66 TIRISTORES Y TRIACS

7.1. Funcionam iento

El disparo de un tiristor de este tipo sigue siendo clásico. Para bloquearlo de

nuevo, actuando sobre su electrodo de m ando, es necesario hacer intervenir una
ganancia de corriente en la apertura (G C O ) definida por:

IF (corriente principal)
GCO =
IG (necesaria para anular IF)

Gráficamente, las cosas suceden com o sigue (fig. 5 -1 4 ). L a recta de carga

del tiristor corta a su característica en dos puntos: A (bloqueo) y B (estado con­
ductor), para IG = 0 ; estos dos puntos de funcionamiento son pues posibles.

Para IG positiva, el codo de la curva característica (punto de disparo) se des­

plaza hacia la izquierda; así, cuando este codo es tangente a la recta de carga
sólo existe un punto de funcionamiento, el punto B .
Pero cuando IG se hace negativa, el punto de disparo se desplaza hacia la
derecha y la corriente de mantenimiento (IHs) aumenta simultáneamente. En el
límite, la curva característica (IG apertura, en la figura) resulta de nuevo tangente
a la recta de carga, a su derecha, y sólo resulta posible el punto A de trabajo: el
tiristor se bloquea de nuevo.
Así, pues, se obtiene la apertura para un valor de IG que confiere a la co­
rriente I n un valor igual a la intensidad de corriente de trabajo.
Volviendo a la explicación del funcionamiento del tiristor (fig. 5 -1 5 ), pode­
 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 67

mos escribir que, en ausencia de corriente de mando IG, la corriente de base del
NPN es igual a la corriente de colector del P N P :

1 (1 «N Pn) Icol — I a PN P 4 " Ico2

donde l vo es la corriente de fuga de la unión central del tiristor.

NPN

Fig. 5-15. — E squem a equivalente de un ti­

ristor bloqueable, idéntico al de un tiristor
clásico, com o p u e d e verse.

Podemos pues escribir:

Icol + Ico 2
I=
1 — (a jíP N + c tP X p )

y, llamando I ,r0 a la suma de I col y de I r0 2 , y 2cx a la suma de a NPN y a PNP:

I tro
I =
1 — 2 a

Cuando ordenamos el disparo, aplicamos en la puerta una corriente IG que

queda multiplicada por la ganancia del transistor N PN . E sa corriente se suma a
la corriente de fuga I
I tro H - l o «npx

Pero para lograr de nuevo el bloqueo hacemos IG < 0 ; puesto que en ese
momento, l tCo = 0 , por estar a 0 V la unión central del tiristor, llegamos a:

G CO = - j —=
IG 2 a — 1

J2
Fig. 5-16. — Estructura del GTO (tiristor bloqueable).

E n la práctica se puede considerar que, en la apertura, la puerta deriva una

corriente suficiente para provocar la desaturación del transistor NPN y, en conse­
cuencia, la extinción del tiristor.
L a estructura del G CO tiene así pues la forma representada en la figura 5-16.
68 TIRISTORES Y TR IA C S

7.2. C aracterística de puerta

E n régimen dinámico, para IF = 0 , la característica de puerta es la de un

diodo de baja tensión, mientras que para una corriente principal del orden de la
nominal encontramos en la figura 5 -1 7 las características en función de V G, obte­
nidas experimentalmente para un tiristor de GCO de 5 A de Silec.

Fig. 5-17. — En el ejem plo a d ­

junto, p ara V g = — 4 V, la c o ­
rriente la máx. e s de 1 A para
lograr la a p e rtu ra del elem e n ­
to. En e s e instante s e p asa
del punto A al B en la c a r a c ­
terística e s tá tic a del «diodo de
mando».

-14 -12 -1 0 -8 -6 -4 -2 0 2 4 VG

V e l o c id a d de a pertu ra
Se definen tres fases en la apertura del circuito principal (fig. 5 -1 8 ). Siendo
el instante t = 0 el momento en que se aplica el impulso de apertura en la puerta,
se distinguen:

• De IF a 0 ,9 IF = : td = tiem po de retardo o de alm acenamiento;

• De 0 , 9 -IF a 0,1 -IF = tf = tiem po de caída;
• De 0,1 •IF a \t = tiempo de anulación , siendo I, la intensidad establecida cuan­
do la tensión es máxima.

