ANALIZA E

IDENTIFICA EL
USO DEL
TRANSISTOR
BJT COMO
AMPLIFICADOR
 INTRODUCCIÓN
El transistor bipolar es la base fundamental de los
circuitos electrónicos lineales. Su funcionamiento se
basa en dos tipos de cargas: huecos y electrones.
Para muchas aplicaciones el transistor bipolar es la
mejor elección, aunque existen algunas aplicaciones
en la que le transistor unipolar seria preferible.

El descubrimiento del transistor a principios del siglo

XX (1947) marcó el comienzo de la era de la
electrónica. En apenas 60 años el desarrollo
experimentado y el grado de penetración en la vida
cotidiana ha sido tal que hoy en día es difícil pensar
en cómo seria la vida sin los ordenadores, la
telefonía, la radio, la televisión. Y ha sido,
precisamente, el descubrimiento del transistor el
culpable de esta revolución tecnológica
FUNCIONAMIENTO A NIVEL ATÓMICO DEL
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) EN UNIÓN
NPN Y PNP.
EL TRANSISTOR:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo
B y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se
llama transistor npn y el segundo transistor pnp.
Durante mucho tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia
de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la
creación de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Hablar de los IGBT son mayores
palabras puesto que estos transistores son especiales, son de grandes prestaciones y aplicaciones
de gran envergadura sobre todo en el campo industrial.
Tabla de contenido
SIMBOLOGÍA
01 Convenio de tensiones
y
corrientes

DEFINICION
02 ¿Qué es un
transistor?

ESTRUCTURA
03 FÍSICA
El como es que
contiene sus
principales
com ponentes etc.
 Simbología
El transistor bipolar es un dispositivo de
tres terminales -emisor, colector y base,
que, atendiendo a su fabricación,
puede ser de dos tipos: NPN y PNP. Se
encuentran los símbolos de circuito y
nomenclatura de sus terminales. La
forma de distinguir un transistor de tipo
NPN de un PNP es observando la flecha
del terminal de emisor. En un NPN esta
flecha apunta hacia fuera del transistor;
en un PNP la flecha apunta hacia
dentro. Además, en funcionamiento
normal, dicha flecha indica el sentido
de la corriente que circula por el
emisor del transistor.
 DEFINICION DE
TRANSISTOR
El transistor IGBT, que por sus siglas del inglés se refiere a Insulated Gate Bipolar transistor y traducido al español
es Transistor Bipolar de Puerta Aislada, procede esencialmente de la tecnologia MOSFET de potencia; por lo que su
estructura y funcionamiento son similares.
ESTRUCTURA
FÍSICA
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres
regiones semiconductoras, entre las cuales se forman unas
uniones (uniones PN).Observamos el aspecto útil para
análisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir
que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el
emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector
tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo
PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será Py el
colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN
 Otros componentes físicos

• El EMISOR: Es una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor
cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

• La BASE: Suelen ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la misma, y
prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector.

• El COLECTOR: Por lo regular es una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta
región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.

• FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR: Es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible

controlar un gran potencia a partir de una pequeña. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del
funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector C y emisor € se aplica la potencia a regular, y en el
terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que controlamos la potencia..
Características
Algunas otras características
igualmente importante de este tipo de
transistores.

•Alta impedancia de entra d a (MOSFET).

•Alta capacidad de manejar corriente

(BJT).

•Fácil manejo controlable por voltaje

(MOSFET)

•Sin problemas de segunda avalancha

(BJT).

•Bajas perdidas de conducción en

estado activo (BJT).
Las principales
ventajas de
BJT y sus
desventajas.
Las principales ventajas de IGBT sobre un MOSEET de potencia
y
un BJT son
• Tiene una caída de voltaje en estado muy baja debido a la modulación de
conductividad y tiene una densidad de corriente en estado superior. Por lo tanto,
es posible un tamaño de chip mas pequeño y se puede reducir el costo.

• Baja potencia de conducción y un circuito de accionamiento simple debido a la

estructura de la puerta de entrada MOS. Se puede controlar fácilmente en
comparación con los dispositivos controlados por corriente (tiristor, BIT) en
aplicaciones de alto voltaje y alta corriente.

• Amplia SOA. Tiene una capacidad de conducción de corriente superior en

comparación con el transistor bipolar. También tiene excelentes capacidades de
bloqueo hacia delante y hacia atrás.
Los principales inconvenientes
son:

1. Tienen un consumo importante en la polarización, ya que estos

transistores funcionan a partir de corriente.

2. Su respuesta en frecuencia tiende a ser peor que en los MOS

3. Impedancia de entrada baja

4. Generan un nivel de ruido mayor que los FET

5. Son menos estables con la temperatura

6. Mas difíciles de fabricar

 ESTRUCTURA
INTERNA
El transitor NPN tiene tres pines de conexión llamados, Colector ©, Base (B) y Emisor €. Estas tres conexiones
están directamente sobre cada una de las capas semiconductoras N, P y N respectivamente. La figura-1, muestra la
estructura interna del transistor. Una unión NP se le conoce también como diodo. MATERIAL N
Las capas N están formadas por cristales de un material semiconductor. Por ejemplo el Silicio, la capa N esta
formada por cristales de silicio con impurezas. Estas impurezas pueden ser:

• Arsénico
• Fósforo
• Antimonio
La Figura-2 muestra una estructura cristalina formada por silicio con impurezas de Arsénico y sus
electrones libres.
MATERIAL
P
El material P esta formado por cristales de Silicio o cualquier otro material semiconductor como el
Germanio e impurezas como el boro. El boro al tener sólo tres electrones en su última capa provoca un
hueco al unirse a un cristal de silicio. En la Figura se muestra una estructura cristalina de material P.
 EL TRANSISTOR NPN – ESTRUCTURA Y
APLICACIONES
El transistor en el que se encuentra un material de tipo n dopado con dos materiales tipo p, este tipo de
transistor se conoce como transistor PNP. Es un dispositivo controlado de corriente. La pequeña cantidad de
corriente de base controlaba tanto la corriente del emisor como la del colector. El transistor PNP tiene dos
diodos de cristal conectados espalda con espalda. El lado izquierdo del diodo conocido como el diodo de la
base del emisor y el lado derecho del diodo se conoce como el diodo de la base del colector.

SÍMBOLO DEL TRANSISTOR PNP

El símbolo del transistor PNP se muestra en la
siguiente figura. La flecha hacia adentro muestra
que la dirección de la corriente en el transistor
PNP es del emisor al colector.
 CONCLUSIONES
PODEMOS CONCLUIR LO SIGUIENTE:
El funcionamiento de un transistor BJT. Ya sea npn o pnp,
depende de la polarización que se le aplica en sus terminales
, ya que una mala polarización podría funcionar mal todo el
circuito en el que se le aplique o el usuario no podría tener
los resultados satisfactorios. Como ya hemos podido ver en
el reporte hemos conocido la variedad de aplicaciones de
los transistores y su utilización en la composición de
sistemas electrónicos.
Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o
hacer la prueba de los transistores para conocer si se
encuentra en buenas condiciones para su uso.
 INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA

DOCENTE:JORGE ADÁN LUCHO CHIGO.

ASIGNATURA:ELECTRÓNICA ANALÓGICA

ALUMNO

Pedro Daniel Rosas Fajardo

GRUPO:302-B
TEMA: ANALIZA E IDENTIFICA EL USO DEL TRANSISTOR BJT COMO
AMPLIFICADOR

PERIODO ESCOLAR: AGOSTO- ENERO SAN

ANDRÉS TUXTLA, VER. A 14 DE DICIEMBRE DE2021