CLASE : 08

ELECTRONICA DE POTENCIA

CONTROL DE POTENCIA POR

ANGULO DE EXTINCION
 Control de Potencia por Angulo de Disparo

• Se generan armónicos por no ser la

corriente sinusoidal pura
• Se generan transitorios en el encendido y
apagado cada semi ciclo
• Existe dependencia de la naturaleza de la
carga
• Afecta el factor de potencia
Control de Potencia por Angulo de Disparo

Voltaje y Corriente están defasados: f.p. < 1

Control de Potencia por Angulo de Apagado

• Se generan armónicos por tener la corriente

no sinusoidal
• Se generan transitorios de apagado. En el
encendido V e I pasan por “0”
• Disminuye la dependencia con la naturaleza
de la carga
• Diluye la afección al factor de potencia
Control de Potencia por Angulo de Apagado

 

Corriente y voltaje están en fase: f.p. = 1

 Con qué dispositivos podemos trabajar?

• SCR: NO, se disparan con impulso pero se

apagan con el paso del voltaje por “0”
• TRIAC: NO, se disparan con impulso pero se
apagan con el cambio de polaridad del voltaje
• Se revierte el interés sobre los BJT de potencia
(Power Bipolar Junction Transistor) PBJT, Los
MOS FET de potencia VMOS y los IGBT
(Isolated Gate Bipolar Transistor)
 Con qué dispositivos podemos trabajar?
• Podemos utilizar un dispositivo de la familia
de los Tiristores, desarrollado para poder ser
apagado con un impulso.
GTO = Gate Turn Off
• Se dispara cuando se aplica un pulso el GK y
deja de conducir cuando se aplica un pulso
en el GA.
• Pero esta corriente de apagado debe alcanzar
a 1/5 de la corriente que está circulando
 Símbolo del GTO (Gate Turn Off)

A A
GA GA

I(off)

I(on)

GK GK

K
K
 Transistores BJT de Potencia

• Se construyen para corrientes altas, del

orden de los 10 a 50 Amp. Y para voltajes
mayores a 200 v, hasta 1500v. La potencia
de disipación llega hasta los 150 w.
• La tensión VCEon llega de 1 a 5 v
• El beta es pequeño, pero puede ser diseñado
tipo Darlington con Beta eq. Alto.
 MOS – FET de Potencia
* Son Transistores de Efecto de Campo Metal-Oxido-SC
de geometría vertical que permiten la conducción de
grandes corrientes y por lo tanto se pueden utilizar en
altas potencias.
* Se construyen para corrientes de 10 a 50 Amp. y para
voltajes mayores de 200 v hasta 1000v
* Solo necesita de pulsos de voltaje para mantenerlos en
conducción (VGStyp = 3 a 10 v)
* La tensión VDSon llega a los 5 v y pueden trabajar
hasta frecuencias superiores a los MHz.
 MOS – FET de Potencia

S G D

P N
N G
B

D = Drain o Drenador S
D
G = Gate o Compuerta
S = Source o Fuente
B = Builk o Sustrato
 MOS – FET de Potencia
Vgs+ + +
G
Canal N
S inducido D
Aislante

P N - -
N G
- - B
- -

+Vgs
S IDS
D Corriente
grande IDS
MOS – FET de Potencia

S
Aislante

D
 IGBT = Isolated Gate Bipolar Transistor

Es una composición de un transistor MOS a la entrada

y con la configuración de un BJT a la salida.
Tiene control de disparo y apagado por pulso de
tensión
La tensión VCEon es mucho menor que la VDSon
Puede trabajar a mayores frecuencias FT (NOOOOO)

La construcción es mas robusta y permite mayores

corrientes
 C
C
C

G G
P+
E
S
N+

N- Aislante

G N+ P+ N+ G

Metal
compuerta
E
 ss IEC C

P+
N+
Canal n N-
inducido
P+ Aislante

N+ N+
G
-------- ------
G

VGS +++ Metal

compuerta
E
 C
C

G G
N+
N-
+

C
G

E E
Cálculo del voltaje DC por control de
apagado
Para Media Onda:

 
Para Onda Completa: 2

 

Para Onda Completa:

 Vdc/Vm angulo de disparo
0.7

0.6

0.5 O/C
0.4
Vdc/ Vm

½O
0.3

0.2

0.1

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180

Angulo de Dispáro (grados)

 Vrms/Vm control de disparo
0.8

0.7 O/C
0.6 ½O
0.5
s/ Vm

0.4
Vrm

0.3

0.2

0.1

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180

Angulo de Disparo (grados)

 V(t) = Vm cos wt = Vm cos 
 Sen() (1/)[1+Sen()]
-90 -0.999999683 1.00977E-07
-80 -0.98468459 0.004877519
-70 -0.939480605 0.019273693
-60 -0.865759839 0.042751643
-50 -0.765759996 0.074598727
-40 -0.642516449 0.113848265
-30 -0.499770103 0.159308885
-20 -0.341853849 0.209600685
-10 -0.17356104 0.263197121
 0 0 0.318471338
10 0.17356104 0.373745554
Para Onda Completa : 20 0.341853849 0.42734199
30 0.499770103 0.477633791
40 0.642516449 0.52309441
50 0.765759996 0.562343948
60 0.865759839 0.594191032
70 0.939480605 0.617668983
80 0.98468459 0.632065156
90 0.999999683 0.636942574
 Vdc/Vm control de apagado
0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0 
-90 -40 10 60
 Vrms/Vm angulo de apagado
V(t) = Vm sen wt = Vm sen 
Para
O/C

Para Media Onda:

 2000
Carga RL
Watts

Circuito de
Control de
Potencia por VP
Angulo de Apagado
 Circuito de
Control de
Potencia por
Angulo de Apagado

Sincronismo
VP

VC = (I/C) t
VCmax = 8v
SET en to
LM 3900 Flip Flop
Reset en ta
CLASE : 10

CONTROL DE POTENCIA

Por

Angulo Simétrico
 Control on/off ángulo simétrico




  



Armónica fundamental de Corriente está en fase: f.p. = 1

() Sen() (2/)[Sen()]
0 0 0
5 0.087111671 0.05548514
10 0.17356104 0.11054843
15 0.258690844 0.16477124
20 0.341853849 0.2177413
25 0.422417774 0.26905591
30 0.499770103 0.31832491
35 0.573322732 0.36517371
40 0.642516449 0.40924615
45 0.706825181 0.45020712
50 0.765759996 0.48774522
55 0.81887282 0.52157504
60 0.865759839 0.55143939
65 0.906064579 0.5771112
70 0.939480605 0.59839529
75 0.96575386 0.61512985
80 0.98468459 0.62718764
85 0.996128868 0.63447699
90 0.999999683 0.63694247
 Vdc/Vm On/Off Angulo Simétrico
0,7

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0,1

0 
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
 Vrms/Vm normalizado Ang. Simétrico
Vrms/Vm ángulo on/off simétrico
0,8

0,7

0,6

0,5
Vrms/Vm

?
0,4

0,3

0,2

0,1

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
B Ang. simétrico de conducción
 3730
Carga RL
Watts

Circuito de
Control de
Potencia por
Angulo Simétrico
 Circuito de
Control de
Potencia por
Angulo Simétrico

+V
Derivador Comparador Integrador

Comparador

Vref.
Vin

-V deriv.

V comparador
inversor

V integrador
inversor
Vin

V referencia

V(L)