L a medida de los tiempos de apertura se efectúa mediante el circuito de la

figura 5 -1 9 . L a red R C limita la derivada de la tensión d v /d t , mientras que el
diodo zener suprime cualquier sobretensión esporádica debida a cargas induc­
tivas.
Cuando K está abierto, se controla el cierre del tiristor bloqueable mediante
T i. Cuando está conduciendo, K aplica la tensión negativa de apertura; las cur­
vas resultantes se dan en la figura 5 -2 0 , tom adas de S.S.C. (estudio citado en las
referencias bibliográficas).
 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 69

Se ve que los tiempos de retardo y de caída varían muy poco a partir de una
cierta tensión de puerta V G ( o ff ). P o r el contrario, y para el tiristor considerado,
por debajo de 4 V el tiempo de retardo aumenta considerablemente, para alcanzar
las decenas de microsegundos cuando nos encontram os en el límite de apertura;
la potencia disipada en conm utación es entonces grande; resulta de ello el calen­
tamiento del elemento y su destrucción.

Ip

100%
90*/. I F

Fig. 5-18. — C u rv a s típicas re ­

lativas a la a p e r t u r a de un
tiristor GTO. VF

VmSx
100*/.

Fig. 5-19. — E squem a experim ental p ara e s tu d iar la velocidad d e apertura del GTO.

Es pues necesario abrir lo más rápidamente posible, es decir, aplicar en la

puerta una tensión suficiente, aunque siempre inferior a la de ruptura del diodo
emisor-puerta.

C o r r ie n t e de a n u l a c ió n

Se debe a la corriente capacitiva a través del dispositivo, al subir de nuevo la

tensión. Si C es la capacidad del elemento, la corriente de anulación será I* =
70 TIRISTORES Y TRIACS

= C -d v /d t; puesto que C es una constante propia del tiristor, d v /d t no debe nunca

ser superior al valor que da, para / ,, la intensidad suficiente para el recebado.
No obstante, con relación al tiristor clásico, la característica en dv/d t es me­
jor, siempre que se tenga la precaución de prolongar el impulso negativo en la
puerta durante la subida de la tensión.

»d.»f í h»)

0.8

0,6

0.4

0.2

VG (o ff)

Fig. 5-20. — Tiempo de alm acenam iento (t,i) y de caíd a (tr) d e un tiristor G C O .

7.3. Circuitos de mando

El control de cierre se efectúa com o para un tiristor clásico. No obstante, es

necesario hacer notar que, en razón de sus elevadas prestaciones, un dispositivo de
este tipo exige potencias de mando sensiblemente m ayores que las utilizadas para
los elementos clásicos. P o r ejemplo, pueden ser valores típicos para un tiristor GTO
de 7 A eficaces, un impulso de 2 5 0 m A y 2 0 ps de duración. L a tensión corres­
pondiente no difiere de la usada para otros tipos de tiristor, y perm anece siempre
inferior o igual a 3 V .
Salvo por esta circunstancia, pueden servir todos los circuitos recomendados
pata los tiristores clásicos. Por el contrario, a menudo nos veremos obligados, en
las diferentes aplicaciones posibles, a encontrar un circuito que pueda provocar
tanto la apertura com o el cierre del elemento. E sto tiene el mérito de resolver el
problema de la sincronización de esos dos instantes, y simplifica a menudo el
montaje.
El control de apertura, que da lugar a diversos circuitos, será exam inado jun­
to con el bloqueo de los tiristores clásicos.

