-TRANSISTOR BIPOLAR

BJT.
-TRANSISTOR DE EFECTO
DE CAMPO.
Póngase cómodo…
empezamos en unos minutos

Sala 3
 Transistor Bipolar BJT:

• Es un dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, además de controlar el paso
de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran número de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.

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 Características:

• Un transistor de unión bipolar está formado por dos

Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor
del colector.
• Colector, de extensión mucho mayor.
• Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de
material tipo “N” y separadas por una capa tipo “P”.
• Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de
material tipo “P” y separadas por una capa tipo “N”.
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 Funcionamiento como interruptor:

• Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe
operar en la zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en
un circuito.
• Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se polariza
en la región de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera los
transistores BJT funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos
estados lógicos 0 y 1.

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 Funcionamiento como amplificador:

• Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe aplicar una pequeña señal de
corriente en la terminal base para controlar una corriente de salida mayor en las terminales colector y emisor.
Para el uso de los transistores BJT como amplificadores, hay que tener en cuenta que hay distintos tipos de
transistores BJT los cuales tienen diferentes características técnicas, cada uno de ellos tiene una ganancia de
corriente conocida como beta del transistor, dependiendo del tipo de amplificación que requieras verificar la beta
del transistor para obtener la amplificación de corriente deseada.
• Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La corriente del colector “Ic”
es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la «beta» del transistor.
• Ic = (hFE)*(Ib)
• Donde:
• Ic = Corriente de colector
• hFE = Beta del transistor
• Ib = Corriente en la base
• Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede variar, es por eso que no es
recomendable el uso de transistores como amplificadores electrónicos, te recomiendo el uso de amplificadores
operacionales.
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 Aplicaciones:

• Son utilizados como interruptores electrónicos,

amplificadores de señales o como
conmutadores de baja potencia. Como ejemplo
se usan para controlar motores, accionar
reveladores y producir sonidos en bocinas.
Estos transistores son muy comunes y de uso
general los cueles pueden encontrarse en
cualquiera de los aparatos de uso cotidiano
como en radios, alarmas, automóviles,
ordenadores, etc.

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 Transistor de efecto de campo (FET):

• Se usa en circuitos integrados y en circuitos de alta

frecuencia y presentan ventajas con respecto al transistor
BJT
• El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres
terminales controlado por voltaje, se basa en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un canal. La
corriente se controla mediante un voltaje, mientras que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente.
• Se observa que en el FET la corriente viene controlada
por un voltaje VGS, mientras que en el transistor bipolar la
corriente de colector está controlada por la corriente de
base IB.

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 Características:

• Tamaño: El FET es más pequeño que el

transistor, lo cual redunda en ahorro de espacio
en la elaboración de equipos electrónicos.
• Impedancia de entrada: La impedancia de
entrada del FET es alta en comparación con la
del transistor, lo cual lo hace adecuado para el
diseño de etapas en cascada.
• * Ganancia: La ganancia de voltaje del FET es Los terminales son:
D = Drenaje = Drain: Es el terminal por donde los portadores
más pequeña que la del transistor, lo cual se mayoritarios salen del dispositivo.
convierte en una desventaja para la S = Fuente = Source: Es el terminal por donde los portadore
amplificación. mayoritarios entran al dispositivo.
G = Puerta = Gate: Es el terminal que se forma con dos trozos
• * Ruido: El FET es menos ruidoso que el de material tipo N o P para formar dos uniones PN
transistor, por eso se usa mucho el FET en las
primeras etapas.
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 Construcción y características del FET:

• Al FET lo constituye una estructura tipo N llamada

“canal”, junto con dos capas de material tipo P
interconectadas entre sí. En la parte superior del canal N
está conectado el drenaje (D); en la parte inferior del
canal N está conectado el terminal llamado “fuente”(S).
Los dos materiales tipo P están interconectados
formando el tercer terminal llamado “compuerta” (G).

• Las dos uniones PN que se forman en el FET producen

una región de agotamiento, o barrera de potencial, que
se opone al paso de portadores

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 Funcionamiento (VDS > 0, con VGS = 0):

• Se aplica un voltaje ligeramente positivo entre los terminales D y

S, y llevamos la compuerta a un nivel de cero voltios. Con estos
voltajes, la fuente VDS atrae electrones del canal N haciendo que
circule una pequeña corriente de drenaje ID = IS
• A medida que aumenta VDS, aumenta ID ; y para pequeñas
variaciones de VDS , la corriente de drenaje ID tiene un
comportamiento aproximadamente lineal. A medida que VDS siga
aumentando, la región de agotamiento se hace cada vez más
grande y se reduce la anchura del canal. Cuando VDS alcanza el
valor VP el canal se reduce al mínimo, la resistencia se vuelve
muy grande (aproximadamente infinita) y la corriente de drenaje
ID adquiere un valor máximo debido al alto valor de VDS . Esta
corriente se conoce con el nombre de IDSS , que quiere decir
corriente de drenaje de saturación. Si se aumenta VDS más allá
de VP , la corriente de drenaje permanece en su valor IDSS y el
FET se comporta como una fuente de corriente controlada por
voltaje.
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 Funcionamiento (VGS < 0, VDS > 0)

• Si se polariza la compuerta con un voltaje

negativo VGS < 0, la región de estrechamiento
se hace más grande y a su vez la anchura del
canal se hace menor, lo que lleva a que la
corriente de drenaje ID disminuya. A medida que
VGS se hace más negativo, el nivel de corriente
de saturación para ID se va reduciendo.
• Cuando VGS = VP ⇒ ID = 0, el dispositivo está
apagado
• El resultado de aplicar una polarización
negativa en la compuerta es alcanzar niveles
de saturación a un nivel menor de VDS.

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Aplicaciones:

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