DIODOS Y TRANSISTORES

Laboratorio 2
TRANSISTOR BJT EN DC
1. OBJETIVOS
Examinar la medicin del punto de operacin (I BQ, ICQ y VCEQ) y evaluar la operacin del
transistor como interruptor.
Material de Laboratorio
Componentes
1 Transistor 2N2222A ( o equivalentes 2N3904, BC547, BC548)
1 Transistor TIP31.
CI NE555, un motorcito de cd (6v)
Diodos 1n4148
Resistencias y capacitores segn diseo.
Equipo de medicin.
1 Fuente de voltaje
2 multmetros (uno como ampermetro y otro como voltmetro)

Procedimiento
1. Zonas de operacin del BJT.
Sea Vcc= 12 V, y Rc= 1K.
Mida la Beta o HFE en el multmetro o tmelo de las hojas de datos del transistor 2N2222A
o equivalente calcule
V V CEsat
Ic sat = CC
Rc

RBmin=

VccVBEon
Ic sat

Utilice en RB una resistencia de valor RBmin en serie con un potencimetro de al menos

10 veces el valor de RBmin (conectado como restate)
Varie el potencimetro de tal forma que se
Tabla 1. Parmetros del circuito de la figura 1.

IB (A)
IC (mA)
Ic/Ib
VCE (V)
Zona

10

30

50

70

MC Jos Agustn Hernndez BentezPgina 1

100

130

150

DIODOS Y TRANSISTORES
Realice una grfica de Vce vs Ic

Fig. 1. Polarizacin de base del Transistor BJT.

POLARIZACIN UNIVERSAL

4. Disee y simule el circuito de polarizacin de la figura 2. Para obtener: Icq=2mA y

Vceq=5V

Fig. 2. Polarizacin por divisor de voltaje y resistencia en emisor.

Nota:
Proponga Ve=0.1Vcc y RTH=0.05BRE

MC Jos Agustn Hernndez BentezPgina 2

DIODOS Y TRANSISTORES

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

3- Construya el circuito PWM con 555 de la figura 2 o utilice un generador PWM con un
Arduino, Utilice el tip31
Fig.2. Aplicacin de transistor como interruptor (control PWM)
Calcule la resistencia de base correspondiente.

RB=

V CCV CEsat
Icsat /Betaforzada

Escriba sus conclusiones individuales

MC Jos Agustn Hernndez BentezPgina 3