8. El tiristor con unión de puerta

E l tiristor con unión de puerta ( “ junction gate thyristor ” ) no existe en versión

comercializada, com o tal; no obstante debemos citarlo aquí (fig. 5 -2 1 ).
Cuando la puerta está alimentada, su corriente IG polariza en sentido directo
a la unión $ie puerta P iN ;{ del elemento auxiliar P 2N 0P 1N 3 . E sta estructura PNPN
se ceba pues de forma clásica. En consecuencia disminuye la caída de tensión en
ella y la polarización de la zona P i, situada a la derecha del esquema (elemento
auxiliar), pasa al valor de la tensión de ánodo.
 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 71

A hora bien, la zona Pi de la izquierda está al potencial de cátodo: se esta­

blece pues un gradiente transversal de potencial, y una corriente recorre transver­
salmente la capa Pj. El extrem o de la derecha de la unión P ,N t del elemento prin­
cipal queda entonces polarizado en sentido directo; se inyectan electrones en este
nivel y éstos provocan la conducción del elemento principal.

Fig. 5-21. — El tiristor con unión de puerta

s e com p o n e de un elem ento principal y otro
secu ndario . (E s te elem ento s e cita sólo con
vistas al po sterio r estu d io del triac ya que
en realidad no existe en el com ercio.)

Elem ento princip al

C átodo

N1

P1

Fig. 5-22. — Tiristor de puerta alejada («re-

N2 mote g ate thyristor-).
Ele ctrone8
P2 1
n3

j'G
—
Anodo
H ' l ' h ---------Puerta
72 TIRISTORES Y TRIAC S

9. El tiristor de puerta alejada

Se da la designación de tiristor de puerta alejada a un elemento que puede

dispararse sin que exista contacto directo alguno con las zonas de puerta normales
(figura 5 -2 2 ). E n inglés se denomina “rem óte gate thyristor
En este elemento, la corriente de puerta IG polariza en sentido directo la
unión P 2N 3; se emiten electrones desde N 3 hacia P> (corriente de P 2 a N 3) y
la unión P 2N 2 se encarga de recogerlos.

© ©
Puerta Luz C átodo
Ondas Anodo
lum inosas

©
\

Puerta

C átodo

© LASCR
cápsula TO - 5
GE

V id rio

C onexión
de puerta C átodo

Superficie Dado de
foto se n sib le s ilic io

Fig. 5-23. — Símbolo del fototiristor con conexión de p uerta (a ). Estructura (b ) y a s p e c t o físico
del LASCR d e GE.

En efecto, esta última unión actúa com o un colector, incluso con una pola­
rización directa; ello se debe a la presencia del cam po eléctrico que existe en
ese nivel y que actúa en el mismo sentido que una polarización inversa aplicada
a P 2N2, polarización normal para un colector.
 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 73

Los electrones que salen de N 3 son captados, com o se dijo, por P 2N2, por lo
que la corriente a través de esta unión aumenta y provoca el fenómeno de ava­
lancha.

10. Fototiristores

P ara disparar un tiristor se inyecta una corriente en la base de los transistores

que lo constituyen, lo que produce su saturación. A h ora bien, la exposición del
elemento a la luz puede equivaler a una corriente en la base; en efecto, la ilumina­
ción crea pares electrón-hueco que separa el cam po eléctrico a nivel de la unión
y los inyecta en la base del transistor considerado, en forma de portadores mayo-
ritarios, creando así la corriente de base.
E sta corriente será tanto m ás importante cuanto más pares electrón-hueco se
creen y cuanto m ejor los recojan las uniones. E l m áximo se obtiene escogiendo la
longitud de onda óptim a, cercana a 1 pm, y exponiendo a la radiación luminosa
la m ayor superficie de unión posible, con polarización inversa.
Adem ás es necesario, evidentemente, que las estructuras tiristores utilizadas
sean muy sensibles (que correspondan a corrientes de disparo inferiores a, por
ejemplo, 2 0 pA ). Resulta pues imposible usar cortocircuitos de emisor y habrá
que proteger el dispositivo contra parásitos.
L o s primeros fototiristores comercializados eran de tecnología planar. Tam ­
bién se pueden usar estructuras mesa-vidriadas que permiten obtener, gracias a
ciertos artificios com plem entarios, dispositivos utilizables a tensiones y tempe­
raturas más elevadas.
Aunque parezca superfluo disponer un electrodo de mando en un dispo­
sitivo optoelectrónico, este electrodo presenta la ventaja de permitir el gobierno de
la sensibilidad del dispositivo. A veces se emplean las denominaciones “diodo” y
“ triodo ” respectivam ente, para designar al fototiristor sin y con electrodo de mando.
En el esquema de la figura 5 -2 3 se ha representado, además del símbolo ge­
neral del fototiristor, su estructura y una de las modalidades de montaje. Se trata,
en este caso, de un LA SCR (“lighi activated SCR ” ), de GE.
Finalm ente, hagamos notar que el fototiristor es el primer elemento conmu­
table por luz que posee dos estados estables.
 CAPITULO 6

