Está en la página 1de 1

TALLER 2.

1 ELECTRONICA I

PROFESORA: MARTHA OSPINA

Para el circuito de la Figura 1 se utiliza un transistor de Silicio con hfe=200, hre=hoe=0,


hie=10KCalcular el punto de reposo y las máximas señales de entrada y de salida sin distorsión
(2,5 puntos).

Rediseñar si es necesario (calcular la nueva R B) para que el punto Q esté en la mitad de la recta de
carga dinámica (1,0 punto). Dibujar las rectas de carga dinámica y estática antes y luego del
rediseño y calcular las Mss de salida y entrada (1,0 punto). Comparar los dos casos (0,5 puntos).

También podría gustarte