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Objetivos de Aprendizaje
• Las terminales del dispositivo son el drenador (D), la puerta (G), la fuente (S) y
el sustrato (B) (Ver Figura 5.1). En funcionamiento normal, por el terminal del
sustrato pasa una corriente despreciable. Suponer que el sustrato está
conectado a la fuente, por lo que se tendra un dispositivo de tres terminales.
Continua…
• La puerta se halla aislada del sustrato por una fina capa de dioxido de silicio y por el
terminal de la puerta fluye una corriente despeciable.
• Si se aplica una tension entre el drenador y fuente, fluira una corriente que sale de la
fuente, y va a traves del canal, hacia el drenador. La corriente de drenador está controlada
por la tensión que se aplica a la puerta.
Ejemplo: Figura 5.1 – MOSFET de
acumulacion de canal
Simbolo esquemático del MOSFET de
acumulacion de canal n
Funcionamiento en la Región de Corte
• Suponer que se aplica al drenador una tension positiva
con relación positiva con relación a la fuente, y que
empezamos con observar que las interfaces drenador-
sustrato y fuente-sustrato aparecen uniones pn. (Ver Figura 5.3)
La fuente de alimentación de
tensión continua actúa como
un cortocircuito para la señal
alterna.
Seguidor de Fuente
• La señal que se ha de amplificar es , y R es la resistencia interna de la
fuente de señal. El condensador de acoplo hace que la señal de entrada
de alterna aparezca en la puerta del FET. El condensador conecta la carga
con el terminal de fuente del MOSFET.
amplificadores.