EL TRIAC

El triac pertenece a la familia de los tiristores, ya que se trata en definitiva

de un tiristor bidireccional; pero dada su im portancia, le dedicarem os aquí un
capítulo especial.

1. Definición

E l triac es un elemento sem iconductor de tres electrodos, uno de los cuales

es de mando (la puerta) y los otros dos son los principales de conducción. El
elemento puede pasar de un estado de bloqueo a un régimen conductor, en los
dos sentidos de polarización (cuadrantes I y III, fig. 6 -1 ) y volver al estado de

Fig. 6-1. — C a ra c te rís tic a s del

triac (a ) y sím bolo (b ).
P u erta
J f

bloqueo por inversión de la tensión o por disminución de la corriente por debajo

del valor de mantenimiento, I n.
El triac es, pues, la versión bidireccional del tiristor; en su representación
eléctrica se le puede com parar a la asociación en antiparalelo de dos tiristores
(figura 6 - 2 ), presentando no obstante dos ventajas fundamentales sobre este mon­
taje en el que sólo se podría gobernar las puertas mediante un transform ador de
impulsos:
— El circuito de mando resulta más sencillo al no existir más que un electrodo
de disparo;
 E L TRIAC 75

Fig. 6-2. — P u ed e c o m p ararse el triac a la a s o c ia ­

G
ción en antiparalelo de d o s tiristores.

f
Estructura
cara su p erio r

Fig. 6-3. — Estructura de un triac típico.

E structura
c ara inferior

E
CORTE según E.E.

Fig. 6-4. — P u ed en definirse cuatro cuadrantes de

polarización p a r a caracterizar el funcionamiento
del triac.
76 TIRISTORES Y TR IA C S

— E l dispositivo puede bascular al estado conductor independientemente de las po­

laridades de puerta o de ánodo (el disparo se efectúa en los 4 cuadrantes).

2. Estructura

E l triac puede obtenerse mediante diversas estructuras de capas de difusión

com o, por ejemplo, la de la figura 6 -3 . E n ella pueden reconocerse los dos tiristo­
res constituyentes del triac:

— L a mitad de la pastilla, A B C , representa un tiristor de estructura clásica cuya

conducción tiene lugar según (I);
— L a mitad A B D es un tiristor de conducción inversa (según II), siendo la capa
N a la de cátodo. Tecnológicam ente pues, el triac es la unión de las capas de dos
tiristores cuya superficie de emisor útil en cad a semiperíodo es la de media pas­
tilla;
— L a puerta del conjunto está form ada por dos capas de tipos opuestos: N 4 y
una porción de P i.

3. Cebado del triac

Si se aplica la tensión V i al ánodo A i, la tensión V 2 al ánodo A 2 y la tensión

V G a la puerta, y si tomam os V i com o m asa de referencia (V i = 0 ), podemos de­
finir 4 cuadrantes de polarización (fig. 6 -4 ):

CUADRANTE V2 VG N O T A C IÓ N

I > 0 + >0 r + +
II > O l­ <0 - + —
III eo < ° 7 --------
IV < 0 > 0 ~v — +

3.1. Cebado en el cuadrante I ( + + )

El triac se dispara com o un tiristor normal. L a zona P i es la puerta y la

unión N iPi inyecta portadores, produciéndose el disparo del tiristor entre P 2 y Ni
(figura 6 -5 ). L a corriente IG mínima de disparo es función de la repartición de los
cortocircuitos entre N i y P i, es decir, del valor de la resistencia R situada entre la
puerta y el ánodo A i. E n este cuadrante, el triac se com porta pues com o el tiris­
tor N 1P 1N 2P 2 .

