Autores: Eduardo Illescas Ing.

Rene vila Materia:Laboratorio de Analgica II Ciclo:5to Ciclo Tema: Transistor FET Y MOSFET Objetivos: eri!icar los siguientes ti"os #e "olari$aci%n #e un transistor FET 1.1.1)&olari$aci%n con #os !uentes 1.1.')&olari$aci%n con resistencias #e sourse 1.1.()Auto"olari$aci%n sin resistencia #e sourse 1.1.))&olari$aci%n con #ivisor #e tensi%n 1.1.*)&olari$aci%n con !uente "ositiva + negativa 1.1) ,ise-ar calcular + com"robar el !uncionamiento #e la "olari$aci%n #e transistor MOSFET incremental 1.') ,ise-ar calcular + com"robar el !uncionamiento #e la "olari$aci%n #e transistor MOSFET #ecremental .ota: to#as los siguientes circuitos #eben tener el "unto #e traajo a la sali#a al centro #e la recta #e carga/ con una tolerancia #e 0 12* v 1. Marco Te%rico: Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una regin de ti o ! en un canal de ti o N" tal # co$o se $uestra en la Figura %& A a$bos lados del canal se conectan los ter$inales de fuente '(" (ource) # drena*e '+" +rain)& El tercer ter$inal se deno$ina uerta '," ,ate)& 1.1)

Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N

Los s-$bolos de este ti o de dis ositivos son.

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Figura de los JFET

/. (-$bolos transistores

Las e0 licaciones incluidas en este ca -tulo se refieren funda$ental$ente al transistor NJFET" teniendo en cuenta 1ue el rinci io de o eracin del !JFET es an2logo& &rinci"io #e o"eraci%n #el .3FET A continuacin se e0 lica c$o se controla la corriente en un JFET& Al igual 1ue sucede con los transistores 3JT el JFET tiene tres regiones de o eracin. Regin de corte Regin lineal Regin de saturacin

Es reciso 4acer notar 1ue en este caso" la saturacin alude a un fen$eno co$ leta$ente distinto al de los transistores 3JT& Caracter4sticas #e sali#a Al variar la tensin entre drenador # surtidor varia la intensidad de drenador er$aneciendo constante la tensin entre uerta # surtidor& En la $ona %5mica o lineal se observa co$o al au$entar la tensin drenador surtidor au$enta la intensidad de drenador& En la $ona #e saturaci%n el au$ento de la tensin entre drenador # surtidor roduce una saturacin de la corriente de drenador 1ue 4ace 1ue esta sea constante& Cuando este transistor traba*a co$o a$ lificador lo 4ace en esta 5ona& La $ona #e corte se caracteri5a nula& or tener una intensidad de drenador

La $ona #e ru"tura indica la $20i$a tensin 1ue so ortar2 el transistor entre drenador # surtidor&

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Es de destacar 1ue cuando la tensin entre intensidad de drenador es $20i$a& uerta # surtidor es cero la

Caracter4sticas #e trans!erencia Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de uerta&

Es"eci!icaciones #e los FET

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En las 4o*as de caracter-sticas de los fabricantes de FETs encontrar2s los siguientes ar2$etros 'los $2s i$ ortantes).

6,( # 6,+&7 son las tensiones inversas $20i$as so ortables unin !N&

or la

I,&7 corriente $20i$a 1ue uede circular or la unin uerta 7 surtidor cuando se olari5a directa$ente& !+&7 otencia total disi able or el co$ onente& I+((&7 Corriente de saturacin cuando 6,(89& I,((&7 Corriente 1ue circula or el circuito de uerta cuando la unin uerta 7 surtidor se encuentra olari5ado en sentido inverso& Desventajas: (u ganancia de volta*e es $uc4o $enor 1ue en el 3JT Es susce tible al da:o en su $ane*o (u anc4o de banda o res uesta en frecuencia es $enor 1ue en el 3JT ara este ti o de dis ositivos&

