República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educación Universitaria

Instituto Universitario Nuevas Profesiones
Sede Los Dos Caminos
Materia: Introducción a la informática.

Diodo de unión

Docente: Integrante:
Leo Yanez Jesús Pestana - 28.101.567
 Unión P N

Una unión PN, también conocida como unión PN, es un componente

fundamental en los dispositivos semiconductores, incluidos diodos,
transistores y circuitos integrados. Se forma juntando una región de material
dopado con un exceso de portadores de carga positivos (material tipo p) y
una región dopada con un exceso de portadores de carga negativos (material
tipo n).

Material tipo p: En el material tipo p, los átomos semiconductores están

dopados con impurezas que introducen "agujeros" o vacías en la estructura
electrónica, que actúan como portadores de carga positiva.

Material tipo n: En el material tipo n, los átomos semiconductores están

dopados con impurezas que introducen electrones adicionales, que actúan
como portadores de carga negativa.

Formación de la unión: cuando un semiconductor tipo p y un semiconductor

tipo n se ponen en contacto, los electrones del material tipo n migran a través
de la unión y llenan los huecos en el material tipo p. Este proceso se llama
difusión. Como resultado, una región cercana al cruce se queda sin
portadores de carga móvil, formando una región de agotamiento.

Región de agotamiento: en la región de agotamiento, los iones positivos y

negativos inmóviles crean un campo eléctrico que se opone a una mayor
difusión de los portadores de carga. Esto crea una barrera potencial que
impide el flujo de corriente en ausencia de un voltaje externo.

Polarización directa: cuando se aplica un voltaje directo a través de la unión

PN (positivo al material tipo p y negativo al material tipo n), se reduce la
barrera de potencial, permitiendo que la corriente fluya a través de la unión.
En este estado, la unión PN se comporta como un interruptor de corriente
cerrado.

Polarización inversa: cuando se aplica un voltaje inverso a través de la

unión PN (negativo al material tipo p y positivo al material tipo n), aumenta la
barrera de potencial, inhibiendo el flujo de corriente a través de la unión. En
este estado, la unión PN se comporta como un interruptor abierto de
corriente.

Las uniones PN son fundamentales para el funcionamiento de

dispositivos semiconductores, incluidos los diodos, que permiten que la
corriente fluya en una sola dirección, y los transistores, que utilizan uniones
PN para controlar el flujo de corriente entre diferentes regiones del
dispositivo.

Corriente de un Diodo

La corriente en un diodo es el flujo de cargas portadoras eléctricas a

través del diodo. El comportamiento de la corriente en un diodo depende del
voltaje aplicado a través de él y de las características del propio diodo.

Cuando un diodo está en polarización directa (es decir, el ánodo tiene

un potencial más alto que el cátodo), permite que la corriente fluya a través
de él. En este estado, el diodo presenta baja resistencia y la corriente fluye
fácilmente. La magnitud de la corriente directa depende del voltaje aplicado y
de las características del diodo, a menudo descritas por su caída de voltaje
directo y su resistencia dinámica.

Por otro lado, cuando un diodo está en polarización inversa (es decir, el
ánodo tiene un potencial menor que el cátodo), bloquea el flujo de corriente.
En este estado, el diodo presenta una alta resistencia y sólo una corriente de
fuga muy pequeña fluye a través del diodo debido a los portadores de carga
minoritarios.

La relación entre el voltaje aplicado a través del diodo y el flujo de

corriente resultante se describe mediante la característica corriente-voltaje del
diodo, a menudo representada en un gráfico conocido como curva I-V del
diodo.

En resumen, la corriente de diodo se refiere al flujo de portadores de

carga eléctrica a través de un diodo bajo condiciones de polarización de
voltaje aplicada. Puede fluir en dirección directa cuando el diodo está
polarizado en directa y normalmente es insignificante en dirección inversa
cuando el diodo está en polarización inversa.
 Características V.I.

Región de polarización directa: cuando un diodo en polarización directa

(voltaje positivo aplicado al ánodo y negativo al cátodo), la curva I-V muestra
que la corriente aumenta rápidamente con un pequeño aumento en el voltaje
directo. El diodo presenta una baja resistencia en la dirección de avance, lo
que permite que fluya una cantidad significativa de corriente.