3.2. Cebado en el cuadrante II (H )

L a corriente de disparo circula de Pi a N 4, y ceba el tiristor N 4P iN 2 P 2 (figu­

ra 6 - 6 ).
Debido a la geometría del elemento, la corriente principal de N 4P iN 2 P 2 pola­
riza las bases P iN 2 y el tiristor N iP iN 2P 2 bascula a su vez. E ste último, normal­
 E L TRIAC 77

m e n te d e m e n o r im p e d a n c ia , p r o v o c a la a p e r t u r a d e N 4P i N 2P 2 ( p o r I n ) a m e n o s
q u e s e m a n te n g a la c o r r ie n te d e p u e r ta .
L a corriente principal circula, pues, com o ocurría en el cuadrante (I) entre
P2 y N l
vc > o

Fig. 6-5. — D isparo del t r i a c

en el prim er cu a drante.

3.3. C ebado en el cuadrante III (-------- )

L a situación aquí es un poco más com pleja. Refirámosnos al esquema de la

figura 6 -7 . E l potencial de Pi es superior al de N 4; la unión P iN 4 tiene pues po­
larización directa e inyecta portadores. A h ora bien, el tiristor que queremos cebar
es el form ado por las capas N 3P 2N 2P i (cátodo en N 3, ánodo en Pi).

Fig. 6-6. — C eb a d o del t r i a c

en el s e g u n d o cuadrante.

L a unión eficaz de puerta de ese tiristor es el diodo N 3 P2; para que se pro­
duzca el disparo es pues necesario que esa unión N 3 P 2 inyecte sus portadores. El
razonamiento que sigue se com prenderá m ejor refiriéndose al esquema de la fi­
gura 6 - 8 .
E l transistor T i está form ado por las capas N 4P iN 2, y T 2 por las capas P 2N 2P i;
el resistor R es la impedancia de cortocircuito entre N 3 y P 2. Para que se cebe el
tiristor T h 2 es necesario que la corriente de emisor de T 2 que circula por R dé
una polarización suficiente de la unión puerta-cátodo de T h 2 (tiristor con corto­
circuito de emisor). Tenem os pues: .

I b 2 — « iI G
I e 2 — P2I b 2 — g i P2I g
78 TIRISTORES Y TRIAC S

donde:

I E2 es la verdadera corriente de puerta de T h 2;

IG es la corriente inyectada en la puerta del triac.

Es de hacer notar que el transistor T i tiene polarización directa en sus unio­

nes colector-base y emisor-base; está pues en saturación, y ai es un valor impuesto.
En general aifk no difiere mucho de la unidad, con lo que el triac presenta en este
cuadrante una sensibilidad relativamente cercana a la que presenta en los cu a­
drantes precedentes.

G V ,< 0
Al

düUüuuuu
pi
Fig. 6-7. — C e b a d o en el ter­
n 2 c e r cu a d ran te.

; i

Ao V0 < 0

<
P u erta

Ti ( * i K
Fig. 6-8. — E s q u e m a eq u iv a­
lente para el estudio del c e b a ­ Th
do de triacs en el te rc e r c u a ­
drante. y
-V W S A r*- (*z h )
R
‘£2
(v 2 < ° )

Resumiendo, el cebado de T h 2 se logra mediante una corriente I E2 creada

por IG en los transistores T i y T 2.