Ventajas: (u i$ edancia de entrada es e0tre$ada$ente alta (u ta$a:o f-sico es a ro0i$ada$ente un /9 o ;9< del es acio 1ue ocu a un 3JT& (u consu$o de otencia es $uc4o $2s e1ue:o 1ue la del 3JT (u velocidad de con$utacin es $uc4o $a#or 1ue las del 3JT Es $enos ruidoso 1ue el 3JT& Es afectado en $enos grado or la te$ eratura

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1. E6"licaci%n #e la "r7ctica:

/& C7lculos + Es8uemas:

(.1) &olari$aci%n con #os !uentes Datos:

Idss8%;$A 6 87=";v Id8>$A 6+(8>v 6++8%9v

Incgnitas:
I+8 ? R+8 ? 6,(8 ?

Solucin:

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R,8 %@A I+8 I+((B'%76,(6!)/ >$A8 %9$AB%76,(7=/6,(8 7%&/v 6++8 I+&R+C6+( R+8 6++76+(I+85>$AR+8 D>EFA

(.') &olari$aci%n con resistencias #e sourse

Datos:

Idss8%="D$A 6 87="Gv I+8D";5$A 6+(85v 6++8%9v

Incgnitas:
I+8 ? R+8 ? R(8 ? 6,(8 ?

Solucin:

R,8 %@A I+8 I+((B'%76,(6!)/ D";5$A8 %="D$AB%76,(7 ="G/6,(8 7%&=v R(8 6,(I+87%"=6D";5$A R(8 %E9FA 6++8 I+&R+C6+(C6R( R+8 6++76+(76R(I+8;">/D";5$A R+8 =E%"%5>FA

(.() Auto"olari$aci%n sin resistencia #e sourse

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Datos:

Idss8%/$A 6 87="Gv 6+(85v 6++8%9v

Incgnitas:
I+8 ? R+8 ? R(8 ? 6,(8 ?

Solucin:

R,8 %@A I+H I+(( R+8 6++76+(I+85%/$A R+8 =%>">>FA

(.)) &olari$aci%n con #ivisor #e tensi%n

Datos:

Idss8%/ 6 87=v 6+(85v 6++8%9v 6,(8 7%"Dv

Incgnitas:
R+8 ? R(8 ? R%8 ? R/8 ? I+8 ?

Solucin:

R,8 %@A I+8 I+((B'%76,(6!)/ I+8 %/$AB%77%"D7="G/I+8 D"E $A 6,(8 6++&R/R%CR/8%9v&R%R%CR/ R%8R/

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6,8 6++&R/R%CR/8%9v&/6,85 v R%8R/8/ @A 6,86,(CI+&R( R(8 6,76,(I+85v7%"Dv;"E$A R(8 G=>A 6++8 I+&'R+CR()C6+( R+8 9"D v;"E$A R+8 =;5"GA

(.*) &olari$aci%n con !uente "ositiva + negativa.

Datos:

Idss8%/ $A Id8> $A 6 87=v 6+(85v 6++8%/v 6((875v

Incgnitas:
R%8 ? R/8 ? I+8 ?

Solucin:
R,8 %@A

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I+8 I+((B'%76,(6!)/ > $A8 %/$AB%76,(7="G/ 6,(8 7%"D v 6,(86((CI+&R( R(8 6,76,(I+85vC%"Dv>$A R(8 % IA 6++8 I+&'R+CR()C6+( R+8 ="G; v> $A R+8 G/9 A

(.9) &olari$aci%n #e transistor MOSFET incremental

(.:) &olari$aci%n #e transistor MOSFET #ecremental

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%& ;ista #e Materiales e Instrumentos a utili$ar: /& Cua#ro #e c7lculos me#i#os + simula#os: *.1) &olari$aci%n con #os !uentes

Calcula# Me#oi#os os < S , S > , I, *v 9 mA =12' < v S *v S > , I, , =12(' v *21: v *21' v 92:' mA

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*.') &olari$aci%n con resistencias #e sourse? Calcula#os < S , S > , > S I, (291 v 12(@ v :2(* mA *v S > , > S I, =12) v S , Me#oi#os < =12)' v )2:* v (21' v 12'' v 92:' mA