Región de polarización inversa: cuando un diodo en polarización inversa

(voltaje negativo aplicado al ánodo y positivo al cátodo), la curva I-V muestra
que la corriente permanece muy baja para una amplia gama de voltajes
inversos. En esta región, el diodo presenta una alta resistencia y sólo una
pequeña corriente de fuga (corriente de saturación inversa) fluye a través del
diodo debido a los portadores de carga minoritaria. Sin embargo, cuando el
voltaje inverso excede un cierto umbral llamado voltaje de ruptura, el diodo
ingresa a la región de ruptura donde ocurre un aumento significativo en la
corriente inversa. Por lo general, esto no es deseable en el funcionamiento
normal del diodo y se evita en la mayoría de las aplicaciones prácticas.

Voltaje de rodilla: el voltaje directo al cual el diodo comienza a conducir una

corriente apreciable se conoce como voltaje de rodilla o voltaje umbral (Vf).
Es el voltaje donde el diodo comienza a superar la barrera de potencial
incorporada en la unión y permite un flujo de corriente significativo.

Corriente de saturación: en la región de polarización inversa, normalmente

hay una corriente de fuga muy pequeña conocida como corriente de
saturación (Is). Esta corriente surge debido a que los portadores de carga
minoritaria (electrones en la región p y huecos en la región n) cruzan la región
de agotamiento.

Modelo de diodo ideal: El modelo de diodo ideal supone una resistencia

directa cero (conductor ideal en la dirección directa) cuando está polarizado
en directa y una resistencia infinita (aislante ideal) cuando está polarizado en
inversa. Sin embargo, los diodos reales tienen una caída de voltaje directo
distinta de cero y una corriente inversa distinta de cero. Comprender las
características I-V de un diodo es crucial para diseñar y analizar circuitos
electrónicos que involucran diodos, como rectificadores, reguladores de
voltaje y circuitos de procesamiento de señales.
 Circuitos Equivalentes
En electrónica, un circuito equivalente es un circuito que conserva
todas las características eléctricas de un circuito dado. Con frecuencia, se
busca que un circuito equivalente sea la forma más simple de un circuito más
complejo para así facilitar el análisis. Por lo general, un circuito equivalente
contiene elementos pasivos y lineales. Sin embargo, también se usan
circuitos equivalentes más complejos para aproximar el comportamiento no
lineal del circuito original.

Equivalente de Thévenin: En la teoría de circuitos eléctricos, el teorema de

Thévenin establece que si una parte de un circuito eléctrico lineal está
comprendida entre dos terminales A y B, esta parte en cuestión puede
sustituirse por un circuito equivalente que esté constituido únicamente por un
generador de tensión en serie con una resistencia, de forma que al conectar
un elemento entre los dos terminales A y B, la tensión que queda en él y la
intensidad que circula son las mismas tanto en el circuito real como en el
equivalente.
Equivalente de Norton: Establece que cualquier circuito lineal se puede
sustituir por una fuente equivalente de intensidad en paralelo con una
impedancia equivalente. Al sustituir un generador de corriente por uno de
tensión, el borne positivo del generador de tensión deberá coincidir con el
borne positivo del generador de corriente y viceversa.

Diodo Túnel
Es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa
en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. Descubrió que una
fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización
de los portadores de carga a lo largo de la zona de deplexión en la unión. Una
característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un
determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la
resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En
consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador y oscilador.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para
aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de
los efectos de la radiación.
 Diodo emisor de luz
Un diodo emisor de luz (LED) es un fuente de luz pequeña que está
iluminada por el movimiento de electrones a través de un material
semiconductor. Las familias de semiconductores se pueden incorporar en
dispositivos que emiten luz sobre gran parte del espectro visible con
excitación eléctrica. Los LED se utilizan donde hay bajo consumo de energía
y larga vida útil son importantes. Algunas de las aplicaciones incluyen: luces
de freno, publicidad, y señales de tráfico. Estos diodos emisores de luz y
diodos láser están revolucionando muchas tecnologías de comunicación y
visualización. Los diodos emisores de luz se componen de un chip de
semiconductor montado en un
cable con un cable de oro
conectado al otro cable. Una lente
de plástico protege el
semiconductor y enfoca la luz. El
término “diodo” se refiere al hecho
de diferencias de una bombilla normal, que se encenderá cuando la
electricidad fluya a través de ella en cualquier dirección, el LED se encenderá
cuando la electricidad fluya en una dirección debido a los campos eléctricos
que están presentes en el interior del dispositivo.

Se puede construir un circuito simple con LED, una resistencia de 1K ohm y

una batería de 9 voltios. La resistencia limita la cantidad de corriente eléctrica
que fluye a través del diodo para que no se sobrecaliente, lo que puede
destruirlo.
 Bibliografía

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