3.4. D isparo en el cuadrante IV (------ 1-)

E l proceso de disparo es idéntico al del tercer cuadrante, siendo ahora la .

capa Ni la que juega el papel que anteriormente desempeñaba la capa N 4.
No obstante, la zona N 3 P 2N 2P i susceptible de cebarse está bastante alejada
geométricamente; la sensibilidad se verá pues reducida proporcionalmente.
 E L TR IA C 79

4. Corriente de mantenimiento y corriente de enganche

L as definiciones dadas anteriormente para las corrientes de mantenimiento

(In) y de enganche (IL) en el tiristor siguen siendo válidas aquí. No obstante, en
este caso hay que definir sus valores en cada cuadrante de cebado.

5. Característica de puerta

Puede pues dispararse un triac mediante una corriente de puerta positiva o

negativa. L as curvas que dan la intensidad de puerta en función de la polarización
puerta-“cátodo” adoptan la misma form a, en los dos sentidos de conducción, que
las de un diodo (fig. 6 -9 ).
M ás exactam ente, se encuentran en ellas dos regiones, una correspondiente
a un diodo norm al, y otra, ce rca del origen, que es sensiblemente resistiva.
L as curvas correspondientes a corrientes de puerta positiva y negativa no

Fig. 6-9. — C a ra cterística d e puerta del triac con polarización directa (zona A) o inversa
(zona B), m anteniendo los e le c tro d o s principales en circuito abierto.
80 TIRISTORES Y TR IA C S

son rigurosamente superponibles, y pueden presentar inclinaciones diferentes, se­

gún el sentido de polarización de las salidas Si y S2.
L a sensibilidad difiere pues, según el cuadrante, pero vemos que una corrien­
te de puerta suministrada en form a de impulsos de 1 0 0 m A a 3 V , por ejem­
plo, bastará en todos los casos para disparar el triac cuya curva hemos repre­
sentado.

6. Efecto de la derivada de la tensión con respecto al tiempo, dv/d t

E n los triacs se distinguen en general dos tipos de condiciones, en cuanto

a la variación de tensión:

a) dv/dt aplicada sin conducción previa;

b) dv/dt aplicada tras conducción , llamada también “ d v /d t en conmutación ” .

6.1. Aplicación de d v /d t sin conducción previa

Podemos usar aquí de la analogía con los tiristores, ya que el fenómeno es

idéntico. (L a única diferencia es que, para los triacs, la restricción se impone en
ambos sentidos de conducción.)
Cuando se aplica una ram pa de tensión (dv/dt) en polarización directa, a
partir del nivel cero, a un triac (o un tiristor), la zona desierta se establece en la
capa de puerta sólo cuando se han evacuado las cargas móviles por la corriente:

I = C (unión)
dt
dv
L o que equivale a la introducción de una corriente de puerta igual a C - ^ - .

Por consiguiente, para valores suficientemente elevados de d v /d t , el triac puede

bascular al estado de conducción directa.
L a solución de este problema reside en el empleo de la técnica de cortocir­
cuitos de emisor. E n el caso del triac es pues necesario disponer cortocircuitos en
las capas N 3 y N i ya que el riesgo de disparo por d v /d t existe tanto para un sen­
tido de conducción com o para el otro. E n los esquemas precedentes se han repre­
sentado ya estos cortocircuitos de emisor.

6.2. d v/d t en conmutación

Consideremos un triac en estado conductor, por ejemplo, cuando conduce

el tiristor N iP iN 2P 2 de la figura 6 - 1 0 .
L a distribución de las cargas en las capas Pi y N 2 es función del nivel de co ­
rriente y de los dopados (fig. 6-1 1 a). Si se polariza bruscamente el el&mento en
sentido opuesto, de bloqueo, la distribución de las cargas ha de evolucionar hasta
alcanzar la configuración de la figura 6 - 1 1 b.
E s evidente que el exceso de cargas alm acenadas entre las dos posiciones lí­
mites debe desaparecer durante la conm utación; una parte de estas cargas se eva­
cúa por la corriente circulante (carga recuperada) y el resto se reabsorbe por re­
combinación.
A h ora bien, este exceso de cargas es fundamental en la conm utación del
triac. En efecto, la aplicación de la tensión inversa a N iP iN 2 P 2 se hace a una cier­