𝑶 𝒁𝒊𝒏 = 𝒉𝒊𝒆 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝑶
𝑨𝒗 = =𝜶
𝑽𝒊 𝒉𝒊𝒆
𝒁𝑶 = … (∗)
𝑨𝒍 = (𝜷 + 𝟏) 𝜷+𝟏
Demostremos (*):
𝑽𝑶 𝒉𝒊𝒆
𝒁𝑶 = | ⇒ 𝒁𝑶 = = 𝒉𝒊𝒃
𝒊𝑶 𝑽𝒊 =𝟎 𝜷+𝟏
4. Amplificador Nada Común.
Presenta 𝑹𝑬 (Feedback), lo que produce estabilidad en AC y DC.

Modelo Híbrido.
 Nota: 𝒉𝒊𝒆 y 𝑹𝑪 no se encuentran en serie ni en paralelo.

Resumen de Configuraciones Notables.

Emisor Común.

𝜷𝑹𝑶 𝒁𝒊𝒏 = 𝒉𝒊𝒆

𝑨𝑽 = −
𝒉𝒊𝒆 𝒁𝒐𝒖𝒕 = 𝑹𝑶
𝑨𝑰 = 𝛃

Base Común.
 𝜶𝑹𝑶 𝒁𝒊𝒏 = 𝒉𝒊𝒃
𝑨𝑽 = +
𝒉𝒊𝒃 𝒁𝒐𝒖𝒕 = 𝑹𝑶
𝑨𝑰 = 𝛂

Nada Común.

𝑹𝑶 𝒁𝒊𝒏 = 𝒉𝒊𝒆 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝑬

𝑨𝑽 = −
𝑹𝑬 𝒁𝒐𝒖𝒕 = 𝑹𝑶
𝑨𝑰 = 𝛃 + 𝟏
Nada Común.

𝒁𝒊𝒏 = 𝒉𝒊𝒆 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝑶

𝑨𝑽 = 𝜶

𝒉𝒊𝒆
𝑨𝑰 = (𝛃 + 𝟏) 𝒁𝒐𝒖𝒕 = = 𝒉𝒊𝒃
𝜷+𝟏