Transistores de Efecto

de Campo
Objetivos de Aprendizaje

Al Finalizar la clase el estudiante será capaz

de:

• Describir en que consisten los transistores

de efecto de campo

• Ejemplificar los tipos de transistores de

efecto de campo.
Transistores de efecto de campo
• Son importantes dispositivos que, al igual que los
bipolares , se utilizan como amplificadores e interruptores
lógicos.

• Los mas importantes son los MOSFET o el transistor de

efecto de campo metal-óxido-semiconductor de
acumulación, y el transistor de efecto de campo de unión.
Continua…

• La estructura fisica de transistor de efecto de campo metal-óxido-

semiconductor de acumulación tambien conocido como (transistor NMOS).

• Las terminales del dispositivo son el drenador (D), la puerta (G), la fuente (S) y
el sustrato (B) (Ver Figura 5.1). En funcionamiento normal, por el terminal del
sustrato pasa una corriente despreciable. Suponer que el sustrato está
conectado a la fuente, por lo que se tendra un dispositivo de tres terminales.
 Continua…
• La puerta se halla aislada del sustrato por una fina capa de dioxido de silicio y por el
terminal de la puerta fluye una corriente despeciable.

• Cuando se aplica la puerta de tension (positiva) en relacion a la fuente, los electrones se

ven atraidos a la region situada bajo la puerta, introduciendose un canal de material de
tipo n entre el drenador y la fuente.

• Si se aplica una tension entre el drenador y fuente, fluira una corriente que sale de la
fuente, y va a traves del canal, hacia el drenador. La corriente de drenador está controlada
por la tensión que se aplica a la puerta.
Ejemplo: Figura 5.1 – MOSFET de
acumulacion de canal
Simbolo esquemático del MOSFET de
acumulacion de canal n
Funcionamiento en la Región de Corte
• Suponer que se aplica al drenador una tension positiva
con relación positiva con relación a la fuente, y que
empezamos con observar que las interfaces drenador-
sustrato y fuente-sustrato aparecen uniones pn. (Ver Figura 5.3)

• No fluye virtualmente ninguna corriente hacia el drenador

ya que la unión drenador-sustrato está polarizada en
inversa por el generador de A esto se le llama región de
corte
Continua…
• A medida que aumenta el dispositivo permanece en corte hasta que
alcanza un valor suficiente llamado tensión umbral

• La tensión umbral normal va de uno a unos pocos voltios. Si en corte

se tiene:
para (Ecuacion principal del NMOS de acumulacion en estaod de corte)
Union pn entre drenador y sustrato
Funcionamiento en la Región óhmica

• El campo eléctrico que resulta de la tensión aplicada a

la puerta ha repelido a los huecos de la región situada
bajo la puerta, y ha atraído a electrones que pueden
fluir con facilidad en la dirección de polarización
directa través de la unión fuente-sustrato.

• Esta repulsión y atracción simultaneas producen un

canal de tipo n entre el drenador y la fuente.
Ejemplo:
Control Automático de Ganancia (CAG)

• Es particularmente importante para

mantener un nivel de sonido prácticamente
constante en amplificaciones móviles ya que
la fuerza de una señal varia notablemente a
medida que el vehículo se mueve.
Protección de Puerta
• En un transistor NMOS, si se aplica una tensión (positiva) a la puerta
lo suficientemente grande en relación a la de la fuente, los electrones
son atraidos a la region situada debajo de la puerta y se induce un
canal de material tipo n entre drenador y fuente.

• Entonces, si se aplica una tensión entre drenador y fuente saldrá una

corriente de la fuente, pasando en el drenador. La corriente de
drenador se controla mediante la tensión aplicada a la puerta.
Ejemplo: Dispositivo a una carga Electroestática
Circuitos de Polarización
• En los amplificadores multietapa integrados, los
puntos de polarización de los diversos dispositivos
son interdependientes.