*.() Auto"olari$aci%n sin resistencia #e sourse Calcula#o s < S , S > , I, *v 1' mA *v S > , I, *29' v 1129' mA 1v S , )2)) v Me#oi#os < 1v

*.)) &olari$aci%n con #ivisor #e tensi%n Calcula# os Me#oi#os

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< S , S > , > S I, 9 mA I, :2@9 mA *v 12: v *v S > , *29' v < S , *2( v 12) v

*.*) &olari$aci%n con !uente "ositiva + negativa Calcula#o s < S , S > , > S I, Me#oi#os =12( v

= < 121: S v 9v S )2A: > v , 921: v 9 mA I, ,

*2*' v *2' v 92'@ v 92)( mA

*.9) ,ise-ar calcular + com"robar el !uncionamiento #e la "olari$aci%n #e transistor MOSFET incremental

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*.:) ,ise-ar calcular + com"robar el !uncionamiento #e la "olari$aci%n #e transistor MOSFET #ecremental

1. An7lisis #e #atos + la "ractica en general:

En esta r2ctica no encontra$os ningJn inconveniente # el Jnico al 1ue le odr-a$os lla$ar roble$a o $2s bien un detalle 1ue debe$os to$ar en cuenta es 1ue al $o$ento de conectar el transfor$ador verificar 1ue cu$ la con la carga de nuestro circuito&

'. Conclusiones + >ecomen#aciones:

Una reco$endacin ara reali5ar esta r2ctica es 1ue al $o$ento de e$ e5ar los c2lculos con el condensador debe$os tener en cuenta 1ue la corriente ca$bia total$ente or lo 1ue el valor del volta*e en ta$biKn # de 4ec4o es diferente al calculado sin el condensador& +ebido a los gr2ficos # valores de los es1ue$as" esta r2ctica est2 bien reali5ada uesto a 1ue coincidieron los gr2ficos # $ediciones" no en su totalidad ero si en lo 1ue es er2ba$os&

A recommendation for practice is that when the calculations start with the capacitor should be noted that the current changes completely as the voltage on too and in fact is different than that calculated without the

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capacitor. Because the graphics and values of the schemes, this practice is well done since it coincided graphs and measurements, not entirely but if what we expected.
(. Bibliogra!4a:
=& Ane6os:

E0isten varios ti os de cone0in del FET a1u- anali5are$os una vista r2 ida de los ; rinci ales 1ue osee. Polarizacin Fija.

+e la figura se observa la gran inestabilidad 1ue uede e0 eri$entar el unto de o eracin ara el caso de los osibles ca$bios en los ar2$etros 1ue uede resentar un FET aJn cuando trat2ndose del $is$o ti o #a 1ue las tKcnicas de fabricacin no son tan erfectas co$o ara 1ue I+(( # 6,( off sean constantes de un dis ositivo a otro& Este ti o de olari5acin es la eor for$a de olari5ar a un JFET #a 1ue

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el unto de o eracin 'I+(L" 6+(L) bastante es inestable&

Autopolarizacion.

La recta % re resenta una RS e1ue:a # ro orciona un elevado valor de gm" ideal ara una buena ganancia de corriente" la desventa*a es la inestabilidad debido a los ca$bios en los ar2$etros del JFEt" co$o uede observarse& La recta / ofrece las $e*ores condiciones tales 1ue no co$ ro$ete la inestabilidad # los valores de transconductancia" es decir" no se sacrifican una u otra& La tercera grafica roduce una buena estabilidad del unto de o eracin valores de gm ba*os 1ue se traduce en una ba*a ganancia de corriente& Por de divisores de Voltaje

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+e la figura uede observarse 1ue este ti o de olari5acin es $e*or 1ue las dos anteriores debido a 1ue M IDSQ es $enor" sin e$bargo ara conseguir esto es necesario a licar valores elevados de VDD ara 1ue VGG sea lo $2s grande osible # as- el unto de o eracin sea $2s estable&

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