ELECTRÓNICA I

FET

Martha Ospina

Ingeniería Electrónica
Universidad Distrital Francisco José de Caldas
2020
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET

Field Effect Transistor

El BJT es controlado por corriente: IB El FET es controlado por voltaje: VGS

Ventajas: Desventajas:
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET
Símbolo y terminales
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET

Fig. 2

2
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
FET
 IDSS

3 VP

4
La unión compuerta fuente se encuentra en inverso, por lo cual la corriente sobre la
Resistencia RG es cero.

EEE: VGS= VGG = -2V (1)

EES: VDD= RD *ID+ VDS

VDS =20V-(5,6mA)*(2KW)
VDS =8,8V
Punto de trabajo: VGS= -2V, ID= 5,6mA y VDS =8,8V
Verificando matemáticamente:
Se calcula ID gráficamente
(2)
(1) En (2)
 EEE: VGS= VGG = -2V

2
2.4V

-2V
3 VP= VDS=8,8v

4
4V
Auto polarización

Esta configuración utiliza una resistencia de Source a tierra

que polariza al unión Gate-Source en inverso. Así se elimina
una fuente de polarización.
Auto polarización

En este circuito la caída de potencial sobre

polariza la unión Gate-Source en inverso, por
esta razón la corriente .

EEE:

Despejando:

La representación de esta ecuación, en el

sistema corresponde a una recta con pendiente
que pasa por el origen
Ejercicio
Para el circuito de la figura se utiliza un transistor JFET con , y . Calcular el punto Q.
Ejercicio
Para el circuito de la figura se utiliza un transistor JFET con , y . Calcular el punto Q.

EEE:

Despejando:

Esta es una recta con pendiente que pasa por el

origen.

EES: VDD= (RD + )*ID+ VDS

VDS =9V-(2,4mA)*(2,95KW)
VDS =1,92V
Se calcula I gráficamente
D
 Si = 0 A0 V
Si = 2mA -1,5V

1,8V
𝐼 𝐷𝑆𝑆=8 𝑚𝐴

𝑣 𝐺𝑆 =1,8 𝑉
2,4mA
2
1.2V

-1,8V
3 VP= -4V VDS=1,9V

4
2V
Polarización por División de Tensión

Esta configuración utiliza una sola fuente de polarización. La

caída de potencial sobre junto con la caída sobre , polarizan la
unión Gate-Source en inverso. Aplicando Thevenin entre Gate
y tierra se obtiene el circuito:
Polarización por División de Tensión

En este circuito para que el transistor amplifique, la

unión Gate-Source debe encontrarse polarizada en
inverso y por esta razón, la corriente .
EEE:

La cual corresponde a una recta con pendiente que pasa

por el punto , es decir, no pasa por el origen.

𝑉 𝐺𝑆 2 𝑉 𝐺𝐺 − 𝐼 𝐷 𝑅𝑆 2
𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷 𝑆𝑆 ∗(1 − ) ⇒ 𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆 ∗(1− )
𝑉𝑝 𝑉𝑝
Ejercicio
Para el amplificador de la figura calcule el punto de trabajo. Se utiliza un transistor
con , =-6V

EEE
Calcula la
EES
Calcula el

( )
2
𝑉 𝐺𝑆
𝐼 𝐷 =𝐼 𝐷𝑆𝑆 ∗ 1 −
𝑉𝑝