• Los circuitos discretos se pueden usar

condensadores para acoplar las etapas, y el punto
de polarizacion de cada etapa se puede establecer
independientemente de las otras etapas.
Pasos de un Análisis de un amplificador

1. Se analiza el circuito de continua para

determinar Determinar el punto Q. En este
analisis, se utilizan las ecuaciones o las curvas
caracteristicas del dispositivo no lineal.

2. Usar un circuito equivalente de pequeña señal

para hallar las impedancias y las ganancias.
Circuito de Polarización Automática
• El circuito de polarización automática es un
circuito discreto capaz de establecer el punto
Relativamente independiente de los parámetros
del dispositivo.

• Para llevar a cabo el análisis, vamos a sustituir el

circuito de la puerta por su equivalente de
Thévenin,
Amplificador en Fuente Común
• La Señal que ha de ser amplificada es Los condensadores de acoplo asi como el
condensador de desacoplo tienen el propósito de presentar unas impedancias
muy pequeñas para la señal alterna.
Circuito Equivalente en pequeña Señal
• El circuito equivalente en pequeña señal del amplificador; el
condensador de acoplo de entrada se ha sustituido por un
cortocircuito. Se ha sustituido el MOSFET por su equivalente en
pequeña señal.

La fuente de alimentación de
tensión continua actúa como
un cortocircuito para la señal
alterna.
Seguidor de Fuente
• La señal que se ha de amplificar es , y R es la resistencia interna de la
fuente de señal. El condensador de acoplo hace que la señal de entrada
de alterna aparezca en la puerta del FET. El condensador conecta la carga
con el terminal de fuente del MOSFET.

• En el análisis de banda media del amplificador a frecuencias medias,

suponemos que los condensadores de acoplo se comportan como
cortocircuitos. Las resistencias y forman el circuito de polarización.
Ejemplo:
MOSFET de deplexión
• El MOSFET de deplexión tiene curvas caracteristicas casi
identicas a las de los JFET, pero su construcción es algo
diferente. Hay un delgado canal de material semiconductor
de tipo n que conecta la fuente y el drenador.

• Encima del canal hay una capa de metal (aluminio o silicio

policristalino), que forma la puerta. La region de tipo p se
denomina sustrato.
Ejemplo:
Ejemplo:
FET de canal p
• Los FET de canal p se representan con la fuente en la parte superior,
con lo que que la corriente fluye normalmente desde arriba hacia
abajo. Ejemplo:
Resumen de dispositivos FET
Circuitos Equivalentes en pequeña Señal

• Con los JFET y los dispositivos de

canal p se pueden diseñar muchos
tipos de circuitos de polarización,
amplificadores en fuente comun y
seguidores de fuente.
Conclusiones
Al Finalizar el estudiante:
• El MOSFET es el principal dispositivo responsable de
los rápidos avances en electronica digital de las últimas
decadas.
• Los MOSFET pueden trabajar en las regiones de corte,
óhmica o de saturación.
• Los Circuitos amplificadores simples se pueden analizar
por medio de técnicas gráficas (linea de carga).
• En los amplificadores FET puede haber distorsion
debido al espaciado no uniforme de las curvas
caracteristicas de drenador. La distorisión es menos
pronunciada con señales de menor amplitud.
Conclusiones
• Los FET se suelen polarizar en la región de saturación para su uso como

amplificadores.

• Para los ingenieros de diseño, es muy importante una completa comprension

del analisis de circuitos equivalentes en pequeña señal.

• Para hallar la resistencia de salida de un amplificador, desconectamos la

carga, sustituimos la fuente de señal para su resistencia interna y luego

calculamos la resistencia que se ve mirando desde los terminales de salida.

• Una independencia sin condensador de desacoplo entre la fuente del FET y

masa, reduce enormemente la ganancia de un amplificador en fuente comun

Conclusiones
• El seguidor de fuente tiene una ganancia de
tensión ligeramente menor que uno, una
elevada ganancia de corriente y una
impedancia de salida relativamente baja. Es
un amplificador no inversor.